增强型GaAs HEMT器件及其制造方法、电子设备技术

本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，为解决目前增强型GaAs HEMT器件阈值电压小且易漂移的技术问题，提出一种增强型GaAs HEMT器件及其制造方法、电子设备，所述方法包括以下步骤：在GaAs衬底上生长外延层，形成GaAs外延片，其中，外延层为多层结构，自上至下的四层分别为P型帽层、停止层、势垒层和沟道层，GaAs外延片分为栅极区、源极区和漏极区；对源极区和漏极区的P型帽层进行刻蚀，并进行介质的沉积，在栅极区形成P型凸起和介质层，其中，介质层覆盖P型凸起的顶面和侧壁；在源极区和漏极区沉积N型帽层；在栅极区形成位于P型凸起之上的栅极金属。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种增强型gaas hemt器件的制造方法、一种增强型gaas hemt器件和一种电子设备。

技术介绍

1、作为新一代微波器件，砷化镓gaas hemt（high electron mobilitytransistors，高电子迁移率晶体管）器件（包括gaas phemt（pseudomorphic highelectron mobility transistors，赝配高电子迁移率晶体管）器件）在频率、增益和效率方面均具有较大优势。

2、增强型gaas hemt器件可用以在gaas微波单片产品上实现逻辑功能。目前增强型gaas hemt器件通常的制造工艺流程是在栅极区域采用埋层的pt金属合金和极薄的gaalas势垒层的厚度，在栅极区域形成一层薄（例如，20nm）的低掺杂的势垒层区域，再采用pt的埋层合金，形成复杂pt-ga的合金层，进一步消耗势垒层厚度（有效厚度为10nm或者更小），栅极金属的pt肖特基势垒层在这样的小尺寸下耗尽异质结沟道（gaalas/gainas）的2维电子气，仅能实现0.2v的阈值电压。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1. 一种增强型GaAs HEMT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

2. 根据权利要求1所述的增强型GaAs HEMT器件的制造方法，其特征在于，还包括：

3. 根据权利要求1或2所述的增强型GaAs HEMT器件的制造方法，其特征在于，步骤S2具体包括：

4. 根据权利要求3所述的增强型GaAs HEMT器件的制造方法，其特征在于，步骤S2还包括：

5. 根据权利要求4所述的增强型GaAs HEMT器件的制造方法，其特征在于，对所述停止层采用湿法刻蚀工艺刻蚀。

6. 根据权利要求5所述的增强型GaAs HEMT器件的...

【技术特征摘要】

1. 一种增强型gaas hemt器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

2. 根据权利要求1所述的增强型gaas hemt器件的制造方法，其特征在于，还包括：

3. 根据权利要求1或2所述的增强型gaas hemt器件的制造方法，其特征在于，步骤s2具体包括：

4. 根据权利要求3所述的增强型gaas hemt器件的制造方法，其特征在于，步骤s2还包括：

5. 根据权利要求4所述的增强型gaas hemt器件的制造方法，其特征在于，对所述停止层采用湿法刻蚀工艺刻蚀。

6. 根据权利要求5所述的增强型gaas hemt器件的制造方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞腾，刘栋，
申请(专利权)人：合肥欧益睿芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：