利用磁控溅射法在硅衬底上制备氮化钛超导薄膜的方法技术

本发明专利技术提供了一种利用磁控溅射法在硅衬底上制备氮化钛超导薄膜的方法，包括如下步骤：一、载入硅衬底：在真空条件下将硅衬底载入溅射腔体内；二、对溅射腔体抽取真空：将载入硅衬底后的溅射腔体进一步地抽取真空；三、硅衬底的表面清洁：利用惰性气体对硅衬底的表面进行轰击，以清洁表面；四、溅射操作：在清洁后的硅衬底表面磁控溅射形成TiN超导薄膜。本发明专利技术的有益效果是：所述利用磁控溅射法在硅衬底上制备氮化钛超导薄膜的方法在磁控溅射系统中加入了载入腔体，可快速获得干净的高真空环境，有利于获得高质量的超导氮化钛薄膜。

【技术实现步骤摘要】
利用磁控溅射法在硅衬底上制备氮化钛超导薄膜的方法
本专利技术具体地涉及一种利用磁控溅射法在硅衬底上制备氮化钛超导薄膜的方法。
技术介绍
基于超导薄膜材料的太赫兹超导探测器凭借其高灵敏度等特性已在太赫兹天文领域占据了不可替代的位置。在多种太赫兹超导探测器类型中，超导动态电感探测器(MKIDs)以其结构简单、读出方便、灵敏度高、容易集成大规模阵列等优点，已成为太赫兹波段超高灵敏度宽带连续谱阵列探测器的研究首选之一。同时，也已成为国际上该领域的研究热点，包括美国、欧洲、日本等科学家，都致力于研究超导动态电感探测器(MKIDs)的研制工作。超导动态电感探测器通常有三部分主体构成，一是太赫兹频段的双槽天线，实现太赫兹信号的吸收和耦合；二是每一个单像元，即单独的谐振电路；二是把所有像元串联在一起的读出CPW线。像元与双槽天线之间，通过阻抗匹配直接连接，完成射频信号的吸收和响应；像元与读出线之间，通过一段CPW结构进行耦合连接，实现中频信号的读出。在实际工作中，由天线吸收太赫兹信号后，耦合至谐振电路的一端；进而，谐振电路的超导薄膜吸收太赫兹辐射，导致超导薄膜中的库伯对(cooperpair)被拆散本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用磁控溅射法在硅衬底上制备氮化钛超导薄膜的方法，其特征在于：包括如下步骤：一、载入硅衬底：在真空条件下将硅衬底载入溅射腔体内；二、对溅射腔体抽取真空：将载入硅衬底后的溅射腔体进一步地抽取真空；三、硅衬底的表面清洁：利用惰性气体对硅衬底的表面进行轰击，以清洁表面；四、溅射操作：在清洁后的硅衬底表面磁控溅射形成TiN超导薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种利用磁控溅射法在硅衬底上制备氮化钛超导薄膜的方法，其特征在于：包括如下步骤：一、载入硅衬底：在真空条件下将硅衬底载入溅射腔体内；二、对溅射腔体抽取真空：将载入硅衬底后的溅射腔体进一步地抽取真空；三、硅衬底的表面清洁：利用惰性气体对硅衬底的表面进行轰击，以清洁表面；四、溅射操作：在清洁后的硅衬底表面磁控溅射形成TiN超导薄膜。2.根据权利要求1所述的一种利用磁控溅射法在硅衬底上制备氮化钛超导薄膜的方法，其特征在于，在磁控溅射系统内设置连通溅射腔体的载入腔体，所述载入腔体用于载入衬底，且所述载入腔体的极限真空大于5×10-7Torr；在步骤一中，将待用的硅衬底，放进所述载入腔体，并对所述载入腔体抽真空至不低于10-7Torr量级，达真空度后硅衬底自动载入溅射腔体。3.根据权利要求1所述的一种利用磁控溅射法在硅衬底上制备氮化钛超导薄膜的方法，其特征在于，所述溅射腔体的极...

【专利技术属性】
技术研发人员：李婧，史生才，
申请(专利权)人：中国科学院紫金山天文台，
类型：发明
国别省市：江苏,32