一种基于弧形电极结构的PECVD镀膜设备制造技术

本发明专利技术提供一种基于弧形电极结构的PECVD镀膜设备，包括放电负电极、正电极以及供气装置，所述放电负电极为1/4圆柱形薄片的弧形结构，且表面设有多个布气孔；所述正电极采用实心圆柱体结构，正、负电极采用共轴线放置，且负电极位于正电极外；所述负电极连接供气装置，卷绕基底材料处于正负电极中间，紧贴正电极，并跟随正电极以相同线速度卷绕；所述供气装置为三段独立布气系统，工作气体在三段独立布气系统处混合均匀后再通过弧形负电极上的进气孔送入由正、负电极之间的空间构成的PECVD镀膜室内。本发明专利技术采用弧形负电极，克服了PECVD镀膜设备容易划伤镀膜基底的缺陷；采用三段独立布气系统，将镀膜不均匀度从原来的15％降到10％以内。

A PECVD coating equipment based on arc electrode structure

The present invention provides a PECVD coating equipment based on arc electrode structure, including a discharge negative electrode, a positive electrode and a gas supply device. The arc structure of the discharge negative electrode is 1/4 cylindrical sheet, and the surface is provided with a plurality of air holes. The negative electrode is located outside the positive electrode, the negative electrode is connected with the gas supply device, the winding substrate material is in the middle of the positive and negative electrode, and is close to the positive electrode, and the positive electrode is followed by the positive electrode to winding at the same linear speed; the gas supply device is a three-stage independent gas distribution system, and the working gas is mixed evenly at the three-stage independent gas distribution system before passing through the arc. The intake port on the negative electrode is fed into the PECVD coating room consisting of the space between the positive and negative electrodes. The invention adopts arc negative electrode to overcome the defect that the PECVD coating equipment is easy to scratch the coating substrate, and adopts three-stage independent air distribution system to reduce the coating inhomogeneity from 15% to 10%.

【技术实现步骤摘要】
一种基于弧形电极结构的PECVD镀膜设备
本专利技术属于真空镀膜设备
，具体涉及一种基于弧形电极结构的PECVD镀膜设备。
技术介绍
PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)制备薄膜方法的优点是能在低温下成膜，有效减少了加温成膜对基底的热损伤，并且有效抑制工作气体与基底材料间的反应，可在非耐热性基底材料上沉积薄膜；反应气体各向同性，因此可在多种复杂及不规则形状的基底表面沉积薄膜；沉积速度快，生产效率高，有利于科研成果的产业化推广。现有的PECVD镀膜设备采用平行平板电极结构，工作气体在两个平板中间放电，反应生成所需成分的固态物质，沉积在基底材料表面，制备功能薄膜材料。平行平板电极结构的PECVD镀膜设备仅能开展小尺寸镀膜和对膜层均匀性要求不高的薄膜研制，而不能长时间卷绕镀膜，这是由于PECVD镀膜设备镀膜过程中平行平板电极会对基底材料造成一定程度的划伤；另外，平行平板镀膜结构的PECVD设备采用一段供气模式，制得薄膜的均匀性较差。由此看来，目前平行平板电极结构的PECVD镀膜设备存在容易划伤基底表面、不能长时间卷绕镀膜、不能大尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于弧形电极结构的PECVD镀膜设备，包括放电负电极、正电极以及供气装置，其特征在于，所述放电负电极为1/4圆柱形薄片的弧形结构，且表面设有多个布气孔；所述正电极采用实心圆柱体结构，正、负电极采用共轴线放置，且负电极位于正电极外；所述负电极连接供气装置，卷绕基底材料处于正负电极中间，紧贴正电极，并跟随正电极以相同线速度卷绕；所述供气装置为三段独立布气系统，工作气体在三段独立布气系统处混合均匀后再通过弧形负电极上的布气孔送入由正、负电极之间的空间构成的PECVD镀膜室内。

【技术特征摘要】
1.一种基于弧形电极结构的PECVD镀膜设备，包括放电负电极、正电极以及供气装置，其特征在于，所述放电负电极为1/4圆柱形薄片的弧形结构，且表面设有多个布气孔；所述正电极采用实心圆柱体结构，正、负电极采用共轴线放置，且负电极位于正电极外；所述负电极连接供气装置，卷绕基底材料处于正负电极中间，紧贴正电极，并跟随正电极以相同线速度卷绕；所述供气装置为三段独立布气系统，工作气体在三段独立布气系统处混合均匀后再通过弧形负电极上的布气孔送入由正、负电极之间的空间构成的PECVD镀膜室内。2.根据权利1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵琳，周晖，何延春，王艺，赵栋才，蒋钊，
申请(专利权)人：兰州空间技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：甘肃,62