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本发明涉及一种原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法，以解决现有技术无法对薄膜厚度和掺杂比例进行精确控制，特别是在控制薄膜厚度的精度达到原子级别并同时实现大面积均匀生长方面存在缺陷的问题。该方法包括以下步骤：1)将基体放入沉积室内；...该专利属于中国科学院西安光学精密机械研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院西安光学精密机械研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法，以解决现有技术无法对薄膜厚度和掺杂比例进行精确控制，特别是在控制薄膜厚度的精度达到原子级别并同时实现大面积均匀生长方面存在缺陷的问题。该方法包括以下步骤：1)将基体放入沉积室内；...