The utility model discloses a power transistor lead frame with good air tightness, which comprises a mounting board, a power transistor chip mounting board, a connecting mounting board, a power transistor chip mounting board having through holes, and two ends of the through holes sinking and reaming respectively; and a power transistor chip, which is arranged on the power transistor chip mounting board, and works. The rate transistor chip is located on one side of the through hole; the pin connects the power transistor chip mounting plate, and the pin electrically connects the power transistor chip. The power transistor lead frame with good airtightness of the utility model is provided with I-shaped through holes on the power transistor chip mounting board, which effectively increases the airtightness of the power transistor encapsulated with epoxy plastic sealing material, makes the structure of the power transistor more stable, and at the same time makes the power transistor performance under stress. A substantial increase.
【技术实现步骤摘要】
一种气密性好的功率晶体管引线框架
本技术涉及功率晶体管
,具体地,涉及一种气密性好的功率晶体管引线框架。
技术介绍
功率晶体管是一种控制电流的半导体器件,功率晶体管可以把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。目前,现有的功率晶体管主要采用环氧模塑料封装,但是由于塑封料存在较高的吸湿性,而器件在生产和测试过程中,不可避免的要经过高温和高湿环境,潮气膨胀后会造成内部应力过大,形成分层、金线断裂等后果,而且由于塑封料与Si、Cu等其他材质膨胀系数的差异,也很容易在较大的剪切应力下形成分层,从而导致绝缘体的气密性不足,进而导致水或者酸碱液进入,致使功率晶体管出现电性能失效的现象或存在失效隐患,不安全。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本技术公开一种气密性好的功率晶体管引线框架,其包括:安装板;功率晶体管芯片安装板,其连接安装板,功率晶体管芯片安装板具有通孔,通孔两端分别下沉扩孔;功率晶体管芯片,其设置于功率晶体管芯片安装板,功率晶体管芯片位于通孔的一侧;引脚,其连接功率晶体管芯片安装板,引脚电连接功率晶体管芯片。根据本技术的一实施方式,上述安装板具有安装孔。根据本技术的一实施方式,上述安装孔为凸字形。根据本技术的一实施方式,上述通孔横截面为工字形。根据本技术的一实施方式,上述功率晶体管芯片的型号为MOSFET、SCR、FRD、SBD或BJT。根据本技术的一实施方式,上述引脚包括第一引脚、第二引脚及第三引脚,第一引脚与第三引脚通过连接板连接第二引脚。本技术的有益效果为:本技术的气密性好的功率晶体管引线框架在功率晶体管芯片安装板上设 ...
【技术保护点】
1.一种气密性好的功率晶体管引线框架,其特征在于,包括:安装板(1);功率晶体管芯片安装板(2),其连接所述安装板(1),所述功率晶体管芯片安装板(2)具有通孔(21),所述通孔(21)两端分别下沉扩孔;功率晶体管芯片(3),其设置于所述功率晶体管芯片安装板(2),所述功率晶体管芯片(3)位于所述通孔(21)的一侧;引脚(4),其连接所述功率晶体管芯片安装板(2),所述引脚(4)电连接所述功率晶体管芯片(3)。
【技术特征摘要】
1.一种气密性好的功率晶体管引线框架,其特征在于,包括:安装板(1);功率晶体管芯片安装板(2),其连接所述安装板(1),所述功率晶体管芯片安装板(2)具有通孔(21),所述通孔(21)两端分别下沉扩孔;功率晶体管芯片(3),其设置于所述功率晶体管芯片安装板(2),所述功率晶体管芯片(3)位于所述通孔(21)的一侧;引脚(4),其连接所述功率晶体管芯片安装板(2),所述引脚(4)电连接所述功率晶体管芯片(3)。2.根据权利要求1所述的气密性好的功率晶体管引线框架,其特征在于,所述安装板(1)具有安装孔(11)。3.根据权利要求2所...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄峰荣,杨斌,何秋生,
申请(专利权)人:佛山市合芯半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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