制造背照式图像传感器的方法技术

本公开涉及一种制造背照式图像传感器的方法。所述方法包括：在半导体基底上形成二氧化硅层；在所述半导体基底以及二氧化硅层中形成通孔；在所述通孔的侧壁上形成第一电介质层；在所述二氧化硅层中形成沟槽；以及沉积第一金属材料，从而填充所述沟槽以及所述通孔，其中填充到所述沟槽中的第一金属材料构成遮光件，所述遮光件用于防止背照式图像传感器的相邻像素间的光线串扰，填充到所述通孔中的第一金属材料与所述背照式图像传感器的布线层电连接。

【技术实现步骤摘要】
制造背照式图像传感器的方法
本公开涉及一种制造背照式图像传感器的方法。
技术介绍
随着图像传感器技术的发展，背照式CMOS图像传感器逐渐被广泛采用。同前照式CMOS图像传感器相比，背照式图像传感器中的光电二极管可以接收到更多的光线，使CMOS具有更高灵敏度和信噪比。
技术实现思路
根据本公开的第一方面，提供了一种制造背照式图像传感器的方法。所述方法包括：在半导体基底上形成二氧化硅层；在所述半导体基底以及二氧化硅层中形成通孔；在所述通孔的侧壁上形成第一电介质层；在所述二氧化硅层中形成沟槽；以及沉积第一金属材料，从而填充所述沟槽以及所述通孔，其中填充到所述沟槽中的第一金属材料构成遮光件，所述遮光件用于防止背照式图像传感器的相邻像素间的光线串扰，填充到所述通孔中的第一金属材料与所述背照式图像传感器的布线层电连接。在根据本公开的一些实施例中，所述方法还包括：在所述通孔上形成电极，包括：以所述二氧化硅层为停止层，对所述第一金属材料进行化学机械平坦化；沉积第二金属材料；以及选择性地去除所述第二金属材料，从而形成所述电极。在根据本公开的一些实施例中，所述方法还包括：形成第二电介质层，从而覆盖所述电极以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造背照式图像传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体基底上形成二氧化硅层；在所述半导体基底以及二氧化硅层中形成通孔；在所述通孔的侧壁上形成第一电介质层；在所述二氧化硅层中形成沟槽；以及沉积第一金属材料，从而填充所述沟槽以及所述通孔，其中填充到所述沟槽中的第一金属材料构成遮光件，所述遮光件用于防止背照式图像传感器的相邻像素间的光线串扰，填充到所述通孔中的第一金属材料与所述背照式图像传感器的布线层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种制造背照式图像传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体基底上形成二氧化硅层；在所述半导体基底以及二氧化硅层中形成通孔；在所述通孔的侧壁上形成第一电介质层；在所述二氧化硅层中形成沟槽；以及沉积第一金属材料，从而填充所述沟槽以及所述通孔，其中填充到所述沟槽中的第一金属材料构成遮光件，所述遮光件用于防止背照式图像传感器的相邻像素间的光线串扰，填充到所述通孔中的第一金属材料与所述背照式图像传感器的布线层电连接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述通孔上形成电极，包括：以所述二氧化硅层为停止层，对所述第一金属材料进行化学机械平坦化；沉积第二金属材料；以及选择性地去除所述第二金属材料，从而形成所述电极。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：形成第二电介质层，从而覆盖所述电极以及所述遮光件；以及选择性地去除所述第二电介质层以及所述遮光件之间的二氧化硅层，使得所述电极的至少一部分以...

【专利技术属性】
技术研发人员：高俊九，李志伟，黄仁德，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32