半导体器件制造技术

提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；第一结构和第二结构，在衬底上在第一方向上彼此间隔开，第一结构包括第一下电极，并且第二结构包括第二下电极；第一支撑物图案，设置在衬底上以支撑第一结构和第二结构，并包括第一区域和第二区域，第一区域暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分，第二区域覆盖所述侧壁的其余部分；以及第二支撑图案，设置在第一支撑图案上以支撑第一结构和第二结构，第二支撑物图案包括第三区域和第四区域，第三区域配置为暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分，第四区域覆盖所述侧壁的其余部分。

semiconductor device

A semiconductor device is provided. The semiconductor device comprises a substrate, a first structure and a second structure, which are spaced apart in the first direction on a substrate, the first structure includes a first lower electrode, and the second structure includes a second lower electrode; the first support pattern is set on the substrate to support the first structure and the second structure, and includes the first region and the first region. The first region exposes the part of the side wall of the first structure and the second structure, the second area covers the rest of the side wall, and the second support pattern, which is set on the first support pattern to support the first structure and the second structure, the second support pattern includes the third region and the fourth region, and the third region is matched. The second area is exposed to the side wall of the first structure and the fourth structure, and the remaining part of the side wall is covered by the fourth area.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
与示范性实施方式一致的方法和装置涉及一种半导体器件。
技术介绍
近来，由于存储器产品的集成根据半导体工艺技术的进步而加速，其单位单元面积已经显著减小，并且其操作电压已经降低。例如，根据半导体器件的增大的集成度，半导体器件诸如动态随机存取存储器(DRAM)必须在减小由半导体器件占据的面积的同时保持或增大需要的电容。随着所要求的电容增大，圆柱形下电极的高宽比变得非常大。因此，出现了在电介质沉积之前圆柱形下电极倒塌或破裂的问题。
技术实现思路
本专利技术构思的示范性实施方式提供一种半导体器件，其能够通过允许顶部支撑物图案的开口区域(openregion)的尺寸大于中间支撑物图案的开口区域的尺寸而有效地支撑下电极。根据一示范性实施方式的一方面，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；第一结构和第二结构，在衬底上在第一方向上彼此间隔开，第一结构包括第一下电极并且第二结构包括第二下电极；第一支撑物图案，设置在衬底上以支撑第一结构和第二结构，并包括第一区域和第二区域，该第一区域暴露第一结构的第一侧壁和第二结构的第二侧壁的第一部分，该第二区域覆盖第一侧壁和第二侧壁的第二部分；以及第二支撑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：衬底；第一结构和第二结构，在所述衬底上在第一方向上彼此间隔开，所述第一结构包括第一下电极并且所述第二结构包括第二下电极；第一支撑物图案，设置在所述衬底上以支撑所述第一结构和所述第二结构，并包括第一区域和第二区域，所述第一区域暴露所述第一结构的第一侧壁和所述第二结构的第二侧壁的第一部分，所述第二区域覆盖所述第一侧壁和所述第二侧壁的第二部分；以及第二支撑物图案，设置在所述第一支撑物图案上以支撑所述第一结构和所述第二结构，所述第二支撑物图案包括第三区域和第四区域，所述第三区域配置为暴露所述第一侧壁和所述第二侧壁的第三部分，所述第四区域覆盖所述第一侧壁和所述第二侧壁的第四部分...

【技术特征摘要】
2017.01.24 KR 10-2017-00109411.一种半导体器件，包括：衬底；第一结构和第二结构，在所述衬底上在第一方向上彼此间隔开，所述第一结构包括第一下电极并且所述第二结构包括第二下电极；第一支撑物图案，设置在所述衬底上以支撑所述第一结构和所述第二结构，并包括第一区域和第二区域，所述第一区域暴露所述第一结构的第一侧壁和所述第二结构的第二侧壁的第一部分，所述第二区域覆盖所述第一侧壁和所述第二侧壁的第二部分；以及第二支撑物图案，设置在所述第一支撑物图案上以支撑所述第一结构和所述第二结构，所述第二支撑物图案包括第三区域和第四区域，所述第三区域配置为暴露所述第一侧壁和所述第二侧壁的第三部分，所述第四区域覆盖所述第一侧壁和所述第二侧壁的第四部分，其中所述第一支撑物图案的所述第一区域的第一宽度小于所述第二支撑物图案的所述第三区域的第二宽度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一结构与所述第二结构之间的暴露于所述第一区域的第一距离不同于所述第一结构与所述第二结构之间的暴露于所述第三区域的第二距离。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一距离大于所述第二距离。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一结构与所述第二结构之间的暴露于所述第一区域的第一距离等于所述第一结构与所述第二结构之间的暴露于所述第三区域的第二距离。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一支撑物图案和所述第二支撑物图案包含彼此不同的材料。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一支撑物图案包含SiCN，并且所述第二支撑物图案包含SiN。7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第三结构，在所述第一方向上与所述第二结构间隔开；以及第四结构、第五结构和第六结构，在与所述第一方向具有锐角的第二方向上分别与所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构间隔开，其中所述第一结构、所述第二结构、所述第三结构、所述第四结构、所述第五结构和所述第六结构的侧壁的第五部分由所述第一支撑物图案的所述第一区域和所述第二支撑物图案的所述第三区域暴露，并且其中所述第一结构、所述第二结构、所述第三结构、所述第四结构、所述第五结构和所述第六结构的侧壁的第六部分由所述第一支撑物图案的所述第二区域和所述第二支撑物图案的所述第四区域覆盖。8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第三结构，在所述第一方向上与所述第二结构间隔开；以及第四结构、第五结构和第六结构，在垂直于所述第一方向的第三方向上分别与所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构间隔开，其中所述第一结构、所述第二结构、所述第三结构、所述第四结构、所述第五结构和所述第六结构的侧壁的第五部分由所述第一支撑物图案的所述第一区域和所述第二支撑物图案的所述第三区域暴露，并且其中所述第一结构、所述第二结构、所述第三结构、所述第四结构、所述第五结构和所述第六结构的侧壁的第六部分由所述第一支撑物图案的所述第二区域和所述第二支撑物图案的所述第四区域覆盖。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一结构和所述第二结构中的每个具有圆筒形和柱形当中的一种。10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一电容器电介质膜，设置在所述第一下电极上；第二电容器电介质膜，设置在所述第二下电极上；第一上电极，设置在所述第一电容器电介质膜上；以及第二上电极，设置在所述第二电容器电介质膜上。11....

【专利技术属性】
技术研发人员：金艺兰，李垣哲，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR