CMOS图像传感器制造技术

技术编号:3612204 阅读:150 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种CMOS图像传感器,其减小在宽频带中的kTC噪声。对应于一个像素的像素电路包括:光电转换元件,用于执行入射光的光电转换;复位晶体管,用于把光电转换元件的阴极复位为初始电压;放大晶体管,用于把在光电转换元件中累积的电荷转换为电压;以及行选择晶体管,选择从行方向上设置的像素区域输出的信号。一个电压控制电路,用于通过控制复位晶体管的栅极的电势,在光电转换元件被复位的时间段中,控制用于由复位晶体管的导通状态电阻和在光电转换元件的阴极所产生的寄生电容所形成的低通滤波器的截止频率。由此,可以控制对于由复位晶体管的导通电阻和在光电转换元件上的阴极产生的寄生电容所形成的低通滤波器的截止频率。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种CMOS图像传感器,用于通过根据X-Y寻址按次序输出在排列为矩阵的每个像素区域中检测的图像信号而获得图像,该传感器包括: 像素电路,每个像素电路包括: 光电转换元件,用于执行入射光的光电转换; 复位晶体管,用于把光电转换元件的阴极复位为初始电压; 放大晶体管,用于把在光电转换元件中累积的电荷转换为电压;以及 行选择晶体管,用于根据选择从行方向上设置的像素区域输出的信号的行选择信号而输出来自放大晶体管的电压输出,作为对应于一个像素的图像信号;以及 电压控制电路,用于通过控制复位晶体管的栅极的电势,在光电转换元件被复位的时间段中,控制用于由复位晶体管的导通状态电阻和在光电转换元件的阴极所产生的寄生电容所形成的低通滤波器的截止频率。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:国分政利土屋主税
申请(专利权)人:富士通株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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