The invention proposes a compact three dimensional memory (3D MC) using JFET. In the storage layer above the substrate, the X address line extends from the storage array to the decoding stage. The JFET transistor is formed on the X address line and becomes a decoding device. In the decoder, the overlap between the X address line and the control line is the semiconductor.
【技术实现步骤摘要】
采用JFET的紧凑型三维存储器及其制造方法
本专利技术涉及集成电路存储器领域，更确切地说，涉及三维存储器（3D-M）。
技术介绍
三维存储器（3D-M）是一种单体（monolithic）半导体存储器，它含有多个相互堆叠的存储元（也被称为存储器件）。3D-M包括三维只读存储器（3D-ROM）和三维随机读取存储器（3D-RAM）。3D-ROM可以进一步划分为三维掩膜编程只读存储器（3D-MPROM）和三维电编程只读存储器（3D-EPROM）。基于其编程机制，3D-M可以含有memristor、resistiverandom-accessmemory（RRAM或ReRAM）、phase-changememory（PCM）、programmablemetallizationmemory（PMM）、或conductive-bridgingrandom-accessmemory（CBRAM）等。美国专利5,835,396披露了一种3D-M（3D-ROM）（图1A）。它含有一半导体衬底0以及位于其上的衬底电路0K。一层平面化的绝缘介质0d覆盖衬底电路0K。在绝缘介质层0d之上形...
【技术保护点】
1.一种制造含有一存储器件(1aa)和一解码器件(3aa)的JFET紧凑型三维存储器（3D‑MC）的方法，其特征在于含有如下步骤：1）形成一重掺杂半导体的底电极(110)以及一存储膜(130)；2）形成一光刻胶(150)，对其在该解码器件(3aa)的位置该形成一孔(165)；3）除掉该孔(165)下方的所述存储膜(130)；4）对该孔(165)下方的底电极(110)进行反向掺杂使其成为低掺杂半导体；5）去掉该光刻胶(150)后，刻蚀所述存储膜(130)和该底电极(110)以形成一x地址线(11a)；6）形成一顶电极/栅极(120/170)，对其刻蚀以形成一y地址线(12a)...
【技术特征摘要】
1.一种制造含有一存储器件(1aa)和一解码器件(3aa)的JFET紧凑型三维存储器（3D-MC）的方法，其特征在于含有如下步骤：1）形成一重掺杂半导体的底电极(110)以及一存储膜(130)；2）形成一光刻胶(150)，对其在该解码器件(3aa)的位置该形成一孔(165)；3）除掉该孔(165)下方的所述存储膜(130)；4）对该孔(165)下方的底电极(110)进行反向掺杂使其成为低掺杂半导体；5）去掉该光刻胶(150)后，刻蚀所述存储膜(130)和该底电极(110)以形成一x地址线(11a)；6）形成一顶电极/栅极(120/170)，对其刻蚀以形成一y地址线(12a)和一控制线(17a)；该存储器件(1aa)形成在该x地址线(11a)和该y地址线(12a)交叉处，该解码器件(3aa)形成在该x地址线(11a)和该控制线(17a)交叉处。2.一种制造含有一存储器件(1aa)和一解码器件(3aa)的JFET紧凑型三维存储器（3D-MC）的方法，其特征在于含有如下步骤：1）形成一含有一低层半导体薄膜(116)和一个高层导体薄膜(112)的底电极(110)以及一存储膜(130)；2）形成一光刻胶(150)，并对其在该解码器件(3aa)的位置该形成一孔(165)；3）除掉该孔(165)下方的所述存储膜(130)；4）除掉该孔(165)下方的所述高层导体薄膜(112)，使该孔(165)下方的底电极(110)只含所述低层半导体薄膜(116)；5）去掉该光刻胶(150)后，刻蚀所述存储膜(130)和该底电极(110)以形成一x地址线(11a)；6）形成一顶电极/栅极(120/170)，对其刻蚀以形成一y地址线(12a)和一控制线(17a)；该存储器件(1aa)形成在该x地址线(11a)和该y地址线(12a)交叉处，该解...
【专利技术属性】
技术研发人员：张国飙，
申请(专利权)人：杭州海存信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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