一种使用寿命长的功率晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种使用寿命长的功率晶体管，包括功率晶体管本体，功率晶体管本体的外侧设置有第二防护层，且第二防护层包括聚氯乙烯涂层和氧化铝涂层，第二防护层的外侧设置有第一防护层，且第一防护层包括ATO抗静电涂层和纳米氧化铬涂层。本实用新型专利技术设置了包括ATO抗静电涂层和纳米氧化铬涂层的第一防护层，其中的ATO抗静电涂层可提高本功率晶体管整体的防静电性，纳米氧化铬涂层在ATO抗静电涂层损坏后起到耐磨保护作用，设置了包括聚氯乙烯涂层和氧化铝涂层的第二防护层，其中的聚氯乙烯涂层可提高本功率晶体管整体的耐腐蚀性，氧化铝涂层可提高本功率晶体管整体的防火性，通过以上结构的配合，有效提高了本功率晶体管的使用寿命。体管的使用寿命。体管的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种使用寿命长的功率晶体管


[0001]本技术涉及功率晶体管
，具体为一种使用寿命长的功率晶体管。

技术介绍

[0002]功率晶体管是随着近几年移动通信系统对基站功率放大器和手机功率放大器的性能要求提高逐渐发展起来的新型射频功率器件，具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点，特别适合在集成电路中作功率器件，但现有的功率晶体管其耐磨、防静电等性能较差，从而降低了其使用寿命，为此，我们提出一种使用寿命长的功率晶体管。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种使用寿命长的功率晶体管，具备使用寿命长的优点，解决了现有的功率晶体管其耐磨、防静电等性能较差，从而降低了其使用寿命的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种使用寿命长的功率晶体管，包括功率晶体管本体，所述功率晶体管本体的外侧设置有第二防护层，且第二防护层包括聚氯乙烯涂层和氧化铝涂层，所述第二防护层的外侧设置有第一防护层，且第一防护层包括ATO抗静电涂层和纳米氧化铬涂层。
[0005]优选的，所述氧化铝涂层涂设于功率晶体管本体的外侧，且聚氯乙烯涂层涂设于氧化铝涂层的外侧。
[0006]优选的，所述聚氯乙烯涂层和氧化铝涂层的厚度相同，且聚氯乙烯涂层的厚度为八十到一百五十微米。
[0007]优选的，所述纳米氧化铬涂层涂设于聚氯乙烯涂层的外侧，且ATO抗静电涂层涂设于纳米氧化铬涂层的外侧。
[0008]优选的，所述ATO抗静电涂层和纳米氧化铬涂层的厚度相同，且ATO抗静电涂层的厚度为一百到两百微米。
[0009]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0010]本技术设置了包括ATO抗静电涂层和纳米氧化铬涂层的第一防护层，其中的ATO抗静电涂层可提高本功率晶体管整体的防静电性，纳米氧化铬涂层在ATO抗静电涂层损坏后起到耐磨保护作用，设置了包括聚氯乙烯涂层和氧化铝涂层的第二防护层，其中的聚氯乙烯涂层可提高本功率晶体管整体的耐腐蚀性，氧化铝涂层可提高本功率晶体管整体的防火性，通过以上结构的配合，有效提高了本功率晶体管的使用寿命。
附图说明
[0011]图1为本技术结构示意图；
[0012]图2为本技术第二防护层和第一防护层分布结构示意图；
[0013]图3为本技术第二防护层结构示意图；
[0014]图4为本技术第一防护层结构示意图。
[0015]图中：1功率晶体管本体、2第二防护层、21聚氯乙烯涂层、22氧化铝涂层、3第一防护层、31 ATO抗静电涂层、32纳米氧化铬涂层。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]在申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0018]本申请的功率晶体管本体1、第二防护层2、聚氯乙烯涂层21、氧化铝涂层22、第一防护层3、ATO抗静电涂层31和纳米氧化铬涂层32部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。
[0019]请参阅图1
‑
4，一种使用寿命长的功率晶体管，包括功率晶体管本体1，功率晶体管本体1的外侧设置有第二防护层2，且第二防护层2包括聚氯乙烯涂层21和氧化铝涂层22，聚氯乙烯涂层21可提高本功率晶体管整体的耐腐蚀性，氧化铝涂层22可提高本功率晶体管整体的防火性，氧化铝涂层22涂设于功率晶体管本体1的外侧，且聚氯乙烯涂层21涂设于氧化铝涂层22的外侧，聚氯乙烯涂层21和氧化铝涂层22的厚度相同，且聚氯乙烯涂层21的厚度为八十到一百五十微米，第二防护层2的外侧设置有第一防护层3，且第一防护层3包括ATO抗静电涂层31和纳米氧化铬涂层32，ATO抗静电涂层31可提高本功率晶体管整体的防静电性，纳米氧化铬涂层32在ATO抗静电涂层31损坏后起到耐磨保护作用，纳米氧化铬涂层32涂设于聚氯乙烯涂层21的外侧，且ATO抗静电涂层31涂设于纳米氧化铬涂层32的外侧，ATO抗静电涂层31和纳米氧化铬涂层32的厚度相同，且ATO抗静电涂层31的厚度为一百到两百微米。
[0020]使用时，设置了包括ATO抗静电涂层31和纳米氧化铬涂层32的第一防护层3，其中的ATO抗静电涂层31可提高本功率晶体管整体的防静电性，纳米氧化铬涂层32在ATO抗静电涂层31损坏后起到耐磨保护作用，设置了包括聚氯乙烯涂层21和氧化铝涂层22的第二防护层2，其中的聚氯乙烯涂层21可提高本功率晶体管整体的耐腐蚀性，氧化铝涂层22可提高本功率晶体管整体的防火性，通过以上结构的配合，有效提高了本功率晶体管的使用寿命。
[0021]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使用寿命长的功率晶体管，包括功率晶体管本体（1），其特征在于：所述功率晶体管本体（1）的外侧设置有第二防护层（2），且第二防护层（2）包括聚氯乙烯涂层（21）和氧化铝涂层（22），所述第二防护层（2）的外侧设置有第一防护层（3），且第一防护层（3）包括ATO抗静电涂层（31）和纳米氧化铬涂层（32）。2.根据权利要求1所述的一种使用寿命长的功率晶体管，其特征在于：所述氧化铝涂层（22）涂设于功率晶体管本体（1）的外侧，且聚氯乙烯涂层（21）涂设于氧化铝涂层（22）的外侧。3.根据权利要求1所述的一种使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，黄峰荣，何秋生，
申请(专利权)人：佛山市合芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：