半导体器件制造技术

一实施方式的半导体器件具有搭载于布线基板的第一半导体部件和第二半导体部件。上述第一半导体部件具有在与外部之间传输第一信号的第一端子以及在与上述第二半导体部件之间传输第二信号的第二端子。另外，上述第二半导体部件具有在与上述第一半导体部件之间传输上述第二信号的第三端子。另外，上述第一信号以比上述第二信号更高的频率来传输。另外，上述第一半导体部件的上述第二端子与上述第二半导体部件的上述第三端子经由上述第一布线构件电连接。另外，上述第一半导体部件的上述第一端子不经由上述第一布线构件而是经由第一凸块电极与上述布线基板电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件
本专利技术涉及半导体器件，例如，涉及应用于经由布线构件将半导体芯片等多个半导体部件相互电连接而成的半导体器件的有效的技术。
技术介绍
在日本特开2014-99591号公报(专利文献1)和日本特开2014-179613号公报(专利文献2)中记载了两个半导体芯片经由被称为桥接块或者电桥的构件而电连接的结构。另外，在日本特开2003-345480号公报(专利文献3)中记载了两个半导体芯片经由布线基板而电连接的结构。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-99591号公报专利文献2：日本特开2014-179613号公报专利文献3：日本特开2003-345480号公报
技术实现思路
有一种经由中介层等布线构件将布线基板上搭载的多个半导体部件相互电连接以在半导体部件间进行信号传输的技术。但是，在使利用上述技术的半导体器件的性能提高的方面存在改善的余地。本专利技术的其他课题和新的特征根据本说明书的说明和附图变明朗。一实施方式的半导体器件具有搭载于布线基板的第一半导体部件和第二半导体部件。上述第一半导体部件具有在与外部之间传输第一信号的第一端子以及在与上述第二半导体部件之间传输第二信号的第二端子。另外，上述第二半导体部件具有在与上述第一半导体部件之间传输上述第二信号的第三端子。另外，上述第一信号以比上述第二信号更高的频率来传输。另外，上述第一半导体部件的上述第二端子与上述第二半导体部件的上述第三端子经由上述第一布线构件电连接。另外，上述第一半导体部件的上述第一端子不经由上述第一布线构件而是经由第一凸块电极与上述布线基板电连接。专利技术的效果根据上述一实施方式，能够提高半导体器件的性能。附图说明图1是示意地示出作为一实施方式的半导体器件的结构例的说明图。图2是图1所示的半导体器件的俯视图。图3是图2所示的半导体器件的仰视图。图4是沿着图2的A-A线的剖视图。图5是示出图4所示的半导体部件与中介层的连接部分的周围的放大剖视图。图6是示出图4所示的多个半导体部件中的、并非图5所示的半导体部件的半导体部件与中介层的连接部分的周围的放大剖视图。图7是示出图4所示的布线基板所具有的多个布线层中的一层的布线布局的例子的放大平面图。图8是示出图2所示的多个半导体部件各自的主面侧的端子排列的例子的平面图。图9是示出图4～图6所示的中介层的上表面侧的例子的平面图。图10是图5和图6所示的将半导体部件与中介层电连接的凸块电极的放大剖视图。图11是图5和图6所示的将半导体部件与布线基板电连接的凸块电极的放大剖视图。图12是示意地示出作为相对于图1的变形例的半导体器件的结构例的说明图。图13是示意地示出作为相对于图1的其他变形例的半导体器件的结构例的说明图。图14是放大示出图13所示的与存储器封装连接的中介层的周围的说明图。图15是放大示出图1所示的中介层的周围的说明图。图16是放大示出作为相对于图15的变形例的中介层的周围的说明图。图17是示出作为相对于图5的变形例的半导体器件的半导体部件与中介层的连接部分的周围的放大剖视图。图18是示出作为相对于图5的其他变形例的半导体器件的半导体部件与中介层的连接部分的周围的放大剖视图。图19是示出作为相对于图5的其他变形例的半导体器件的半导体部件与中介层的连接部分的周围的放大剖视图。图20是示意地示出作为相对于图1的其他变形例的半导体器件的结构例的说明图。图21是示意地示出作为相对于图1的其他变形例的半导体器件的结构例的说明图。图22是示意地示出作为相对于图1的其他变形例的半导体器件的结构例的说明图。图23是示意地示出作为相对于图22的变形例的半导体器件的结构例的说明图。图24是示意地示出作为相对于图4的变形例的半导体器件的结构例的说明图。图25是示出相对于图11所示的将半导体部件与布线基板电连接的凸块电极的变形例的放大剖视图。图26是示出相对于图11所示的将半导体部件与布线基板电连接的凸块电极的其他变形例的放大剖视图。图27是示出相对于图14所示的存储器封装的变形例的说明图。图28是示意地示出作为相对于图1的讨论例的半导体器件的构成的说明图。具体实施方式(本申请中的记载形式、基本用语、用法的说明)在本申请中，实施方式的记载根据需要，为了方便理解而分成多段等进行记载，但是除了特别地明确表示不是这样的意思的情况以外，这些段并不是相互独立分开的，不考虑记载的前后顺序，单一例子的各部分、一者是对另一者的一部分详细说明或者是另一者的一部分或者全部的变形例等。另外，原则上，对同样的部分省略重复的说明。另外，实施方式中的各构成要素除了特别地明确表示并非如此的情况以及从逻辑上限定为该数字的情况和根据上下文意可明确并非如此的情况以外，都并非必须的。同样地，在实施方式等的记载中，针对材料、组成等，即使说“由A构成的X”等，除了特别地明确表示不是这样的意思的情况以及根据上下文意可明确不是这样的情况以外，并不排除包含除A以外的要素的情况。例如，针对成分，表示“含有A为主要成分的X”等的意思。例如，即使说“硅构件”等，也不限定为纯硅，当然也包括了SiGe(硅锗)合金或者其他的以硅为主要成分的多元合金、含有其他的添加物等的构件。另外，即使说镀金、Cu层、镀镍等，除了明确表示不是这样的意思的情况以外，不仅是纯的镀金、Cu层、镀镍，也包括分别以金、Cu、镍等为主要成分的构件。进一步地，在提及特定的数值、数量时，也是除了特别地明确表示不是这样的意思的情况以及从逻辑上限定为该数字的情况和根据上下文意可明确不是这样的情况以外，可以是超过该特定的数值的数值，也可以是少于该特定的数值的数值。另外，在实施方式的各图中，相同或者同样的部分用相同或者类似的记号或者附图标记来表示，并在原则上不重复说明。另外，在附图中，在会使图变复杂的情况或者与空隙的区别很明确的情况下，即使是截面有时也会省略阴影线等。与此相关联地，在根据说明等可明确的情况下，即使是在平面上封闭的孔，有时也会省略背景的轮廓线。进一步地，即使不是截面，为了明确表示不是空隙或者为了明确表示区域的边界，有时也会添加阴影线或点图案。另外，在本申请中，将在由例如硅(Si)等半导体材料构成的半导体基板上形成了集成电路之后通过分割成多个单片而得到的半导体部件称为半导体芯片。另外，将具有上述半导体芯片、搭载有上述半导体芯片的基材(例如，布线基板或引线框架)以及与上述半导体芯片电连接的多个外部端子的半导体部件称为半导体封装。另外，有时将半导体芯片和半导体封装称为半导体部件或者半导体器件。半导体部件或者半导体器件是半导体芯片和半导体封装的统称。另外，在半导体部件或者半导体器件中包括在布线基板等基材上搭载有多个半导体部件的产品。例如，在以下的实施方式中，将在布线基板搭载有多个半导体部件的产品称为半导体器件。因此，在以下的实施方式中，半导体部件是指半导体芯片或者半导体封装。<针对搭载有多个半导体部件的半导体器件>在谋求半导体器件性能的提高的配合中，例如，包括数据处理速度的提高、数据处理功能的多样化或者通信速度的提高等的配合。另外，对于半导体器件要求小型化，因此，当谋求性能提高时，需要抑制伴随着性能提高的装置大型化。此处，例如在使一个半导体芯片内置有多个功能的情本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：第一半导体部件；第二半导体部件；布线基板，其分别搭载有所述第一半导体部件和所述第二半导体部件；和第一布线构件，其具有将所述第一半导体部件与所述第二半导体部件电连接的多个布线路径，所述第一半导体部件具有第一主面，所述第一主面配置有在与外部之间传输第一信号的第一端子和在与所述第二半导体部件之间传输第二信号的第二端子，所述第二半导体部件具有第二主面，所述第二主面配置有在与所述第一半导体部件之间传输所述第二信号的第三端子，所述第一信号以比所述第二信号高的频率传输，所述第一半导体部件的所述第一端子不经由所述第一布线构件而是经由第一凸块电极与所述布线基板电连接，所述第一半导体部件的所述第二端子与所述第二半导体部件的所述第三端子经由所述第一布线构件电连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，其特征在于，具有：第一半导体部件；第二半导体部件；布线基板，其分别搭载有所述第一半导体部件和所述第二半导体部件；和第一布线构件，其具有将所述第一半导体部件与所述第二半导体部件电连接的多个布线路径，所述第一半导体部件具有第一主面，所述第一主面配置有在与外部之间传输第一信号的第一端子和在与所述第二半导体部件之间传输第二信号的第二端子，所述第二半导体部件具有第二主面，所述第二主面配置有在与所述第一半导体部件之间传输所述第二信号的第三端子，所述第一信号以比所述第二信号高的频率传输，所述第一半导体部件的所述第一端子不经由所述第一布线构件而是经由第一凸块电极与所述布线基板电连接，所述第一半导体部件的所述第二端子与所述第二半导体部件的所述第三端子经由所述第一布线构件电连接。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体部件的所述第二端子与所述第二半导体部件的所述第三端子之间的间隔距离小于所述第一半导体部件的所述第一端子与所述第二半导体部件的所述第三端子之间的间隔距离。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二端子经由第二凸块电极与所述第一布线构件电连接，所述第三端子经由第三凸块电极与所述第一布线构件电连接。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一半导体部件的所述第一主面配置有能够供给接地电位的第四端子和第五端子，所述第四端子不经由所述第一布线构件而是经由第四凸块电极与所述布线基板电连接，所述第五端子经由第五凸块电极与所述第一布线构件电连接。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体部件的所述第二端子与所述第二半导体部件的所述第三端子之间的间隔距离小于所述第一半导体部件的所述第二端子与所述第三端子之间的间隔距离。6.如权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川和之，寺岛克司，土屋惠太，佐藤嘉昭，内田浩享，萱岛祐治，仮屋崎修一，马场伸治，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP