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采用JFET的紧凑型三维存储器及其制造方法技术
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文档序号:18897720
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本发明提出一种采用JFET的紧凑型三维存储器(3D‑MC)。在高于衬底的存储层中,x地址线从存储阵列延伸到解码级。JFET晶体管形成在x地址线上,并成为一解码器件。在解码器件中,x地址线与控制线的重叠部分是半导体。...
该专利属于杭州海存信息技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州海存信息技术有限公司授权不得商用。
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