晶圆级芯片中的焊盘及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆级芯片中的焊盘及其制作方法。所述焊盘包括第一钝化层、第一金属层、第二钝化层、第二金属层。第一钝化层包括凸台和平坦层，所述平坦层位于所述凸台的左右两边。第一金属层，全部覆盖在所述第一钝化层的平坦层表面，所述第一金属层与所述凸台平齐。第二钝化层包括沟道，所述沟道横跨所述凸台以及所述凸台左右两边的部分第一金属层。第二金属层填充在所述第二钝化层的沟道中，所述第二金属层作为所述晶圆级芯片与所述外部器件的连接点。所述第一金属层和所述第二金属层的材料不同。所述晶圆级芯片中的焊盘及其制作方法在针测后焊盘上连接晶圆级芯片内部电路的金属层不会出现金属线裂纹而导致芯片内部电路功能不正常的情况。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级芯片中的焊盘及其制作方法
本专利技术涉及晶圆级芯片
，特别涉及一种晶圆级芯片中的焊盘及其制作方法。
技术介绍
集成电路是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。当前人们把集成电路制作在芯片上，而芯片是从晶圆上切割出来的。晶圆的制造过程就是芯片的制造过程。晶圆制造出来以后，通过芯片上的焊盘与外界器件进行电性连接。焊盘质量的好坏直接影响晶圆上芯片的使用。为了保证封装的芯片性能正常，在晶圆制造出来后首先要进行晶圆测试，晶圆测试就是对晶圆上每个芯片进行针测，在检测头上安装细如毛发的探针，探针与被测芯片上的焊盘接触，测试其电气特性。图1是现有技术的一种晶圆级芯片焊盘结构。现有技术中晶圆级芯片焊盘结构中探针接触点位于铝(Al)上，铝与金属铜(Cu)上下接触，这种结构针测时压力会从铝传导至金属铜，容易导致金属铜在针测后出现金属线裂纹，由于金属铜连接内部电路，所以金属铜裂纹可能导致内部电路断路进而芯片功能异常。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级芯片中的焊盘，所述焊盘是所述晶圆级芯片与外部器件的连接单元，其特征在于，所述焊盘包括：第一钝化层，包括凸台和平坦层，所述平坦层位于所述凸台的左右两边；第一金属层，全部覆盖在所述第一钝化层的平坦层表面，所述第一金属层与所述凸台平齐，所述第一金属层与所述晶圆级芯片的内部电路相连接，形成导电通道；第二钝化层，包括沟道，所述沟道横跨所述凸台以及所述凸台左右两边的部分第一金属层；以及第二金属层，填充在所述第二钝化层的沟道中，所述第二金属层作为所述晶圆级芯片与所述外部器件的连接点，其中，所述第一金属层和所述第二金属层的材料不同。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级芯片中的焊盘，所述焊盘是所述晶圆级芯片与外部器件的连接单元，其特征在于，所述焊盘包括：第一钝化层，包括凸台和平坦层，所述平坦层位于所述凸台的左右两边；第一金属层，全部覆盖在所述第一钝化层的平坦层表面，所述第一金属层与所述凸台平齐，所述第一金属层与所述晶圆级芯片的内部电路相连接，形成导电通道；第二钝化层，包括沟道，所述沟道横跨所述凸台以及所述凸台左右两边的部分第一金属层；以及第二金属层，填充在所述第二钝化层的沟道中，所述第二金属层作为所述晶圆级芯片与所述外部器件的连接点，其中，所述第一金属层和所述第二金属层的材料不同。2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片中的焊盘，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料均为二氧化硅。3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片中的焊盘，其特征在于，所述第一金属层的材料是铜。4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片中的焊盘，其特征在于，所述第二金属层的材料是铝。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：纪莲和，王文赫，张贺丰，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，国网信息通信产业集团有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11