一种半导体引线框架的加工工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体引线框架的加工工艺,涉及半导体功率器件引线框架加工技术领域，具体包括如下步骤：（1）用冲裁模具在金属料带上对外引线、定位孔和隔墙进行预冲；（2）用冲裁模具在金属料带上依次冲出冲胶孔、成型燕尾一、成型燕尾二；（3）用冲裁模具在金属料带上对裁片、方孔和切分条进行预冲；（4）用冲裁模具在金属料带上冲出内引线一、内引线二、内引线三，且同时对定位孔、隔墙进行精冲；（5）用冲裁模具在金属料带上对步骤S2中预冲的外引线进行精冲。本发明专利技术不仅能防止在外引线冲裁过程中造成外引线扭曲，且能防止半导体引线框架在塑封后隔墙的两边溢料。

Processing technology of a semiconductor lead frame

The invention discloses a processing technology of a semiconductor lead frame, which relates to the technical field of the semiconductor power device lead frame processing, including the following steps: (1) pre-punching the outer lead, positioning hole and partition wall on the metal belt with a punching die; (2) punching the punching holes sequentially on the metal belt with a punching die. Forming dovetail 1, forming dovetail 2; (3) with the blanking die on the metal strip, square holes and slitting strip for pre-punching; (4) with the punching die on the metal strip punching out the internal lead 1, internal lead 2, internal lead 3, and at the same time on the positioning hole, partition wall fine punching; (5) with the punching die in the metal strip Fine blanking on the outer lead of the pre punching step S2 is carried out. The invention can not only prevent the external lead from being twisted during the blanking process of the external lead, but also prevent the semiconductor lead frame from spilling material on both sides of the plastic-sealed back wall.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体引线框架的加工工艺
本专利技术涉及半导体功率器件引线框架加工
，具体而言，涉及一种半导体引线框架的加工工艺。
技术介绍
半导引线框架是指用于连接半导体集成块内部芯片的接触点和外部导线的薄板金属框架，它的生产原料主要是铜卷。常规的半导体引线框架主要有两种制作工艺，一种蚀刻法，一种是模具冲压法。蚀刻法是用化学物质蚀刻掉材料的一部分而制成产品，多适用于小规模生产；模具冲压法，是通过模具的冲压力冲压间歇传送的薄板材料而制成，多适用于大规模生产。模具冲压法一般有以下工艺步骤：冲压、表面处理、切断成型和检片包装，冲压就是铜薄板在模具的冲压下冲压成引线框架。但现有的半导体引线框架在进行冲压此过程中，由于冲压间隙的存在，因此在冲压过程中容易使冲压产生引线产生扭曲、载片表面塌角问题，而由于引线的扭曲、载片表面塌角问题容易影响后面塑封和引线框架的使用，所以解决引线扭曲、、载片表面塌角问题是有必要的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体引线框架的加工工艺，不仅能防止金属料带在进行冲裁过程中引线发生扭曲、载片表面塌角问题，同时防止在冲裁后的预制件存在毛刺。为实现本专利技术目的，采用的技术方案为：一种半导体引线框架的加工工艺，具体包括如下步骤：S1：根据所需制得的产品预制件选择合适的金属料带,并通过冲裁模具在金属料带上冲出识别孔；S2：在步骤S1的基础上，用冲裁模具在金属料带上对外引线、定位孔和隔墙进行预冲；S3：根据定位孔的定位，用冲裁模具在金属料带上依次冲出冲胶孔、成型燕尾一、成型燕尾二，且在加工成型燕尾二后对金属料带进行预切边；S4：在步骤S3的基础上，用冲裁模具在金属料带上对裁片、方孔和切分条进行预冲；S5：在步骤S4的基础上，用冲裁模具在金属料带上冲出内引线一、内引线二、内引线三，且同时对定位孔、隔墙进行精冲；S6：在步骤S5的基础上，用冲裁模具在金属料带上对步骤S2中预冲的外引线进行精冲；S7：在步骤S6的基础上，用冲裁模具对金属料带上对步骤S4中预冲的方孔和裁片进行精冲；S8：在步骤S7的基础上，用冲裁模具对金属料带上对步骤S4中预冲的切分条进行精冲。进一步的，所述上述步骤S1中的金属料带宽度大于产品预制件宽度的两倍。进一步的，上述步骤1至步骤7中的识别孔、外引线、定位孔、隔墙、成型燕尾一、成型燕尾二、切边、裁片、方孔、切分条、内引线一、内引线二、内引线三均为左右对称排布。进一步的，所述经过上述S1-S8步骤制得的产品预制件进行清洗检验后放置在产品输送带上进行包装入库。本专利技术的有益效果是,通过对外引线进行预冲，不仅能有效减少外引线在精冲过程中的冲切量，且能有效防止在外引线冲裁过程中造成外引线扭曲；同时，通过对隔墙进行预冲，使最终隔墙在精冲过程中的冲裁量减少，使精冲后的隔墙边缘呈直角状，有效防止半导体引线框架在塑封后隔墙的两边溢料。附图说明图1是本专利技术产品预制件的料带结构示意图。附图中标记及相应的零部件名称：1、识别孔，2、外引线，3、定位孔，4、隔墙，5、冲胶孔，6、成型燕尾一，7、成型燕尾二，8、预切边，9、裁片，10、方孔，11、切分条，12、内引线一，13、内引线二，14、内引线三。具体实施方式下面通过具体的实施例子并结合附图对本专利技术做进一步的详细描述。本专利技术提供的一种半导体引线框架的加工工艺，具体包括如下步骤：S1：根据所需制得的产品预制件选择合适的金属料带,并通过冲裁模具在金属料带上冲出识别孔1；S2：在步骤S1的基础上，用冲裁模具在金属料带上对外引线2、定位孔3和隔墙4进行预冲，通过对定位孔3进行预冲，使后期在对金属料带进行冲裁过程中能通过定位孔3进行定位，从而使后期的冲裁更加精准，且通过对外引线2和隔墙4的预冲，不仅能减少金属料带在冲裁过程中的冲裁量，且使预制件的尺寸更加精准，防止在对外引线2和隔墙4冲裁后金属料带产生塌角；通过预冲外引线2，有效防止外引线2在冲裁过程中由于外引线2较薄较细而使外引线2产生扭曲，最终冲出的外引线2尺寸更加精准，而预冲的隔墙4能使最终成型的隔墙4的两边呈直角状，有效防止半导体引线框在塑封后产生溢料；S3：根据定位孔3的定位，用冲裁模具在金属料带上依次冲出冲胶孔5、成型燕尾一6、成型燕尾二7，且在加工成型燕尾二7后对金属料带进行预切边8，通过将成型燕尾一6和成型燕尾二7分开进行，且将成型燕尾一6和燕尾二设在预切边8之前，当冲出成型燕尾一6和成型燕尾二7后，金属料带的宽度会变大，而此时进行的预切边8是根据变宽后的金属料带为基准，使后续的冲裁更加精准；S4：在步骤S3的基础上，用冲裁模具在金属料带上对裁片9、方孔10和切分条11进行预冲，使一个步骤能同时完成对裁片9、方孔10、切分条11的预冲，从而使整个半导体引线框架的冲裁工序减少；S5：在步骤S4的基础上，用冲裁模具在金属料带上冲出内引线一12、内引线二13、内引线三14，且同时对定位孔3、隔墙4进行精冲，通过将内引线一12、内引线二13、内引线三14放入到同一个步骤中进行作业，确保了内引线一12、内引线二13、内引线三14的宽度一致，使内引线一12、内引线二13、内引线三14的精度更高；S6：在步骤S5的基础上，用冲裁模具在金属料带上对步骤S2中预冲的外引线2进行精冲，使外引线2能在精确冲出的同时，还能使外引线2在后续对方孔10、裁片9、切分条11的精冲过程中压平，最终使半导体引线框架上的外引线2更加平整；S7：在步骤S6的基础上，用冲裁模具对金属料带上对步骤S4中预冲的方孔10和裁片9进行精冲；S8：在步骤S7的基础上，用冲裁模具对金属料带上对步骤S4中预冲的切分条11进行精冲，通过对切分条11进行精冲。图1是通过上述步骤加工出的产品预制件的料带结构示意图，上述步骤S1中的金属料带宽度大于产品预制件宽度的两倍，且上述步骤1至步骤7中的识别孔1、外引线2、定位孔3、隔墙4、成型燕尾一6、成型燕尾二7、预切边8、裁片9、方孔10、切分条11、内引线一12、内引线二13、内引线三14均为左右对称排布，使整个步骤完成的两个同样的料带，实现一次性对两个半导体引线框架进行同步冲裁，使加工效率大大提高。所述经过上述S1-S8步骤制得的产品预制件进行清洗检验后放置在产品输送带上进行包装入库，根据需求，还可在清洗后进行检验或电镀，使加工出的产品更好。以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体引线框架的加工工艺，其特征在于，具体包括如下步骤：S1：根据所需制得的产品预制件选择合适的金属料带,并通过冲裁模具在金属料带上冲出识别孔；S2：在步骤S1的基础上，用冲裁模具在金属料带上对外引线、定位孔和隔墙进行预冲；S3：根据定位孔的定位，用冲裁模具在金属料带上依次冲出冲胶孔、成型燕尾一、成型燕尾二，且在加工成型燕尾二后对金属料带进行预切边；S4：在步骤S3的基础上，用冲裁模具在金属料带上对裁片、方孔和切分条进行预冲；S5：在步骤S4的基础上，用冲裁模具在金属料带上冲出内引线一、内引线二、内引线三，且同时对定位孔、隔墙进行精冲；S6：在步骤S5的基础上，用冲裁模具在金属料带上对步骤S2中预冲的外引线进行精冲；S7：在步骤S6的基础上，用冲裁模具对金属料带上对步骤S4中预冲的方孔和裁片进行精冲；S8：在步骤S7的基础上，用冲裁模具对金属料带上对步骤S4中预冲的切分条进行精冲。

【技术特征摘要】
1.一种半导体引线框架的加工工艺，其特征在于，具体包括如下步骤：S1：根据所需制得的产品预制件选择合适的金属料带,并通过冲裁模具在金属料带上冲出识别孔；S2：在步骤S1的基础上，用冲裁模具在金属料带上对外引线、定位孔和隔墙进行预冲；S3：根据定位孔的定位，用冲裁模具在金属料带上依次冲出冲胶孔、成型燕尾一、成型燕尾二，且在加工成型燕尾二后对金属料带进行预切边；S4：在步骤S3的基础上，用冲裁模具在金属料带上对裁片、方孔和切分条进行预冲；S5：在步骤S4的基础上，用冲裁模具在金属料带上冲出内引线一、内引线二、内引线三，且同时对定位孔、隔墙进行精冲；S6：在步骤S5的基础上，用冲裁模具在金属料带上对步骤S2中预冲的外引线进行精冲；S7...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锋涛，黄斌，周开友，谢锐，
申请(专利权)人：四川金湾电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川,51