半导体封装体及导线框架条制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体封装体及导线框架条。根据本实用新型专利技术一实施例的导线框架条，其包括承载片、散热片以及若干管脚。其中，该承载片具有第一厚度，且具有设置于第一表面上的承载区与设置于第二表面上的散热区，第一表面与第二表面相对；该散热片具有第二厚度，且与该承载片的第一侧连接；若干管脚具有第三厚度，且自承载片的第二侧向外延伸，第一侧与第二侧相对。此外，散热区与若干管脚不直接接触，且第一厚度大于第二厚度以及第三厚度。本实用新型专利技术提供的半导体封装体及导线框架条具有厚度较管脚厚的承载片，可以有效地将高功率芯片产生的热量传导到外界，提高了半导体封装体的散热性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装体及导线框架条
本技术涉及半导体
，特别涉及半导体封装体及导线框架条。
技术介绍
消费者期望移动电话、数码相机、笔记本电脑等可携式电子产品在厚度和重量上可以做到轻薄而又不影响其处理效率和功能，因此，电子产品的制造企业需要进一步减小最终产品的尺寸。在制造过程中，使用更小尺寸的半导体封装体可以达到这一目的。然而，如果在单一半导体封装体内集成多个不同功能的芯片，芯片运行时产生的热量容易使半导体封装体内的温度过高，对内部组件有一定的损害，影响了产品的稳定性且缩短了半导体封装体的使用寿命。因此，为保证半导体封装体的质量和使用周期，如何更好地为半导体封装体散热成为业界亟需解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的之一在于提供一半导体封装体及导线框架条，其可解决半导体封装体的散热问题。本技术的一实施例提供一种导线框架条，该导线框架条包括承载片、散热片以及若干管脚。其中，该承载片具有第一厚度，且具有设置于第一表面上的承载区与设置于第二表面上的散热区，第一表面与第二表面相对；该散热片具有第二厚度，且与该承载片的第一侧连接；若干管脚具有第三厚度，且自承载片的第二侧向外延伸，第一侧与第二侧相对。此外，散热区与若干管脚不直接接触，且第一厚度大于第二厚度以及第三厚度。根据本技术的另一实施例，该承载片的第一表面上围绕该承载区的区域上还设置有方形凹槽、环形凹槽、环形鸠尾槽以及竖向凹槽。第一厚度是第三厚度的2.5倍。第一厚度为50密耳，第三厚度为20密耳。承载片由铜组成。本技术的一实施例还提供一种半导体封装体，该半导体封装体包括承载片、散热片、若干管脚、待封装电路以及绝缘壳体。其中，该承载片具有第一厚度，且具有设置于第一表面上的承载区与设置于第二表面上的散热区，第一表面与第二表面相对。该散热片具有第二厚度，且与该承载片的第一侧连接。若干管脚具有第三厚度，且自承载片的第二侧向外延伸，第一侧与第二侧相对。该待封装电路固定在承载区上，且经配置以与若干管脚电连接。该绝缘壳体经配置以遮蔽承载片以及待封装电路。此外，散热区与若干管脚不直接接触，且第一厚度大于第二厚度以及第三厚度。根据本技术的另一实施例，该承载片的第一表面上围绕该承载区的区域上还设置有方形凹槽、环形凹槽、环形鸠尾槽以及竖向凹槽。第一厚度是第三厚度的2.5倍。该待封装电路通过黏胶固定于该承载片，该黏胶为锡与银的混合物。承载片可由铜组成。本技术提供的半导体封装体及导线框架条具有厚度较管脚厚的承载片，可以有效地将高功率芯片产生的热量传导到外界，提高了半导体封装体的散热性能。附图说明图1所示是根据本技术一实施例的导线框架条的示意图；图2所示是根据本技术一实施例的导线框架条的区域I的示意图；图3所示是根据本技术一实施例的导线框架条的区域II的示意图；图4所示是根据本技术一实施例的导线框架条的区域III的示意图；图5所示是根据本技术一实施例的半导体封装体的示意图。具体实施方式为更好的理解本技术的精神，以下结合本技术的部分优选实施例对其作进一步说明。图1是根据本技术一个实施例的导线框架条10的示意图。该导线框架条10上可经配置以承载相应的待封装电路14及其它相应元件，经一系列封装工艺处理后得到连接在一起的半导体封装体20(请参照图5)。如图1所示，根据本技术一实施例的导线框架条10包括：承载片11、散热片12以及若干管脚13。其中，承载片11是具有第一厚度d1的铜片，其第一表面111上设置有承载区113，经配置承载相应的待封装电路14。而承载片11的与第一表面111相对的第二表面112上则设置有散热区(图1中未示出)，便于后续散发半导体封装体内部产生的热量。承载片11还具有相对的两个侧边，即，第一侧115与第二侧116。散热片12具有第二厚度d2，且经设置以与承载片11的第一侧115连接。若干引脚13具有第三厚度d3，且自承载片11的第二侧116侧向外延伸。待封装电路14可在封装过程中经配置以通过焊线15与若干管脚13电连接。此外，承载片11的散热区与若干管脚13不直接接触，并且第一厚度d1大于第二厚度d2以及第三厚度d3。根据材料导热系数的定义：材料导热系数是指在稳定传热条件下，1m厚的材料，两侧表面的温差为1度(K，℃)，在1秒内(1s)，通过1平方米面积传递的热量，单位为瓦/米·度(W/(m·K)，此处为K可用℃代替)，本实施例中通过采用厚度，即第一厚度d1较管脚13等其它部位厚的铜质承载片11，不仅可以提高导线框架条10的强度，避免后续封装操作中产生的形变，还可以提高所得到的半导体封装体的散热性能，满足高功率芯片的散热需求。此外，具有第二厚度d2的散热片12也对承载片11的散热起到了促进作用。根据本技术的一实施例，承载片11的第一厚度d1可以是若干管脚13的第三厚度d3的2.5倍，例如，承载片11的第一厚度d1为50密耳，若干管脚13的第三厚度d3为20密耳。在根据本技术的其它实施例中，承载片11的第一厚度d1可以是比管脚13的第三厚度d3大的其它数值，并不局限于上述举例。如图2-4所示，本实施例提供的导线框架条10还具有一些功能性凹槽，例如，在承载片11的第一表面111上围绕承载区113的区域I、区域II以及区域III上分别设置有方形凹槽201、环形凹槽202、环形鸠尾槽203以及竖向凹槽204。图2-4分别展示了本技术一实施例的导线框架条的区域I、区域II以及区域III的示意图。具体地，图2中的区域I主要包括方形凹槽201，该方形凹槽201呈阵列方式设置在待封装电路14附近。图3中的区域II主要包括环形凹槽202和环形鸠尾槽203。图4中的区域III主要包括竖向凹槽204，其设置在承载区113的两侧。上述的功能性凹槽主要用于在后续的封装过程中增强承载片11与绝缘壳体201(参见图5)之间结合的可靠性。图5所示是根据本技术一实施例的半导体封装体20的示意图，该半导体封装体20可使用图1所示实施例中的导线框架条10制得。该半导体封装体20包括承载片11、散热片12、若干管脚13、待封装电路14以及绝缘壳体201。由于绝缘壳体201的遮蔽，图5未能对承载片11以及待封装电路14做出标识。待封装电路14与承载片11的承载区113之间使用黏胶固定，该黏胶可以是锡与银的混合物，通过该黏胶可以将待封装电路14产生的热量传导至承载片11的散热区。待封装电路14可以是晶体管、整流器或其它可在高电压条件下工作的半导体元件。绝缘壳体201可包括酚醛基树脂(Novolac-basedresin)、环氧基树脂(epoxy-basedresin)、硅基树脂(silicone-basedresin)或其他适当的包覆剂。绝缘壳体201亦可包括适当的填充剂，例如是粉状的二氧化硅。此外，本技术的实施例还提供了半导体封装体20的制造方法，其包括以下步骤：提供导线框架条10，该导线框架条10可以是根据本技术实施例的导线框架条10。使用黏胶将待封装电路14设于承载片11的承载区113上。以焊线15连接待封装电路14与若干管脚13从而实现两者间的电连接配置。接着可形成遮蔽待封装电路14与承载片11的绝缘壳体20本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导线框架条，其包括：承载片，其具有第一厚度，且具有设置于第一表面上的承载区与设置于第二表面上的散热区，所述第一表面与所述第二表面相对；散热片，其具有第二厚度，且与所述承载片的第一侧连接；若干管脚，其具有第三厚度，且自所述承载片的第二侧向外延伸，所述第一侧与所述第二侧相对，其特征在于：所述散热区与所述若干管脚不直接接触，且所述第一厚度大于所述第二厚度以及所述第三厚度。

【技术特征摘要】
1.一种导线框架条，其包括：承载片，其具有第一厚度，且具有设置于第一表面上的承载区与设置于第二表面上的散热区，所述第一表面与所述第二表面相对；散热片，其具有第二厚度，且与所述承载片的第一侧连接；若干管脚，其具有第三厚度，且自所述承载片的第二侧向外延伸，所述第一侧与所述第二侧相对，其特征在于：所述散热区与所述若干管脚不直接接触，且所述第一厚度大于所述第二厚度以及所述第三厚度。2.根据权利要求1所述的导线框架条，其特征在于，所述承载片的所述第一表面上围绕所述承载区的区域上还设置有方形凹槽、环形凹槽、环形鸠尾槽以及竖向凹槽。3.根据权利要求1所述的导线框架条，其特征在于，所述第一厚度是所述第三厚度的2.5倍。4.根据权利要求3所述的导线框架条，其特征在于，所述第一厚度为50密耳，所述第三厚度为20密耳。5.根据权利要求1所述的导线框架条，其特征在于，所述承载片由铜组成。6.一种半导体封装体，所述半导体封装体包括：承载片，其具有第一厚度，且具有设置于第...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖弘昌，田亚南，陈晓林，刘振东，
申请(专利权)人：日月光半导体威海有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37