一种引线框架结构设计方法技术

本发明专利技术公开了一种引线框架结构设计方法，包括以下步骤：根据待设计引线框架的参数模拟出可调引线框架，所述参数包括必要参数和可选参数；利用热模拟分析得到可调引线框架的温度场，并得到温度场的极值点；根据所述极值点，调整所述可调引线框架的可选参数；其中，在热模拟分析时，根据可选参数中的防腐蚀结构，考虑可调引线框架在对电镀区电镀过程中、药水对引线框架的非电镀区和/或载片的腐蚀，对热模拟分析结果进行调整。本发明专利技术不仅将防腐蚀结构本身所带来的散热效果纳入到热模拟分析中，而且将防腐蚀结构可能产生的腐蚀结果纳入到热模拟分析结果中，使得热模拟分析更加准确。使得热模拟分析更加准确。使得热模拟分析更加准确。

【技术实现步骤摘要】
一种引线框架结构设计方法


[0001]本专利技术涉及半导体电子元器件制作
，尤其涉及一种引线框架结构设计方法。

技术介绍

[0002]引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。为了提高自动化生产效率，引线框架一般有多个相同的铜基单元排列而成，而每个铜基单元包括依次连接成一体的散热片、载片、内外引线，载片用于承载电子元器件的芯片，芯片通过塑封体件包封后封住在载片上。
[0003]现有技术在对引线框架或集成电路进行分析时，通常会采用热模拟分析的手段，例如申请号为CN201910929147.1的专利技术专利公开了一种模拟芯片发热功率及表面温度的测试方法，按如下步骤实现：在环境常温条件下，测试实际芯片样件运行工况下的表面温度T随时间τ变化的关系，获取实际芯片运行温度与时间的T
‑
τ曲线、表面温度与芯片内部发热功率Ph和时间τ的数值的到Ph
‑
τ曲线和电功率Pv与模拟芯片表面温度T和时间τ的关系曲线Pv
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T
‑
τ，建立与实际芯片尺寸相同的传热模型及其传热数学模型，得到芯片热功率Ph与模拟芯片电功率Pv关系式；连接直流电源和可编程控制器，通电加热模拟芯片，加载实际运行程序，可编程控制模块控制电压输出，测试并模拟芯片表面温度，将模拟芯片实测表面温度与实际芯片表面温度对比，实现模拟实际芯片的发热功率。
[0004]该现有技术考虑到了普遍意义上的芯片结构，但是对于作为芯片载体的引线框架的制作来说，半导体引线框架在对散热片和载片电镀锡的过程中需要注入药水进行腐蚀处理，但是在电镀锡过程中药水可能会渗漏到散热片和载片其他不需要电镀的地方，会对产品造成一定影响，因此为了减少腐蚀影响，在引线框架上设计了防腐蚀结构。
[0005]而如果采用如上述现有技术的方式，对具有防腐蚀结构的引线框架进行热模拟分析时，仅考虑到防腐蚀结构本身的形状所带来的散热效果(例如由开槽或者凹孔的增加面积的结果所带来的散热)，并未考虑到防腐蚀结构的防腐蚀结果，即对引线框架本身的腐蚀影响会使得引线框架的载片/散热片上的非电镀区的材料发生化学变化，从而产生的热分析不准确的问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种引线框架结构设计方法。
[0007]本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0008]本专利技术的第一方面，提供一种引线框架结构设计方法，包括以下步骤：
[0009]根据待设计引线框架的参数模拟出可调引线框架，所述参数包括必要参数和可选参数；
[0010]利用热模拟分析得到可调引线框架的温度场，并得到温度场的极值点；
[0011]根据所述极值点，调整所述可调引线框架的可选参数；
[0012]其中，在热模拟分析时，根据可选参数中的防腐蚀结构，考虑可调引线框架在对电镀区电镀过程中、药水对引线框架的非电镀区和/或载片的腐蚀，对热模拟分析结果进行调整。
[0013]进一步地，所述引线框架包括散热片，所述散热片包括电镀区、非电镀区、以及位于电镀区和非电镀区之间的第一防腐蚀结构。
[0014]进一步地，所述第一防腐蚀结构包括燕尾槽和/或竖槽。
[0015]进一步地，所述引线框架包括载片，所述载片的侧面台阶上设置有第二防腐蚀结构。
[0016]进一步地，所述第二防腐蚀结构为多列麻点结构。
[0017]进一步地，所述必要参数为客户要求的参数，所述可选参数为引线框架的所有参数中去除必要参数的一部分。
[0018]进一步地，所述必要参数包括引线脚形状和尺寸；所述的可选参数包括防腐蚀结构、器件布局结构，以及非必要器件的材料、形状和厚度。
[0019]进一步地，所述根据可选参数中的防腐蚀结构，考虑可调引线框架在对电镀区电镀过程中、药水对引线框架的非电镀区和/或载片的腐蚀，对热模拟分析结果进行调整，具体包括：
[0020]获取防腐蚀结构的参数，包括类型、数量与厚度；
[0021]判断所述防腐蚀结构对可调引线框架的防腐蚀结果；
[0022]根据所述防腐蚀结果，调整热模拟分析结果。
[0023]进一步地，所述判断所述防腐蚀结构对可调引线框架的防腐蚀结果，具体包括：根据历史实验数据判断，或根据历史实验数据形成的判断模型进行判断。
[0024]进一步地，所述调整热模拟分析结果，具体包括：根据防腐蚀结果的腐蚀比例，上调或下降对应腐蚀位置的温度场的温度。
[0025]本专利技术的有益效果是：
[0026](1)在本专利技术的一示例性实施例中，不仅将防腐蚀结构本身所带来的散热效果纳入到热模拟分析中，而且将防腐蚀结构可能产生的腐蚀结果纳入到热模拟分析结果中，使得热模拟分析更加准确。采用该种方式的考量，主要是因为对引线框架本身的腐蚀影响会使得引线框架的载片/散热片上的非电镀区的材料发生化学变化，而分析过程则不会有该数据判断，从而产生的热分析不准确的问题。
[0027](2)在本专利技术的又一示例性实施例中，散热片作为热模拟分析的重要部分，其主要包括电镀区、非电镀区、以及位于电镀区和非电镀区之间的第一防腐蚀结构。其中，电镀区通常为电镀锡，而由于非电镀区与电镀区连接，则要在电镀的过程中尽可能的避免非电镀区被电镀到，否则会影响产品的性能或外观。
[0028](3)在本专利技术的又一示例性实施例中，载片也容易在电镀的过程中被腐蚀，因此在其侧面台阶上设置有第二防腐蚀结构。
[0029](4)在本专利技术的又一示例性实施例中，必要参数为客户要求的参数，所述可选参数为引线框架的所有参数中去除必要参数的一部分。客户/厂家会对要求生产的引线框架做
一定限定，因此该内容在后续调整中不进行调整，剩余部分即为可调整的可选参数。
[0030](5)在本专利技术的又一示例性实施例中，根据防腐蚀结构的防腐蚀能力，对热模拟分析结果进行相应调整。虽然防腐蚀结构的最优选肯定是完全防腐蚀，但是由于不同客户的必要参数的是不同的，其在某些情况下不可避免的会产生一定腐蚀，因此需要对该情况进行单独考量。
[0031](6)在本专利技术的又一示例性实施例中，上调或下降对应腐蚀位置的温度场的温度，主要是根据腐蚀后的面积、材料发生的化学变化所带来的温度参数的调整等。
附图说明
[0032]图1为本专利技术一示例性实施例中提供的方法流程图。
具体实施方式
[0033]下面结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]在本专利技术的描述中，需要说明的是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架结构设计方法，其特征在于：包括以下步骤：根据待设计引线框架的参数模拟出可调引线框架，所述参数包括必要参数和可选参数；利用热模拟分析得到可调引线框架的温度场，并得到温度场的极值点；根据所述极值点，调整所述可调引线框架的可选参数；其中，在热模拟分析时，根据可选参数中的防腐蚀结构，考虑可调引线框架在对电镀区电镀过程中、药水对引线框架的非电镀区和/或载片的腐蚀，对热模拟分析结果进行调整。2.根据权利要求1所述的一种引线框架结构设计方法，其特征在于：所述引线框架包括散热片，所述散热片包括电镀区、非电镀区、以及位于电镀区和非电镀区之间的第一防腐蚀结构。3.根据权利要求2所述的一种引线框架结构设计方法，其特征在于：所述第一防腐蚀结构包括燕尾槽和/或竖槽。4.根据权利要求1所述的一种引线框架结构设计方法，其特征在于：所述引线框架包括载片，所述载片的侧面台阶上设置有第二防腐蚀结构。5.根据权利要求4所述的一种引线框架结构设计方法，其特征在于：所述第二防腐蚀结构为多列麻点结构。6.根据权利要求1所述的一种引线框架结构设计方法，其特征在于：所述必要...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋佳骏，王锋涛，黄斌，查五生，黄重钦，
申请(专利权)人：四川金湾电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：