温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体器件技术领域，为解决目前增强型GaAs HEMT器件阈值电压小且易漂移的技术问题，提出一种增强型GaAs HEMT器件及其制造方法、电子设备，所述方法包括以下步骤：在GaAs衬底上生长外延层，形成GaAs外延片，其中，外延层...
该专利属于合肥欧益睿芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥欧益睿芯科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。