CMOS图像传感器制造技术

本发明专利技术的实施例涉及ＣＭＯＳ图像传感器。详细地，ＣＭＯＳ图像传感器可具有改进的灵敏度。该ＣＭＯＳ图像传感器包括在半导体衬底上的光电二极管，包括连接到光电二极管的栅极、第一接地电极以及连接到电流检测器的第二电极的驱动晶体管，连接在光电二极管和栅极之间以将光电二极管中生成的电压或电荷施加到栅极的转移晶体管，在第二电极和电流检测器之间的可选的选择晶体管，以及连接到电力线的、被配置成复位光电二极管的可选的复位晶体管。因此，该ＣＭＯＳ图像传感器可无实质性衰减地读取光电检测器的输出。

【技术实现步骤摘要】
CMOS图像传感器
技术介绍
一般而言，图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体装置。图 像传感器可被分类成电荷耦合器件(CCD )图像传感器和CMOS图像传感器 在电荷耦合器件(CCD)图像传感器中，各个金属氧化物硅(MOS)电容器 被彼此紧密地放置使得电荷载体被存储在电容器中或从电容器排出；CMOS 图像传感器采用开关模式(switching mode)通过向各像素提供预定数量 的MOS晶体管来顺序检测像素输出，该CMOS图像传感器使用CMOS技术 以及使用如控制电路和信号处理电路的外围装置来制造。将有关对象的信息转换成电信号的CMOS图〗象传感器包括信号处理芯 片，该信号处理芯片在一个芯片上具有光电二极管、放大器、A/D转换器、 内部电压发生器、定时发生器以及数字逻辑。因此，该CMOS图像传感器 在空间、功率以及成本降低方面特别有优势。CCD是通过专门的处理来制 造的。然而，该CM0S图像传感器通it^廉价的硅片上使用CM0S处理可被 大量制造，并且在集成度方面有优势。在CMOS图像传感器中，光通过存储在光电二统管中的电荷被转换成 电信号。当由于黑暗入射光量不足时，减少的电荷量被存储在光电二极管 中，所以输出信号可能不能从噪声中辨别出。
技术实现思路
示例性CM0S图像传感器可包括在半导体衬底上的光电二极管；包括 连接到光电二級管的栅极、第一接地电极以及连接到电流检测器的第二电 极的驱动晶体管；连接在光电二统管和栅极之间的转移晶体管，被配置成 将在光电二极管中生成的电压或电荷施加到栅极；在第二电极和电流检测 器之间的可选的选择晶体管；以及连接到电力线的被配置成复位光电二极 管的可选的复位晶体管。附图说明图1是示出具有四个晶体管的电压检测型CMOS图像传感器的单元像 素的电路图；以及图2是示出根据本专利技术实施例的电$; 测型CMOS图像传感器的单元 像素的等效电路图。图3是CMOS图像传感器的部分电路的示意图。图4是CMOS图像传感器的部分电路的示意图。具体实施方式图1是示出根据实施例的具有四个晶体管的电压检测型CMOS图像传 感器的单元像素的电路图。如图1所示，电压检测型CMOS图像传感器包括光电检测器100、转 移晶体管101、复位晶体管103、驱动晶体管104以及选择晶体管105。 光电检测器100包括从光能(例如，光)生成电荷的光电二极管，且转移 晶体管Tx 101在其^t极接收使能或读信号并且当该使能或读信号有效时， 将在光电检测器100中收集的电荷运送到浮动扩散区FD 102。复位晶体 管103通过在其栅极接收复位信号、设置FD区102的电压到期望的电平 (例如，VDD)以及排出FD区102的电荷来复位FD区102。驱动晶体管 104在其初t极接收FD区102的电压，并因此用作源极跟随器(以及可选 地，緩冲放大器)，且选择晶体管105响应寻址函数(其可在CMOS图像传 感器的其它地方生成和/或执行)输出来自驱动晶体管Dxl04的电压。当要被读取的单元像素的选择晶体管105和转移晶体管101接通时， 电压检测型CMOS图像传感器可读取光电检测器100的电压。在这种状态 下，当复位晶体管103接通时，光电检测器100的电压被初始化。然后， 如^光电检测器100的电压减去该初始化的电压(或从初始化的电压减 去光电检测器100的电压)，作为结果的值变为与上次复位后在光电检测 器100中累积的光量成比例的电压值。这种读取和比较复位前和复位后的 电压的方案可有效消除在图像传感器的单元像素中由装置变化所引起的 不利影响。由于驱动晶体管104用作源极跟随器，该驱动晶体管104的漏极电压 随光电检测器100的输出电压增加而增加(或随光电检测器100的电荷量 的减少而减少)。因为该驱动晶体管104的本体(body)被固定到地GND， 体效应随该驱动晶体管104的源电压增加而增加，所以该驱动晶体管104的门限电压增加。因此，光电检测器IOO中的电压变化，特别是光电检测 器100中的小电压可能不会被直接转移到驱动晶体管104的漏极。本专利技术的实施例可通过将光电检测器的电压转换成电流并输出该电 流来提供具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器。在下文中，将结合附图详细说明根据其它实施例的CMOS图像传感器。图2是示出根据其它实施例的电流检测型CMOS图像传感器的单元像 素的等效电路图。如图2所示，该电流检测型CMOS图像传感器包括光电检测器200、 转移晶体管201、复位晶体管203、驱动晶体管204、以;5Ut择晶体管205。 该光电检测器200包括由光能生成电荷的光电二极管，且转移晶体管201 在其栅极接收信号并将在光电检测器200中收集的电荷转移到FD区202。 复位晶体管203通过在其栅极接收复位信号、设置FD区202的电压到期 望的电平(例如，VDD或地)以及排出FD区202的电荷来复位FD区202。 可替选地，复位晶体管203的与FD区202相对的端子可被耦合到不同的 功率轨(power rail)(例如，VCC)或基准电压，诸如VCC/2 (使驱动晶 体管204处于相对线性响应范围的电压)。驱动晶体管204在其栅极从FD 区202接收信号并用作源极跟随器(以及可选地，緩冲放大器)，且选择 晶体管205响应寻址函数(其可在CMOS图像传感器的其它地方生成和/ 或^C行)输出来自驱动晶体管Dx 204的电压。为了提高CMOS图像传感器的灵敏度，驱动晶体管204的源极接地， 且电流检测器206连接到驱动晶体管204的漏极以测量单元像素的电流输 出，使得当读取光电检测器200的输出电压时可减少、避免或防止体效应。由于CMOS图像传感器具有上述结构，来自单元像素的输出信号以电 流形式，而不是电压的形式发送。因此，与输出信号是电压的形式的情况 相比，该输出信号相对于芯片中的噪声具有强的特性，所以该输出信号可 在放大器中以高比率放大，从而可相对容易地检测存储在光电检测器200 中(甚至在低电平情况下)的光电荷的微小的差别。此外，因为与以电压的形式读取输出信号的情况相比，在电流检测的 情况下，通过加或减预定的值容易实现DC电平调整，所以可容易地实现 模拟电路设计。例如，该电流检测器可以是传统模拟或数字电流检测器(在 后者情况，该检测器还可包括模数转换器[ADC])。在上述驱动晶体管204的情况下，与栅极电压的平方成比例的电流流过在饱和状态的驱动晶体管204，因此在黑暗的状态下(例如，在光电检 测器200的高压状态)可容易读取微小的值。才艮据相关的电压检测型CMOS图像传感器，由于恒定电流在驱动晶体 管204的源极中流动，光电检测器200的电压必须高于该驱动晶体管204 的门限电压以确保电流源(current source)的操作。然而，根据电流检 测型CMOS图像传感器(例如，如图2所示)，由于即使当驱动晶体管204 的4t极电压低于该驱动晶体管204的门限电压时仍然有漏极电流流过，光 电检测器200的输出值可被读取。结果，基本上光电检测器200的所有输 出电压可被读取，并且像素的噪声门限比电压检测型图像传感器小得多。为了将输出值从电流转换成电压，如图3所示，CMOS图像传感器可 包括电流-电压转换器208以及用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括：　　　　在半导体衬底上的光电二极管；　　　　驱动晶体管，包括连接到所述光电二极管的输出的栅极，第一接地电极，以及连接到电流检测器的第二电极；以及　　　　在所述光电二极管和所述栅极之间的转移晶体管，将在所述光电二极管中生成的电压或电荷施加到所述栅极。

【技术特征摘要】
KR 2006-12-27 10-2006-01355841.一种CMOS图像传感器，包括在半导体衬底上的光电二极管；驱动晶体管，包括连接到所述光电二极管的输出的栅极，第一接地电极，以及连接到电流检测器的第二电极；以及在所述光电二极管和所述栅极之间的转移晶体管，将在所述光电二极管中生成的电压或电荷施加到所述栅极。2. 如权利要求1所述的CMOS图像传感器，还包括在所述第二电极和 所述电流检测器之间的选择晶体管。3. 如权利要求1所述的CMOS图像传感器，还包括复位晶体管，其连 接到电力线并被配置成复位所述光电二极管。4. 如权利要求2所述的CMOS图像传感器，还包括复位晶体管，其连 接到电力线并被配置成复位所述光电二极管。5. 如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中所述光电二极管的输 出是浮动扩散区。6. 如权利要求5所述的CMOS图像传感器，还包括复位晶体管，其连 接到功率轨并被配置成复位所述浮动扩散区。7. 如权利要求5所述的CMOS图像传感器，其中所述浮动扩散区也是 在所述转移晶体管的输出与所述栅极之间的节点。8. 如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张炳琸，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]