【技术实现步骤摘要】
一种功率器件引线框架电镀方法及系统
[0001]本专利技术涉及半导体引线框架表面处理
,尤其涉及一种功率器件引线框架电镀方法及系统。
技术介绍
[0002]功率器件引线框架是半导体封装中主要的材料,引线框架、塑封料及芯片共同组成半导体封装的三大基本原材料。功率器件引线框架由专用铜合金作为基材,制造过程主要是模具冲压、表面清洗和电镀、切断成型三大工序,冲压之后经过表面处理以增加其表面焊接性。表面处理主要是除油、电镀和镀层保护,引线框架的表面处理之所以重要是因为焊接工艺直接作用于其表面,作为键合丝的连接点,是实现芯片功能和外部电路连接的桥梁,对于内部互联来说非常重要;而内部互联是否稳定首要考虑的是半导体封装的可靠性,作为半导体封装中的关键质量指标之一,封装的可靠性主要取决于引线框架与塑封料的结合力是否良好。
[0003]应用于车载等领域的功率器件具有承受大电流高电压的特点,在塑封体内部互联通常使用直径较粗的硅铝丝、铝丝,实现管脚与芯片之间的连接,引线框架需要焊线的管脚局部面积是镀镍层,镍层与硅铝丝、铝丝的焊接较为牢 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率器件引线框架电镀方法,其特征在于:其电镀步骤包括:将覆盖有硅胶掩膜的引线框架导入电镀槽中进行电镀处理,第一镍板为阳极,引线框架为阴极;电镀溶液包括金属镍、硼酸;将电镀溶液导入储液槽进行金属离子除杂处理:第二镍板为阳极,W型瓦楞板为阴极;储液槽中加入有35
‑
55mg/L柠檬酸氢二铵、13
‑
25ml/L氨水;去除金属离子后,将储液槽中溶液导入电镀槽继续进行电镀处理,直至完成对引线框架的电镀处理。2.根据权利要求1所述的一种功率器件引线框架电镀方法,其特征在于:所述电镀溶液包括70
±
10g/L金属镍、55
±
5g/L硼酸;电镀溶液PH值为3.5
‑
5.5;电镀温度为50
±
5℃;电镀时间为10
±
5s;电流密度为0.25~0.5安培/平方分米。3.根据权利要求1所述的一种功率器件引线框架电镀方法,其特征在于:所述储液槽中还加入有3
‑
5mg/L糖精钠。4.根据权利要求1所述的一种功率器件引线框架电镀方法,其特征在于:所述金属离子除杂处理时电流密度为0.01
‑
0.02安培/平方米。5.根据权利要求1所述的一种功率器件引线框架电镀方法,其特征在于:所述电镀步骤前还包括除油以及酸活化步骤。6.根据权利要求5所述的一种功率器件引线框架电镀方法,其特征在于:所述除油包括超声波除油和/或电解除油;超声波除油:将引线框架导入溶液A:55
±
5...
【专利技术属性】
技术研发人员:王锋涛,黄斌,
申请(专利权)人:四川金湾电子有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。