半导体发光元件制造技术

本发明专利技术涉及半导体发光元件，其包括，多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，且包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；第一电极部，其与第一半导体层电气连通；第二电极部，其与第二半导体层电气地连通；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，并且通过蚀刻而减小高度差的露出面构成开口的上缘边，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极、电连接器及上部电极。

Semiconductor light-emitting device

The invention relates to a semiconductor light emitting element, comprising a plurality of semiconductor layers, which are successively grown on a growing substrate and include: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and an active layer, which is between the first semiconductor layer and the first conductivity. Light is generated between the two semiconductor layers and by a combination of electrons and holes; the first electrode is electrically connected to the first semiconductor layer; the second electrode is electrically connected to the second semiconductor layer; and the non-conductive reflective film is formed in a plurality of ways by reflecting light generated from the active layer to the growth substrate side. The upper edge of the opening is formed on the semiconductor layer, and an exposed surface with an opening is formed, and the height difference is reduced by etching. At least one of the first electrode part and the second electrode part comprises a lower electrode, an electrical connector and an upper electrode.

【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件本申请是申请日为2014年10月13日，申请号为201480056016.2，专利技术名称为“半导体发光元件”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术(Disclosure)整体涉及半导体发光元件，特别是，涉及具备减少电接触的电阻并提高电接触的可靠性的电极结构的半导体发光元件。在此，半导体发光元件表示通过电子与空穴的复合而生成光的半导体光元件，可例举III族氮化物半导体发光元件。III族氮化物半导体由以Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N(0<x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)构成的化合物构成。此外，还可例举用于发出红色光的GaAs类半导体发光元件等。
技术介绍
在此，提供关于本专利技术的
技术介绍
，但它并不一定表示公知技术(Thissectionprovidesbackgroundinformationrelatedtothepresentdisclosurewhichisnotnecessarilypriorart)。图1是表示美国授权专利公报第7,262,436号公开的半导体发光元件的一例的图。半导体发光元件包括：衬底(100)；在衬底(100本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，该多个半导体层包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；第一电极部，其与第一半导体层电气连通；第二电极部，其与第二半导体层电气地连通；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，并且通过蚀刻而减小高度差的露出面构成开口的上缘边，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极，其通过开口而露出至少一部分；电连接器，其形成于开口而与下...

【技术特征摘要】
2013.10.11 KR 10-2013-0121306;2013.12.23 KR 10-2011.一种半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，该多个半导体层包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；第一电极部，其与第一半导体层电气连通；第二电极部，其与第二半导体层电气地连通；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，并且通过蚀刻而减小高度差的露出面构成开口的上缘边，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极，其通过开口而露出至少一部分；电连接器，其形成于开口而与下部电极接触；及上部电极，其形成在非导电性反射膜上而与电连接器电气连通。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，下部电极具备：欧姆接触焊盘，其通过开口而露出至少一部分；及分支电极，其从欧姆接触焊盘延长而成，上部电极被构图为覆盖电连接器而不覆盖欧姆接触焊盘中与分支电极连接的部分及分支电极。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，下部电极具备凸台状的欧姆接触焊盘，上部电极完全覆盖凸台状的欧姆接触焊盘。4.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，下部电极包括分支电极，第一电极部的上部电极和第二电极部的上部电极在非导电性反射膜上被分开，第一电极部的上部电极被构图为覆盖第一电极部的凸台状欧姆接触焊盘而不覆盖第二电极部的分支电极，第二电极部的上部电极被构图为覆盖第二电极部的凸台状欧姆接触焊盘而不覆盖第一电极部的分支电极。5.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，开口的上缘边中的分支电极侧部分相对于上缘边中的欧姆接触焊盘侧，向上侧突起。6.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，在上部电极的边缘形成有槽，该槽用于露出欧姆接触焊盘中与分支电极连接的部分。7.根据权利要求2所述的半导体发光元件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：全水根，晋根模，
申请(专利权)人：世迈克琉明有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR