一种引线框架表面处理方法技术

本发明专利技术公开了一种引线框架表面处理方法，属于引线框架制造工艺技术领域，包括以下步骤：根据历史清洗结果建立引线框架尺寸参数、功率、清洗时间与清洗效果的映射表；获取当前清洗引线框架的尺寸参数，并查询映射表，得到最优清洗效果对应的标准功率与标准清洗时间；以标准功率、标准时间完成对引线框架的等离子清洗。根据映射表能够获取最优清洗效果对应的功率及时间信息，避免清洗过程中由于功率过大破坏表面差异性，导致引线框架表面浸润性下降；同时，还能够避免长时间的粒子反应与物理轰击造成的物体表面亲水性的破坏，导致的水滴角的增大，以此保证等离子清洗的最佳效果，进而保证后续生产的产品的可靠性。而保证后续生产的产品的可靠性。而保证后续生产的产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种引线框架表面处理方法


[0001]本专利技术涉及引线框架制造工艺
，尤其涉及一种引线框架表面处理方法。

技术介绍

[0002]目前集成电路的发展趋势是小型化、高集成度、大功率，客户对芯片封装可靠性的要求越来越高，对封装过程与工艺提出了许多新的要求。芯片封装过程中，键合失效与分层异常占整体封装异常的80％，这是因为引线框架的键合区域在生产过程中受到有机物和无机物的污染，若不加以处理就直接键合，将导致键合强度偏低、键合应力差异较大等问题，降低了产品封装可靠性。
[0003]近些年，等离子清洗作为一种高效清洁技术已在封装行业中被广泛应用，能够有效去除键合区域的污染物，显著改善表面粗糙度和亲水性，以此提高键合可靠性。采用等离子清洗对引线框进行表面处理时，一方面能够通过增大功率进而增加参与反应离子的数量，一定时间内能够提升清洗效果；另一方面，在一定功率下能够通过延长一定清洗时间提升清洗效果，然而过强的等离子能量会导致物体表面浸润性的下降，同时长时间的粒子反应与物理轰击将造成物体表面亲水性的破坏，均无法达到最优清洗效果。综上，如何改善上述等离子清洗工艺以保证清洗效果是目前亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术的问题，提供一种引线框架表面处理方法。
[0005]本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种引线框架表面处理方法，该方法包括以下步骤：
[0006]根据历史清洗结果建立引线框架尺寸参数、功率、清洗时间与清洗效果的映射表；/>[0007]获取当前清洗引线框架的尺寸参数，并查询映射表，得到最优清洗效果对应的标准功率与标准清洗时间；
[0008]以标准功率、标准时间完成对引线框架的等离子清洗。
[0009]在一示例中，所述清洗时间为连续清洗时间或间隔清洗时间。
[0010]在一示例中，以间隔清洗时间对引线框架进行清洗时：
[0011]采用PWM算法控制等离子体机的脉冲频率占空比为10％
‑
90％。
[0012]在一示例中，所述以标准功率对引线框架进行表面处理前还包括：
[0013]进行抽真空处理，直至达到预设真空度；
[0014]充入工艺气体，以标准功率、标准时间完成对引线框架的等离子清洗。
[0015]在一示例中，所述方法还包括：
[0016]采集工艺气体流量，当工艺气体流量达到预设流量时，进行等离子清洗。
[0017]在一示例中，完成对引线框架的等离子清洗后，还包括：
[0018]停止工艺气体流量采集。
[0019]在一示例中，：所述停止工艺气体流量采集后还包括：
[0020]充入净化气体打开反应仓。
[0021]在一示例中，所述进行等离子清洗的等离子清洗机功率为30KHz
‑
300W。
[0022]在一示例中，所述等离子清洗机功率为300W。
[0023]在一示例中，所述工艺气体为氩氢混合气。
[0024]需要进一步说明的是，上述各示例对应的技术特征可以相互组合或替换构成新的技术方案。
[0025]与现有技术相比，本专利技术有益效果是：
[0026]1.在一示例中，根据映射表能够获取最优清洗效果对应的功率及时间信息，避免清洗过程中由于功率过大破坏表面差异性，导致引线框架表面浸润性下降；同时，还能够避免长时间的粒子反应与物理轰击造成的物体表面亲水性的破坏，导致的水滴角的增大，以此保证等离子清洗的最佳效果，进而保证后续生产的产品的可靠性。
[0027]2.在一示例中，通过PWM算法调整等离子体机的占空比，能够调节清洗间隔，在脉冲关闭阶段电子温度迅速下降，形成大量的活性物种可深入每层引线框架里面进行清洗；同时脉冲阶段等离子体产生的活性产物的快速扩散，保证和每层引线框架的清洗速率保持一致，减少了高密度等离子体氧化、紫外辐射及高能离子轰击导致的引线框架过热，引线框架变色，以此实现引线框架清洗的均匀性和效率。
[0028]3.在一示例中，通过充入工艺气体，能够为后续等离子清洗提供清洗环境，以保证清洗效果。
[0029]4.在一示例中，通过流量采集，能够获取反应腔的工艺气体的流量大小，进而严格控制流量大小，进而保证后续清洗效果。
[0030]5.在一示例中，完成清洗后停止工艺气体流量采集，降低功耗使用，达到节能的目的。
[0031]6.在一示例中，在完成清洗工艺后，通过充入净化气体对反应仓进行净化，为下次清洗工作提供洁净无杂质影响的反应环境。
附图说明
[0032]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明，此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。
[0033]图1为本专利技术一示例中的方法流程图；
[0034]图2为本专利技术优选示例中的方法流程图。
具体实施方式
[0035]下面结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]在本专利技术的描述中，需要说明的是，属于“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系为基于附图所述的方向或位置关系，仅是为了
便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，使用序数词(例如，“第一和第二”、“第一至第四”等)是为了对物体进行区分，并不限于该顺序，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0037]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，属于“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0038]此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0039]在一示例中，一种引线框架表面处理方法，本专利技术所述表面处理，具体指等离子清洗，具体以产生的等离子为基础，通过外部施加的高频电场产生加速作用引起气体电离。辉光放电所形成的等离子体中有电子、正离子、亚稳态的分子和原子等。当等离子体与被清洗物体表面相互作用时，一方面利用等离子体或者是等离子激活的化学活性物质与材料表面污物进行化学反应，如用等离子体中的活性氧与材料表面的有机物进行氧化反应。等离子体与材料表面有机污物作用，把有机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架表面处理方法，其特征在于：其包括以下步骤：根据历史清洗结果建立引线框架尺寸参数、功率、清洗时间与清洗效果的映射表；获取当前清洗引线框架的尺寸参数，并查询映射表，得到最优清洗效果对应的标准功率与标准清洗时间；以标准功率、标准时间完成对引线框架的等离子清洗。2.根据权利要求1所述的一种引线框架表面处理方法，其特征在于：所述清洗时间为连续清洗时间或间隔清洗时间。3.根据权利要求1所述的一种引线框架表面处理方法，其特征在于：以间隔清洗时间对引线框架进行清洗时：采用PWM算法控制等离子体机的脉冲频率占空比为10％
‑
90％。4.根据权利要求1所述的一种引线框架表面处理方法，其特征在于：所述以标准功率对引线框架进行表面处理前还包括：进行抽真空处理，直至达到预设真空度；充入工艺气体，以标准功率、标准时间完成对引线...

【专利技术属性】
技术研发人员：任俊，王锋涛，黄斌，查五生，蔡擎，杨龙，
申请(专利权)人：四川金湾电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：