掩膜版制造技术

本实用新型专利技术提供了一种掩膜版。该掩膜版包括掩膜图形区和非掩膜图形区，掩膜图形区用于曝光时固化其下方的光刻胶，非掩膜图形区用于阻挡曝光用的光线，掩膜图形区包括若干主掩膜图形和若干辅助掩膜图形，主掩膜图形在掩膜版中阵列排布，辅助掩膜图形设置在相邻的主掩膜图形之间。采用上述掩模板制备3D显示模组时，一方面有利于缩短制备时间，节省设置辅助框胶的材料成本，另一方面还有利于大大减少第一导电基板(和/或第二导电基板)切割时的形变量，降低崩边崩角的风险，提升良品率，且无需增加额外的材料成本和制备工序。

mask

The utility model provides a mask plate. The mask includes a mask pattern area and a non-mask pattern area, a mask pattern area for solidifying the photoresist beneath it during exposure, a non-mask pattern area for blocking the light used for exposure, a mask pattern area including a number of main mask patterns and a number of auxiliary mask patterns, a main mask pattern arranged in an array in the mask, and an auxiliary mask. The graph is set between adjacent main mask patterns. When the mask is used to fabricate 3D display module, on the one hand, it is advantageous to shorten the preparation time, save the material cost of setting auxiliary frame glue, on the other hand, it is advantageous to greatly reduce the deformation of the first conductive substrate (and/or the second conductive substrate) when cutting, reduce the risk of edge collapse and improve the yield without increasing the amount. External material cost and preparation process.

【技术实现步骤摘要】
掩膜版
本技术涉及液晶显示领域，具体而言，涉及一种掩膜版。
技术介绍
目前的可切换裸眼3D显示模组(以下简称3DCell)的结构主要包括：上导电基板(Spacerglass)、下导电基板(Lensglass)、视景分离器件(Lens)、2D/3D可切换介质(液晶材料，LC)、液晶材料定向膜(PI)、隔垫装置(Spacer)以及边缘封框胶(Seal)。3DCell的主要制备工艺流程如下：1、下导电基板的工艺流程：(1)视景分离单元制程。下导电基板经过视景分离单元制程后，在玻璃基板表面生成视景分离器件。(2)液晶材料定向膜制程。进入液晶材料定向膜制程后，在视景分离器件的表面涂布液晶材料配向膜。(3)印制制程(Rubbing)。进入印制制程后，对上述配向膜表面进行物理配向，以使2D/3D可切换介质液晶材料滴到基板上后，按照统一方向排列。(4)边缘封框胶制程。进入边缘封框胶制程后，涂布边缘封框胶，以使上导电基板与下导电基板粘合，同时防止液晶材料外流。2、上导电基板的工艺流程：(1)液晶材料定向膜制程。在上导电基板的表面涂布液晶材料配向膜。(2)印制制程(Rubbing)。对上述配向膜的表面进行物理配向，以使2D/3D可切换介质液晶材料滴到上述基板上后，按照统一方向排列。(3)隔垫喷涂制程(SpacerSpray)。在上导电基板的表面喷洒隔垫装置。上述两个步骤结束后，上导电基板和下导电基板进入真空贴合制程，形成液晶盒，然后进入切割制程，将成盒后的玻璃基板裁切成多片3DCell。然而上导电基板和下导电基板在成盒后玻璃基板形变量较大，进而造成液晶材料穿刺及切割不良等问题(良品率约为60％)。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种掩膜版，以解决现有方法制备3D显示模组制备时，切割过程中显示面板易出现崩边或崩角等切割不良的问题。为了实现上述目的，根据本技术的提供了一种掩膜版，该掩膜版包括掩膜图形区和非掩膜图形区，掩膜图形区用于曝光时固化其下方的光刻胶，非掩膜图形区用于阻挡曝光用的光线，掩膜图形区包括：若干主掩膜图形，主掩膜图形在掩膜版中阵列排布；若干辅助掩膜图形，设置于相邻的主掩膜图形之间。进一步地，掩膜图形区中沿行方向排布的相邻主掩膜图形之间设置有一个或多个第一辅助掩膜图形。进一步地，主掩膜图形和与其相邻的第一辅助掩膜图形之间的间距为4～6mm。进一步地，掩膜图形区中沿列方向排布的相邻主掩膜图形之间设置有一个或多个第二辅助掩膜图形。进一步地，主掩膜图形和与其相邻的第二辅助掩膜图形之间的间距为4～6mm。进一步地，主掩膜图形形成的阵列周围还设置有若干第三辅助掩膜图形；第三辅助掩膜图形包括沿行方向排列的若干行辅助掩膜图形、以及沿列方向排列的若干列辅助掩膜图形。进一步地，主掩膜图形和与其相邻的行辅助掩膜图形之间的间距为4～6mm，主掩膜图形和与其相邻的列辅助掩膜图形之间的间距为4～6mm。进一步地，相邻的行辅助掩膜图形之间的间距为10～25mm，相邻的列辅助掩膜图形之间的间距为10～25mm。进一步地，掩膜版为制备3D显示模组用的掩膜版。进一步地，3D显示模组包括第一导电基板和第二导电基板，第一导电基板和第二导电基板相对设置，且第一导电基板和第二导电基板的间距为30～100μm。应用本技术的技术方案，该掩膜版包括掩膜图形区和非掩膜图形区，掩膜图形区用于曝光时固化其下方的光刻胶，非掩膜图形区用于阻挡曝光用的光线，掩膜图形区包括：多个主掩膜图形和多个辅助掩膜图形，主掩膜图形在掩膜版中阵列排布，相邻的主掩膜图形之间设置有辅助掩膜图形。采用上述掩模板制备3D显示模组时，一方面有利于缩短制备时间，节省设置辅助框胶的材料成本，另一方面还有利于大大减少第一导电基板(和/或第二导电基板)切割时的形变量，降低显示面板崩边崩角的风险，提升良品率，且无需增加额外的材料成本和制备工序。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1示出了本技术的一种典型的实施方式提供的掩模板的结构示意图；图2示出了本技术的一种优选的实施方式提供的掩模板的结构示意图。其中，上述附图包括以下附图标记：10、掩膜图形区；11、主掩膜图形；12、辅助掩膜图形；121、第一辅助掩膜图形；122、第二辅助掩膜图形；123、第三辅助掩膜图形；1231、行辅助掩膜图形；1232、列辅助掩膜图形；20、非掩膜图形区。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合实施例来详细说明本技术。正如
技术介绍
所描述的，采用现有方法制备3D显示模组时，切割过程中显示面板易出现崩边或崩角等切割不良的问题。为了解决上述技术问题，本申请提供了一种掩膜版，如图1所示，该掩膜版包括掩膜图形区10和非掩膜图形区20，掩膜图形区10用于曝光时固化其下方的光刻胶，非掩膜图形区20用于阻挡曝光用的光线，掩膜图形区10包括：若干主掩膜图形11和若干辅助掩膜图形12，主掩膜图形11在掩膜版中阵列排布，辅助掩膜图形12设置在相邻的主掩膜图形11之间。在上述掩膜版中新增了辅助掩膜图形12，当第一导电基板上涂布的紫外光固化胶(UV胶)进入曝光制程时后，主掩膜图形11和辅助掩膜图形12均进行了聚合反应，以使UV胶固化。在显影制程后，主掩膜图形11和辅助掩膜图形12对应的紫外光固化胶均被保留在上述第一导电基板上。当第一导电基板进入密封框胶制程时，密封框胶涂布设备只需涂布产品需求的主掩膜图形11对应的区域部分即可，辅助掩膜图形12对应的区域无需涂布，这不仅有利于大大提升该制程的生产节拍(缩短工艺时间)，同时还有利于节约辅助框胶的材料成本。此外，当主掩膜图形11与第二导电基板进行成盒后，辅助掩膜图形12能够很好地起到辅助支撑作用，从而能够大大减少第一导电基板(和/或第二导电基板)切割时的形变量，降低显示面板崩边崩角的风险，提升良品率。同时由于视景分离单元制程中UV胶水是整面涂布，因而采用本申请提供的掩模板制备3D显示模组时，不会导致额外的材料成本，也无需新增额外的工序。综上所述，采用上述掩模板制备3D显示模组时，一方面有利于缩短制备时间，节省设置辅助框胶的材料成本，另一方面还有利于大大减少第一导电基板(和/或第二导电基板)切割时的形变量，降低显示面板崩边崩角的风险，提升良品率，且无需增加额外的材料成本和制备工序。采用本申请提供的掩模板制备3D显示模组时，能够有效地降低显示面板崩边崩角的风险。主掩膜图形11的排布方式可以采用本领域常规的排布方式。主掩膜图形11具有首尾连接的第一边和第二边(图1中水平方向的便为第一边，与之连接的为第二边)，将第一边的延伸方向记为第一方向，将第二边的延伸方向记为第二方向，沿第一方向排布的主掩膜图形11之间形成行保留区。在一种优选的实施例中，如图1所示，掩膜图形区10中沿行方向排布的相邻主掩膜图形11之间设置有一个或多个第一辅助掩膜图形121。在一种优选的实施例中，主掩膜图形11和与其相邻的第一辅助掩膜图形121之间的间距为4～6mm。主掩膜图形11和与其相邻的第一辅助掩膜图形121本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版，所述掩膜版包括掩膜图形区(10)和非掩膜图形区(20)，所述掩膜图形区(10)用于曝光时固化其下方的光刻胶，所述非掩膜图形区(20)用于阻挡曝光用的光线，其特征在于，所述掩膜图形区(10)包括：若干主掩膜图形(11)，所述主掩膜图形(11)在所述掩膜版中阵列排布；若干辅助掩膜图形(12)，设置于相邻的所述主掩膜图形(11)之间。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，所述掩膜版包括掩膜图形区(10)和非掩膜图形区(20)，所述掩膜图形区(10)用于曝光时固化其下方的光刻胶，所述非掩膜图形区(20)用于阻挡曝光用的光线，其特征在于，所述掩膜图形区(10)包括：若干主掩膜图形(11)，所述主掩膜图形(11)在所述掩膜版中阵列排布；若干辅助掩膜图形(12)，设置于相邻的所述主掩膜图形(11)之间。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜图形区(10)中沿行方向排布的相邻主掩膜图形(11)之间设置有一个或多个第一辅助掩膜图形(121)。3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述主掩膜图形(11)和与其相邻的所述第一辅助掩膜图形(121)之间的间距为4～6mm。4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜图形区(10)中沿列方向排布的相邻主掩膜图形(11)之间设置有一个或多个第二辅助掩膜图形(122)。5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述主掩膜图形(11)和与其相邻的所述第二辅助掩膜图形(122)之间的间距为4～6mm。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：石晶晶，褚福川，
申请(专利权)人：张家港康得新光电材料有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32