一种改造的半导体晶圆电沉积设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种改造的半导体晶圆电沉积设备，包括设备主体，以及设置于设备主体的杯口，杯口的直径为设备沉积需求的最大晶圆对应的直径，在杯口处放置有晶圆承放台，晶圆承放台为通孔结构；在晶圆承放台内承放由下到上包括基座、电极、盖板、晶圆和压盖组成的晶圆沉积结构；其中，基座、电极、盖板均为通孔结构，晶圆和压盖均为实心结构。本实用新型专利技术通过对设备结构简单的改造，可以实现同台设备不同晶圆尺寸的电沉积作业。晶圆尺寸的电沉积作业。晶圆尺寸的电沉积作业。

【技术实现步骤摘要】
一种改造的半导体晶圆电沉积设备


[0001]本技术属于微电子
，具体涉及一种改造的半导体晶圆电沉积设备。

技术介绍

[0002]近年来，随着半导体产业逐步扩大，尤其第三代半导体更是发展迅猛。所以在国内，半导体产业配套的相关半导体设备也有了史无前例的增长速度。追溯前期核心设备，其产地多数来自国外，主要有光刻机、干法刻蚀设备、薄膜沉积以及金属电沉积设备。如电沉积设备，多数来自日本和德国，不仅价格昂贵，设备交期也很长，严重影响国内半导体芯片的发展。随着近几年国内大力发展半导体产业，以上核心设备在国内也有了重大突破，很多国内设备在技术和品质上有了较大提升，如干法刻蚀、薄膜沉积和金属电沉积设备。行业内现有的电沉积设备主要增加不同搅拌方式、不同电源形式或者不同晶圆放置角度，以提高沉积速率和沉积膜层的品质(外观、均匀性等)。
[0003]但是，随着国内半导体在短期的快速成长，很多公司产品同时存在多种晶圆尺寸，如A公司同时存在4寸/5寸/6寸晶圆的需求，B公司同时存在6寸/8寸晶圆的需求。由于设备对晶圆不同尺寸兼容难度大，所以为保证生产会增加多条本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改造的半导体晶圆电沉积设备，包括设备主体，以及设置于设备主体的杯口，其特征在于，所述杯口的直径为设备沉积需求的最大晶圆对应的直径，在所述杯口处放置有晶圆承放台，所述晶圆承放台为通孔结构；在所述晶圆承放台内承放由下到上包括基座、电极、盖板、晶圆和压盖组成的晶圆沉积结构；其中，所述基座、所述电极、所述盖板均为通孔结构，所述晶圆和所述压盖均为实心结构。2.根据权利要求1所述的改造的半导体晶圆电沉积设备，其特征在于，所述晶圆沉积结构中各部件与所述晶圆承放台之间设置有密封圈；所述密封圈选用材质较软且耐酸碱材质，温度可承受80℃及以下无形变材质。3.根据权利要求1所述的改造的半导体晶圆电沉积设备，其特征在于，所述基座、所述电极、所述盖板和所述压盖均选用耐酸碱材质，且温度可承受100℃及以下无形变材质。4.根据权利要求1所述的改造的半导体晶圆电沉积设备，其特征在于，所述电极包括上基膜、下基...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兵录，刘久航，
申请(专利权)人：合肥欧益睿芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：