原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法，以解决现有技术无法对薄膜厚度和掺杂比例进行精确控制，特别是在控制薄膜厚度的精度达到原子级别并同时实现大面积均匀生长方面存在缺陷的问题。该方法包括以下步骤：1)将基体放入沉积室内；2)将沉积室抽真空并将基体加热；3)进行8～11次Al2O3沉积循环，单次Al2O3沉积包括：3.1)向沉积室通入前驱体Al源，Al源在沉积室暴露设定的时间，吹扫沉积室；3.2)通入前驱体氧源，得到单层Al2O3；3.3)吹扫沉积室；4)进行1次Mo沉积；4.1)向沉积室通入前驱体Mo源，吹扫沉积室；4.2)通入还原剂，得到单层Mo金属单质；4.3)吹扫沉积室；5)依次重复步骤3)和步骤4)多次，得到Mo掺杂Al2O3高阻薄膜。

【技术实现步骤摘要】
原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法
本专利技术涉及光电材料领域高阻薄膜的制备方法，具体涉及一种原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法。
技术介绍
自20世纪80年代以来，薄膜技术和薄膜材料发展迅速，在学术和工程应用领域都取得了丰硕的成果，已成为当今材料科学最为活跃的研究领域之一。长期以来，导电薄膜的研究热点聚焦在低阻薄膜，特别是以Al掺杂ZnO(掺铝氧化锌)的AZO薄膜为代表，透明导电薄膜的特性研究和制备方法已成为当下的研究热点，而高阻薄膜的研究则鲜有报道。虽然通过调整Zn/Al比例，AZO薄膜也可制备成高阻薄膜，但这种AZO薄膜在高温工作环境中或高温烘烤或退火后，稳定性差，电阻率变化达几个量级，实用性受到极大限制。传统的薄膜制备方法主要为物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)两种。PVD具有较高的沉积速率，但其绕镀性差，常用于平板式样品表面的薄膜制备，对于沟槽和孔洞结构的样品，特别是在高深宽比的沟槽和大长径比的孔洞中，PVD很难沉积均匀的薄膜；CVD制备的薄膜具有一定的保型性，可在较小深宽比的沟槽内沉积薄膜，但膜层存在较多的孔洞和缺陷。此外，PVD和CV本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将基体放入沉积室内；2)将沉积室抽真空至10‑2Pa～10‑5Pa，并将基体加热至120～350℃；3)进行8～11次Al2O3沉积循环；单次Al2O3沉积包括步骤3.1)至步骤3.3)，3.1)向沉积室通入前驱体Al源，Al源在沉积室暴露设定的时间，吹扫沉积室，将多余的前驱体吹扫干净；3.2)通入前驱体氧源，氧源在沉积室暴露设定的时间，通过化学吸附反应得到单层Al2O3；3.3)吹扫沉积室，将多余的前驱体和副产物吹扫干净；4)进行1次Mo沉积；4.1)向沉积室通入前驱体Mo源，Mo源在沉积室暴露设定的时间，...

【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将基体放入沉积室内；2)将沉积室抽真空至10-2Pa～10-5Pa，并将基体加热至120～350℃；3)进行8～11次Al2O3沉积循环；单次Al2O3沉积包括步骤3.1)至步骤3.3)，3.1)向沉积室通入前驱体Al源，Al源在沉积室暴露设定的时间，吹扫沉积室，将多余的前驱体吹扫干净；3.2)通入前驱体氧源，氧源在沉积室暴露设定的时间，通过化学吸附反应得到单层Al2O3；3.3)吹扫沉积室，将多余的前驱体和副产物吹扫干净；4)进行1次Mo沉积；4.1)向沉积室通入前驱体Mo源，Mo源在沉积室暴露设定的时间，吹扫沉积室，将多余的前驱体吹扫干净；4.2)通入还原剂，通过化学吸附反应得到单层Mo金属单质；4.3)吹扫沉积室，将多余的前驱体和副产物吹扫干净；5)依次重复步骤3)和步骤4)多次，降温后得到Mo掺杂Al2O3高阻薄膜。2.根据权利要求1所述的原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法，其特征在于：步骤5)中，重复步骤3)和步骤4)500～650次。3.根据权利要求2所述的原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法，其特征在于：步骤3)和步骤4)中的吹扫气体为氮气或氩气...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱香平，邹永星，赵卫，郭海涛，陆敏，许彦涛，张文松，
申请(专利权)人：中国科学院西安光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：陕西,61