用于引线框架的系统技术方案

本实用新型专利技术涉及用于引线框架的系统。本实用新型专利技术要解决的技术问题之一是提供用于控制引线框架上的流体流动的系统。在一些实施方案中，该系统包括：引线框架的第一表面；引线框架的与第一表面相背对的第二表面，所述第二表面已被蚀刻；以及穿过所述引线框架并与第一表面和第二表面重合的一个或多个孔，其中所述一个或多个孔适于控制所述第一表面上的流体流动。利用本实用新型专利技术，实现了用于控制引线框架上的流体流动的系统。

System for lead frame

The utility model relates to a system for a lead frame. One of the technical problems to be solved by the utility model is to provide a system for controlling the fluid flow on the lead frame. In some implementations, the system includes: a first surface of the lead frame; a second surface of the lead frame opposite the first surface, which has been etched; and one or more holes passing through the lead frame and coinciding with the first and second surfaces, wherein the one or more holes are suitable for control The fluid flow on the first surface is made. By using the utility model, a system for controlling fluid flow on the lead frame is realized.

【技术实现步骤摘要】
用于引线框架的系统
本公开涉及用于控制引线框架上的流体流动的系统。
技术介绍
半导体封装包括各种部件，诸如引线框架、管芯和不同类型的接合。通常，这些和其他此类部件使用焊料或类似的粘性物质耦接在一起。控制部件表面上的焊料的流动是重要的，因为某些位置中的焊料不足导致不良的电连接，并且由于在其他位置中存在焊料而导致电短路或其他问题。然而，对焊料流动的此类控制难以实现。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题之一是提供用于控制引线框架上的流体流动的系统。本文所公开的实施方案中的至少一些实施方案涉及一种系统，该系统包括：引线框架的第一表面；引线框架的与第一表面相背对的第二表面，所述第二表面已被蚀刻；以及穿过所述引线框架并与第一表面和第二表面重合的一个或多个孔，其中所述一个或多个孔适于控制所述第一表面上的流体流动。在一个实施方案中，所述流体包括回流焊料。在一个实施方案中，所述第二表面包括半蚀刻区域。在一个实施方案中，该系统还包括在第一表面上的流体，所述流体在第一表面上具有至少部分地被所述一个或多个孔影响的分布。在一个实施方案中，该系统还包括在第一表面上的流体，所述流体部分地填充所述一个或多个孔。在一个实施方案中，该系统还包括在第一表面上的流体，所述流体至少部分地环绕所述一个或多个孔的孔隙。在一个实施方案中，该系统还包括在第一表面上的流体，所述流体跨越所述一个或多个孔的孔隙。在一个实施方案中，该系统还包括在第一表面上的流体，其中所述流体是从包括环氧树脂、聚酰亚胺、有机硅粘合剂、混合有机粘合剂、软焊料和共晶焊料的组中选出的一种。在一个实施方案中，该系统还包括使用焊料耦接到第一表面的管芯，管芯在第一表面上的位置至少部分地被所述一个或多个孔影响。在一个实施方案中，该系统还包括使用焊料将所述引线框架耦接到管芯的夹子，所述夹子具有一个或多个附加孔，夹子相对于管芯的位置至少部分地由所述一个或多个附加孔确定。本技术的有利效果之一是提供用于控制引线框架上的流体流动的系统。附图说明在附图中：图１A是具有多个孔的示例性引线框架的自顶向下视图。图１B是图1A的引线框架的自底向上视图。图1C是图1A的引线框架的侧视图。图2A是图1A所示的引线框架表面的透视图。图2B是图1B所示的引线框架表面的透视图。图3是引线框架的侧视图，该引线框架具有形成于其中的孔以及定位在其上的管芯和管芯附接材料。图4A是引线框架的具有多个孔以及沉积在其上的管芯附接材料的一部分的自顶向下视图。图4B和图4C是图4A所示的引线框架的部分的自顶向下视图，其中管芯附接材料已被回流。图5A是具有多个凹坑的示例性引线框架的自顶向下视图。图5B是图5A的引线框架的自底向上视图。图6A是图5A所示的引线框架表面的透视图。图6B是图5B所示的引线框架表面的透视图。图7是引线框架的侧视图，该引线框架具有形成于其中的凹坑以及定位在其上的管芯和管芯附接材料。图8A和图8C是引线框架的具有凹坑和沉积在其上的管芯附接材料的部分的自顶向下视图。图8B和图8D分别是图8A和图8C所示的引线框架的部分的自顶向下视图，其中管芯附接材料已被回流。图9A-图9E是根据各种实施方案的示例性引线框架管芯附接和夹子接合工艺的透视图。图10是根据各种实施方案的示例性工艺的流程图。应当理解，附图中给定的具体实施方案以及对它们的详细描述并不限制本公开。相反，这些实施方案和详细描述为普通技术人员提供了分辨替代形式、等价形式和修改形式的基础，这些替代形式、等价形式和修改形式与给定实施方案中的一个或多个一起被包含在所附权利要求书的范围内。具体实施方式本文公开的是引线框架，该引线框架具有形成于其中的孔、凹坑或两者以控制管芯附接材料(例如，环氧树脂、聚酰亚胺、有机硅粘合剂或混合有机粘合剂、软焊料或共晶焊料)的流动。通过控制管芯附接材料的流动，减轻了不受约束的管芯附接材料流动的不期望的效果，诸如在一些区域中的电短路和/或其他区域中的不良电连接。图1A是示例性引线框架102的自顶向下视图。引线框架通常由铜或铜基合金构成，并且用于将电子器件，例如集成电路和分立器件(例如，晶体管、二极管)结合到保护性封装中。引线框架使电信号能够在包封在封装内的电子设备与封装之外的电子设备(诸如印刷电路板)之间流动。示于图1A中的引线框架102，以及，更一般地，示于本公开的任何部分中的引线框架并不限制本公开的范围。本文所述的孔和凹坑可形成在任何合适类型的引线框架中，以控制管芯附接材料的流动。仍然参见图1A，引线框架102包括多个孔104。孔104穿过引线框架102的厚度，使得每个孔的孔隙在引线框架102的相背对表面上。孔104可根据材料厚度具有任何合适的直径(例如，在0.1270至0.3048mm的范围内，包括端值在内)以在蚀刻工艺期间实现通孔，并且可以任何合适的数量、布置和间距形成。在至少一些实施方案中，孔104被布置在其中要沉积管芯附接材料(例如，焊料)的区域和要保护以免受管芯附接材料流动影响的区域之间。此外，孔104可形成在引线框架102的任何合适区域中，包括引线、管芯标记等。孔104优选地在引线框架蚀刻工艺期间形成。它们的尺寸、数量和位置由蚀刻工艺期间使用的掩模确定。当管芯附接材料回流时，孔104(和凹坑，其在下文有所描述)将管芯附接材料朝向其自身并且远离要保护以免受回流管芯附接材料影响的区域拉动。在至少一些实施方案中，引线框架102包括至少一个沟槽106。如同孔104，沟槽106的一个目的是控制管芯附接材料的流动。然而，与孔104不同，沟槽106不会完全穿过引线框架102的厚度。当管芯附接材料(诸如焊料)回流时，其接近沟槽106，但是由于其拉伸性能而不进入沟槽106。其对流入沟槽106的抵抗有助于维持耦接到管芯附接材料的管芯或其他部件的期望位置。换句话讲，沟槽106控制管芯附接材料的流动，并且由于管芯附接材料流动被控制，所以防止耦接到管芯附接材料的管芯滑动或移动到不期望的位置。相反，管芯保持处于其适当的位置。图１B是图1A的引线框架102的自底向上视图。引线框架102的该视图示出孔104，因为如上所解释，孔104完全穿过引线框架102。然而，该视图不示出沟槽106，因为如所解释的，沟槽106不会完全穿过引线框架102。在至少一些实施方案中，孔104形成在引线框架102的已被半蚀刻的区域上。如本文所用，术语“半蚀刻”是指导致引线框架102的区域是引线框架的另一非半蚀刻区域(在图１B中示为数字108)的厚度的约一半(即，在25％和75％之间，包括端值在内)的蚀刻程度。与形成在引线框架的已被半蚀刻的区域上的孔104不同，沟槽106形成在引线框架(图１A)的与底部表面的区域相背对的顶部表面的未被半蚀刻的区域(例如，区域108中的一个区域)上，如图所示。如果沟槽106形成在半蚀刻的区域中，则其将在引线框架中产生显著连续的孔隙，从而将损害引线框架的结构完整性。虽然孔104形成在半蚀刻区域中，但是其不会损害引线框架的结构完整性，因为它们相对较小并且彼此分离。图1C是图1A的从数字110的角度来看的引线框架102侧视图。如图所示，已被半蚀刻的区域(标记为数字112)中的引线框架102的厚度是尚未被半刻蚀的区域(标记为数字108)的厚度的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于引线框架的系统，包括：所述引线框架的第一表面；所述引线框架的与所述第一表面相背对的第二表面，所述第二表面已被蚀刻；和穿过所述引线框架并与所述第一表面和所述第二表面重合的一个或多个孔，其中所述一个或多个孔适于控制所述第一表面上的流体流动。

【技术特征摘要】
2016.08.18 US 15/240,4231.一种用于引线框架的系统，包括：所述引线框架的第一表面；所述引线框架的与所述第一表面相背对的第二表面，所述第二表面已被蚀刻；和穿过所述引线框架并与所述第一表面和所述第二表面重合的一个或多个孔，其中所述一个或多个孔适于控制所述第一表面上的流体流动。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述流体包括回流焊料。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二表面包括半蚀刻区域。4.根据权利要求1所述的系统，还包括在所述第一表面上的流体，所述流体在所述第一表面上具有至少部分地被所述一个或多个孔影响的分布。5.根据权利要求1所述的系统，还包括在所述第一表面上的流体，所述流体部分地填充所述一个或多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·圣日尔曼，D·L·柯奈尔，J·A·尤德，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US