具有嵌入式镜面的工程衬底制造技术

工程衬底包括：由用于太阳能电池生长的第一半导体材料制成的种子层；在种子层上的第一键合层；由第二半导体材料制成的支持衬底；在支持衬底的第一侧上的第二键合层；第一和第二键合层之间的键合界面；第一和第二键合层各自由金属材料制成；其中，选择工程衬底的掺杂浓度和厚度，特别是种子层、支持衬底以及第一和第二键合层的掺杂浓度和厚度，使得种子层的吸收小于20％，优选小于10％，并且工程衬底的总面积归一化串联电阻小于10mOhm·cm2，优选小于5mOhm·cm2。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有嵌入式镜面的工程衬底
本专利技术涉及具有嵌入式镜面的工程衬底以及制造具有嵌入式镜面的工程衬底的方法。
技术介绍
光伏或太阳能电池被设计为用于将太阳辐射转换成电流。在聚光太阳能光伏应用中，入射的太阳光在被引导到太阳能电池之前被光学地聚集。例如，入射的太阳光由主镜接收，该主镜将接收的辐射反射到副镜，进而副镜又将辐射反射到太阳能电池，该太阳能电池通过在例如III-V半导体或单晶硅中产生电子-空穴对而将聚集的辐射转换为电流。聚光光伏设备可以替代性地或额外地包括用于聚集入射太阳辐射的菲涅耳透镜光学器件。最近，在光电子应用领域，例如CPV(聚光光伏)电池、IR(红外)探测器等，一直致力于回收光子、减少光子损失和降低电阻率。与这些问题相关的问题之一是电池的效率。例如，常用的衬底(例如GaAs衬底)需要掺杂来确保低接触电阻。但这种掺杂会导致光子的吸收增加。WO2013143851公开了一种制造MJ太阳能电池装置的方法，包括在最终衬底上转移种子层。对于MJ(多结)太阳能电池，或更一般的“光检测器”，例如，适用于WO2013143851中所述的MJ太阳能电池的制造方法(其意指直接键合(bonding本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.工程衬底(101,103)，其包括：由用于太阳能电池生长的第一半导体材料制成的种子层(3)；在所述种子层(3)上的第一键合层(4A)；由第二半导体材料制成的支持衬底(5)；在所述支持衬底(5)的第一侧上的第二键合层(4B)；第一和第二键合层(4A,4B)之间的键合界面(4)；第一和第二键合层(4A,4B)各自由金属材料制成；其中，所述半导体材料的掺杂浓度和所述工程衬底(101,103)的各层的厚度，特别是所述种子层、所述支持衬底以及第一和第二键合层的厚度，被选择成使得所述种子层(3)的吸收小于20％、优选小于10％，并且所述工程衬底(101,103)的总面积归一化串联电阻小于10mOhm·...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.03 FR 16508591.工程衬底(101,103)，其包括：由用于太阳能电池生长的第一半导体材料制成的种子层(3)；在所述种子层(3)上的第一键合层(4A)；由第二半导体材料制成的支持衬底(5)；在所述支持衬底(5)的第一侧上的第二键合层(4B)；第一和第二键合层(4A,4B)之间的键合界面(4)；第一和第二键合层(4A,4B)各自由金属材料制成；其中，所述半导体材料的掺杂浓度和所述工程衬底(101,103)的各层的厚度，特别是所述种子层、所述支持衬底以及第一和第二键合层的厚度，被选择成使得所述种子层(3)的吸收小于20％、优选小于10％，并且所述工程衬底(101,103)的总面积归一化串联电阻小于10mOhm·cm2、优选小于5mOhm·cm2。2.如权利要求1所述的工程衬底(101,103)，其中，所述种子层(3)的掺杂浓度小于5×1017at/cm3。3.如权利要求1或2所述的工程衬底(101,103)，其中，所述种子层(3)的厚度在150nm至1μm的范围内。4.如权利要求1至3中至少一项所述的工程衬底(101,103)，其中，所述支持衬底(5)的厚度在100μm至500μm的范围内，并且所述支持衬底(5)的掺杂浓度在1014at/cm3至5×1017at/cm3的范围内。5.如权利要求1所述的工程衬底(101,103)，其中，第一和第二键合层(4A,4B)的金属材料是W或Ti与TiN中的一种。6.如权利要求1至5中至少一项所述的工程衬底(101,103)，其中，第一半导体材料的晶格常数在至(0.58nm至0.6nm)的范围内。7.如权利要求1至6中至少一项所述的工程衬底(101,103)，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃里克·圭奥特，A·图辛，T·辛格纳马切克斯，E·拉古特，
申请(专利权)人：索泰克公司，法国原子能和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：法国,FR