The present invention provides a pre cleaning method for wafer bonding, including the first cleaning of the chamfered corner of the wafer from the back of the wafer after the completion of the front process of the wafer and the wafer bonding, and the protection gas is applied to the front of the wafer to protect the front of the wafer. The first cleaning solution is a mixture of any or more of hydrofluoric acid, nitric acid and sulfuric acid and deionized water. The invention provides a pre cleaning method for wafer bonding before and before the completion of the wafer before and before bonding, using the pre cleaning method to clean the residual films and chemicals at the chamfered corner of the wafer, which can improve the void defect rate of the wafer bond, and optimize the selective process parameters for different defect sources. It improves the cavity defect rate of wafer bonding and improves the performance of products.
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆键合前的预清洗方法
本专利技术涉及集成电路领域,更具体地,涉及一种晶圆键合前的预清洗方法。
技术介绍
在集成电路工艺中,三维集成是一种在保持现有技术节点的同时提高芯片性能的解决方案。通过将两个或多个功能相同或不同的芯片进行三维集成可提高芯片的性能,同时也可以大幅度缩短功能芯片之间的金属互联,减小发热、功耗和延迟。在三维集成工艺中,晶圆与晶圆的键合工艺是核心重点,其中晶圆键合空洞缺陷率是衡量晶圆键合工艺的核心参数。三维集成工艺中的晶圆键合空洞缺陷率是影响产品整体缺陷率的重要因素;以背照式CMOS影像传感器为例,晶圆键合空洞缺陷会持续在后续制程中产生颗粒缺陷,影响产品光学性能,只有改善了键合缺陷才可以有效提高产品性能。因此,急需一种改善键合缺陷可以有效提高产品性能的方法。
技术实现思路
本专利技术提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的晶圆键合前的预清洗方法。根据本专利技术的一个方面,提供一种晶圆键合前的预清洗方法,包括:在晶圆的前制程完成后、晶圆键合前,从所述晶圆的背面对所述晶圆的倒角处进行第一次清洗,同时在所述晶圆的正面施加保护气体,以使保护所述晶圆的正面不受清洗的影响。进一步,对所述晶圆的倒角处进行第一次清洗时,采用第一清洗液进行清洗,所述第一清洗液为氢氟酸、硝酸和硫酸中的任意一种或多种与去离子水形成的混合溶液。具体的,对所述晶圆的倒角处进行第一次清洗时,清洗的时长为第一预设时长,所述第一预设时长的范围为1-240s。具体的,对所述晶圆的倒角处进行第一次清洗时,所述第一清洗液的转速范围为100-800rpm。具体的,对所述晶圆的倒角处进行第一 ...
【技术保护点】
1.一种晶圆键合前的预清洗方法,其特征在于,包括:在晶圆的前制程完成后、晶圆键合前,从所述晶圆的背面对所述晶圆的倒角处进行第一次清洗,同时在所述晶圆的正面施加保护气体。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合前的预清洗方法,其特征在于,包括:在晶圆的前制程完成后、晶圆键合前,从所述晶圆的背面对所述晶圆的倒角处进行第一次清洗,同时在所述晶圆的正面施加保护气体。2.根据权利要求1所述的预清洗方法,其特征在于,对所述晶圆的倒角处进行第一次清洗时,采用第一清洗液进行清洗,所述第一清洗液为氢氟酸、硝酸和硫酸中的任意一种或多种与去离子水形成的混合溶液。3.根据权利要求2所述的预清洗方法,其特征在于,对所述晶圆的倒角处进行第一次清洗时,清洗的时长为第一预设时长,所述第一预设时长的范围为1-240s。4.根据权利要求3所述的预清洗方法,其特征在于,对所述晶圆的倒角处进行第一次清洗时,所述第一清洗液的转速范围为100-800rpm。5.根据权利要求4所述的预清洗方法,其特征在于,对所述晶圆的倒角处进行第一次清洗时,所述保护气体为氮气N2或氩气Ar,所述保护气体的气体流量范围为100-500sccm。6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:邹文,胡胜,潘震,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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