喷淋板、处理装置和喷出方法制造方法及图纸

根据实施方式，喷淋板包括第一构件和第二构件。所述第一构件包括设置有多个第一开口的第一壁并且在内部包括与所述第一开口连通的室。所述第二构件包括设置有第二开口并被布置在所述室中的第二壁。所述第二构件被布置在与所述第一构件间隔开的位置，并且通过改变相对于所述第一构件的所述第二构件的位置能够将面向所述第二开口的所述第一开口中的一个第一开口替换为所述第一开口中的另一个第一开口。

【技术实现步骤摘要】
喷淋板、处理装置和喷出方法相关申请的交叉引用本申请基于并要求于2017年3月8日提交的日本专利申请No.2017～044260的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本文所描述的实施方式总体而言涉及喷淋板、处理装置和喷出方法。
技术介绍
用于从多个开口中喷出流体的喷淋板是已知的。例如，为了按照流体的每个种类改变流体的喷出位置，有时在喷淋板上单独地设置与第一流体扩散的空间连通的多个第一开口以及与第二流体扩散的空间连通的多个第二开口。
技术实现思路
实施方式的目的在于设置一种喷淋板，其能够改变流体的喷出位置并且更均匀地喷出流体。根据实施方式，喷淋板包括第一构件和第二构件。所述第一构件包括设置有多个第一开口的第一壁并且在内部包括与所述第一开口连通的室(room)。所述第二构件包括设置有第二开口并布置在所述室中的第二壁。所述第二构件被布置在与所述第一构件间隔开的位置处，并且通过改变所述第二构件相对于所述第一构件的位置，能够将面向所述第二开口的所述第一开口中的一个替换为所述第一开口中的另一个。根据上面所描述的喷淋板，可以改变流体的喷出位置并且更均匀地喷出流体。附图说明图1是示意性地示出根据第一实施方式的半导体制造装置的截面图；图2是示出第一实施方式中的喷淋板的截面图；图3是示出第一实施方式中的喷淋板的仰视图；图4是示出第一实施方式中的第一移动壁的仰视图；图5是示出第一实施方式中的第二构件旋转的喷淋板的仰视图；图6是示出第一实施方式中的第二构件旋转后的喷淋板的仰视图；图7是示出根据第一实施方式的变形例的喷淋板的仰视图；图8是示出根据第二实施方式的喷淋板的仰视图；图9是示出第二实施方式中的第一移动壁的仰视图；图10是根据第三实施方式的喷淋板的截面图；图11是根据第四实施方式的喷淋板的截面图；图12是第四实施方式中的喷淋板的仰视图；图13是根据第四实施方式的变形例的喷淋板的截面图。具体实施方式第一实施方式在下文中，将参考图1～图6描述第一实施方式。本说明书基本上将铅直向上方向定义为上或向上方向，并且将铅直向下方向定义为下或向下方向。而且，本说明书中，对于实施方式所涉及的构成要素和对该要素的说明，有时记载了多个表达。用多个表达进行描述的要素及其说明可以由未记载的其它表达来进行描述。此外，未用多个表达进行描述的要素及其说明可以由未记载的其它表达来描述。图1是示意性示出根据第一实施方式的半导体制造装置10的截面图。半导体制造装置10是处理装置的一例，并且还可以称为例如，制造装置、加工装置、喷出装置、供应装置、装置。注意，处理装置不限于半导体制造装置10，并且可以表示对对象物执行诸如加工、清洁和测试之类的处理的其它装置。如各个附图所示，在本说明书中定义了X轴、Y轴和Z轴。X轴、Y轴、和Z轴彼此正交。沿着半导体制造装置10的宽度定义了X轴。沿着半导体制造装置10的深度(长度)定义了Y轴。沿着半导体制造装置10的高度定义了Z轴。在本实施方式中，Z轴沿着铅直方向延伸。Z轴延伸的方向可以与铅直方向不同。例如，根据图1中所示的第一实施方式的半导体制造装置10是化学气相沉积(CVD)装置。半导体制造装置10可以是其它类型的装置。半导体制造装置10包括制造部11、工作台12、喷淋板13、第一气体供应装置14、第二气体供应装置15和控制部16。例如，制造部11还可以被称为壳体。例如，工作台12是配置部的一例，并且还被称为载置部或桌子。例如，喷淋板13还可以被称为流路构造、喷出装置、供应装置、射流装置、分配装置、排出装置、构件、或部件。第一气体供应装置14和第二气体供应装置15是供应部的一例。制造部11内部包括可以被气密密封的腔室21。例如，腔室21还可以被称为室(room)或空间(space)。例如，半导体制造装置10在腔室21中制造半导体晶片(以下称为晶片)W。晶片W是对象物的一例。制造部11包括上壁23和侧壁24。上壁23包括内面23a。内面23a是面向下的大致平坦的面。侧壁24包括内侧面24a。内侧面24a是面向大致水平方向的面。内面23a和内侧面24a形成腔室21的一部分。也就是说，内面23a和内侧面24a面向腔室21的内部。侧壁24包括多个排气口27。可以从排气口27吸附腔室21中的气体。将工作台12和喷淋板13布置在腔室21中。如图1所示，工作台12的一部分和喷淋板13的一部分可以位于腔室21的外部。工作台12包括支承部12a。支承部12a位于腔室21，并将晶片W朝向上壁23的内面23a上进行支承。换句话说，将晶片W布置于工作台12。工作台12包括加热器，并且工作台12能够加热由支承部12a支承的晶片W。例如，工作台12通过吸附晶片W而可以将晶片W固定到支承部12a。此外，工作台12连接到马达那样的驱动装置，并在支承晶片W的同时可以旋转。例如，喷淋板13附接到制造部11的上壁23。喷淋板13面向由工作台12的支承部12a支承的晶片W。喷淋板13能够如图1的箭头所示向晶片W喷出第一气体G1和第二气体G2。第一气体G1是流体和第一流体的一例。第二气体G2是流体和第二流体的一例。流体不限于气体，并且还可以是诸如液体之类的其它流体。例如，第一气体G1在晶片W上形成氧化膜。例如，第二气体G2在晶片W上形成氮化膜。第一气体G1和第二气体G2不限于该示例。另外，第一气体G1和第二气体G2可以是具有相同成分的流体。图2是根据第一实施方式的喷淋板13的截面图。图3是示出第一实施方式中的喷淋板13的仰视图。如图2所示，喷淋板13包括第一构件31和第二构件32。例如，第一构件31和第二构件32中的每一个都由耐受第一气体G1和第二气体G2的材料形成。第一构件31包括扩散部41和管部42。扩散部41具有在X-Y平面上扩展的大致圆盘形状。管部42从扩散部41的大致中央部分沿着Z轴的正方向(Z轴箭头面向的方向，向上)延伸。如图1所示，管部42穿过上壁23。例如，管部42固定到上壁23，以将喷淋板13附接到制造部11的上壁23。喷淋板13可以通过其它方式附接到制造部11。如图2所示，扩散部41包括底壁44、周壁45和覆盖壁46。底壁44是第一壁的一例。此外，扩散部41在内部包括扩散腔室47。扩散腔室47是室的一例，并且还可以被称为例如空间或收容部。扩散腔室47被底壁44、周壁45和覆盖壁46围绕。底壁44具有在X-Y平面上扩展的大致圆盘形状。底壁44包括底面44a和第一内面44b。例如，底面44a还可以被称为外面或表面。第一内面44b是第一面的一例。底面44a是面向沿着Z轴的负方向(与Z轴的箭头的指向的方向相反的方向，向下)的大致平坦的面，并且位于沿着Z轴的负方向的喷淋板13的端部。换句话说，底面44a形成喷淋板13的外面的一部分。底面44a可以是曲面或可以具有凹凸。如图1所示，底面44a经由间隙面向由工作台12的支承部12a支承的晶片W。换句话说，工作台12在底面44a所面向的位置处支承晶片W。如图2所示，第一内面44b是位于底面44a的相反侧且面向沿着Z轴的正方向的大致平坦的面。第一内面44b可以是曲面或可以具有凹凸。第一内面44b面向扩散腔室47并且形成扩散腔室47的内面的一部分。周壁45是从底壁44的边缘沿着Z轴的正向延伸的大致圆筒形的壁。周本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种喷淋板，包括：第一构件，包括第一壁，所述第一壁设置有多个第一开口，并且所述第一构件在内部设有与所述第一开口连通的室；以及第二构件，包括第二壁，所述第二壁设置有第二开口并布置在所述室中，所述第二构件被布置在与所述第一构件间隔开的位置，并且通过改变所述第二构件相对于所述第一构件的位置而能够将面向所述第二开口的所述第一开口中的一个第一开口替换为所述第一开口中的另一个第一开口。

【技术特征摘要】
2017.03.08 JP 2017-0442601.一种喷淋板，包括：第一构件，包括第一壁，所述第一壁设置有多个第一开口，并且所述第一构件在内部设有与所述第一开口连通的室；以及第二构件，包括第二壁，所述第二壁设置有第二开口并布置在所述室中，所述第二构件被布置在与所述第一构件间隔开的位置，并且通过改变所述第二构件相对于所述第一构件的位置而能够将面向所述第二开口的所述第一开口中的一个第一开口替换为所述第一开口中的另一个第一开口。2.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述第二构件通过相对于所述第一构件旋转，从而能够将面向所述第二开口的所述第一开口中的一个第一开口替换为所述第一开口中的另一个第一开口。3.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述第二构件通过相对于所述第一构件平行移动，从而能够将面向所述第二开口的所述第一开口中的一个第一开口替换为所述第一开口中的另一个第一开口。4.根据权利要求1～3中任一项所述的喷淋板，其中，所述第一壁包括第一面，所述第一面面向所述第二壁并与所述第一开口连通，所述第一构件包括面向所述第一面的第二面，所述第一面与所述第二构件之间的距离比所述第二面与所述第二构件之间的距离短。5.根据权利要求1～4中任一项所述的喷淋板，其中，所述第二开口包括在所述第二壁中设置的多个第二开口，所述第二开口的总横截面面积大于在与所述第二开口延伸的方向正交的方向上的所述第二构件与所述室的内面之间的间隙的横截面面积。6.根据权利要求1～5中任一项所述的喷淋板，其中，所述第一开口中的每一个都包括缩径部，所述缩径部朝向所述第二壁而在第一壁上开口并且在远离所述第二壁的方向上逐渐变细，所述缩径部的最大横截面面积大于所述第二开口的面向所述第一壁的端部的横截面面积。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤视红磨，寺田贵洋，益永孝幸，大泷诚，长谷川仁，安达浩祐，津野聪，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP