一种半导体存储器件的校准方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种半导体存储器件的校准方法，包括如下步骤：提供第一控制码；电阻单元根据第一控制码控制电阻值；获取阻抗端点的第一电压；将第一电压分别与第一参考电压和第二参考电压进行比较，进行一级判断步骤，包括判断第一电压是否在目标一级电压区间的范围内，一级电压区间是第一参考电压和第二参考电压将接地到电源电压之间划分为三份形成的，目标一级电压区间是电阻单元的阻值为目标值时阻抗端点的电压所在的一级电压区间；当第一电压不在目标一级电压区间的范围内，则提供第二控制码以获取阻抗端点的第二电压，使第二电压在目标一级电压区间范围内，第二控制码不同于第一控制码。本发明专利技术实施例的校准方法校准比较快。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体存储器件的校准方法
本专利技术涉及半导体存储
，尤其涉及一种半导体存储器件的校准电路。
技术介绍
在高速数据传输过程中如DRAM和CPU之间的数据传输，为了保持信号的完整性，阻抗匹配变得越来越重要，因此需要高精度的输出端口；其中，DRAM是DynamicRandomAccessMemory的简称，中文名称为动态随机存取存储器，CPU是CentralProcessingUnit的简称，中文名称为中央处理器。然而，输出端口的输出阻抗会随着制造工艺，应用环境如电压，温度等因素变化而变化。因此，DRAM需要采用具有高精度且阻抗可调节功能的输出端口，通常这个调整阻抗的过程叫做ZQ校准(ZQcalibration)，对应的电路是ZQ校准电路。目前的ZQ校准大多采用逐渐逼近的方式进行校准，所需的校准时间过长。因此，如何缩短阻抗校准的校准时间，是本领域技术人员急需要解决的技术问题。在
技术介绍
中公开的上述信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例希望提供一种半导体存储器件的校准方法，以至少解决现有技术中存在的技术问题。本专利技术实施例提供了一种半导体存储器件的校准方法，包括如下步骤：提供半导体存储器件，所述半导体存储器件包括电阻单元和参考电阻，两者在阻抗端点串联组成串联支路，所述串联支路的一端接地，另一端连接电源；向所述电阻单元提供第一控制码；所述电阻单元根据所述第一控制码控制所述电阻单元的电阻值；获取所述阻抗端点的第一电压；将所述第一电压分别与第一参考电压和第二参考电压进行比较，得到比较结果，其中，所述第一参考电压低于所述第二参考电压；根据所述比较结果，进行一级判断步骤，包括判断所述第一电压是否在目标一级电压区间的范围内，其中，所述一级电压区间是接地到电源电压之间被所述第一参考电压和所述第二参考电压划分为三份形成的电压区间，所述目标一级电压区间是以所述电阻单元的阻值为目标值时所述阻抗端点的电压所在的一级电压区间；以及当所述第一电压不在所述目标一级电压区间的范围内，则执行一级一类提供控制码的步骤，包括提供第二控制码以获取所述阻抗端点的第二电压，使所述第二电压在所述目标一级电压区间范围内，其中，所述第二控制码不同于所述第一控制码。作为一种可选的方式，当所述第一电压在所述目标一级电压区间的范围内，则执行一级二类提供控制码的步骤，包括向所述电阻单元提供等于所述第一控制码的第二控制码以获取所述阻抗端点的第二电压。作为一种可选的方式，还包括以下步骤：进行二级判断步骤，包括判断所述第二电压是否在目标二级电压区间的范围内；当第二电压不在所述目标二级电压区间内，则执行二级一类提供控制码的步骤，包括向所述电阻单元提供第三控制码以获取所述第三电压，使所述第三电压在所述目标二级电压区间范围内，其中，所述第三控制码不同于所述第一控制码和所述第二控制码；当第二电压在目标二级电压区间内，则执行二级二类提供控制码的步骤，包括向所述电阻单元提供等于所述第二控制码的第三控制码以获取所述阻抗端点的第三电压；进行三级判断步骤，包括判断所述第三电压是否在目标三级电压区间的范围内；如此循环，直至向所述电阻单元提供第m+1控制码，其中，m＝[log32n]，n是所述电阻单元中并联支路的总数且n是正整数。本专利技术实施例的半导体存储器件的校准方法，通过提供第二控制码，即可实现第二电压(第二控制码对应的电压)位于目标一级电压区间内，有利于加快校准，减少校准时间。与
技术介绍
中的逐渐逼近的方式相比，减少了校准时间。上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本专利技术进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。附图说明在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本专利技术公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本专利技术范围的限制。图1为使用本专利技术实施例的半导体存储器件的检测方法的半导体存储器件的示意图；图2为本专利技术实施例的半导体存储器件的检测方法中控制码根据控制码对应的电压从低到高进行三等分的示意图；图3为本专利技术实施例的半导体存储器件的检测方法中将V期望MIN到V期望MAX之间从低到高进行三等分的示意图；图4为本专利技术实施例的半导体存储器件的检测方法的流程图；图5为使用本专利技术实施例的半导体存储器件的检测方法的半导体存储器件的电阻单元示意图。附图标记说明：100电阻单元，110主路MOS晶体管，120支路MOS晶体管，200参考电阻，300阻抗端点，400参考电压提供单元，410参考电压提供单元的第一输出端，420参考电压提供单元的第二输出端，430参考电压存储单元，510第一比较器，511-1第一比较器的同相输入端，511-2第一比较器的反相输入端，512第一比较器的输出端，520第二比较器，521-1第二比较器的同相输入端，521-2第二比较器的反相输入端，522第二比较器的输出端，600控制码产生单元，611控制码产生单元的第一输入端，612控制码产生单元的第二输入端，620控制码存储单元。具体实施方式在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器件的校准方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体存储器件，所述半导体存储器件包括电阻单元和参考电阻，两者在阻抗端点串联组成串联支路，所述串联支路的一端接地，另一端连接电源；向所述电阻单元提供第一控制码；所述电阻单元根据所述第一控制码控制所述电阻单元的电阻值；获取所述阻抗端点的第一电压；将所述第一电压分别与第一参考电压和第二参考电压进行比较，得到比较结果，其中，所述第一参考电压低于所述第二参考电压；根据所述比较结果，进行一级判断步骤，包括判断所述第一电压是否在目标一级电压区间的范围内，其中，所述一级电压区间是接地到电源电压之间被所述第一参考电压和所述第二参考电压划分为三份形成的电压区间，所述目标一级电压区间是以所述电阻单元的阻值为目标值时所述阻抗端点的电压所在的一级电压区间；以及当所述第一电压不在所述目标一级电压区间的范围内，则执行一级一类提供控制码的步骤，包括提供第二控制码以获取所述阻抗端点的第二电压，使所述第二电压在所述目标一级电压区间范围内，其中，所述第二控制码不同于所述第一控制码。

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件的校准方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体存储器件，所述半导体存储器件包括电阻单元和参考电阻，两者在阻抗端点串联组成串联支路，所述串联支路的一端接地，另一端连接电源；向所述电阻单元提供第一控制码；所述电阻单元根据所述第一控制码控制所述电阻单元的电阻值；获取所述阻抗端点的第一电压；将所述第一电压分别与第一参考电压和第二参考电压进行比较，得到比较结果，其中，所述第一参考电压低于所述第二参考电压；根据所述比较结果，进行一级判断步骤，包括判断所述第一电压是否在目标一级电压区间的范围内，其中，所述一级电压区间是接地到电源电压之间被所述第一参考电压和所述第二参考电压划分为三份形成的电压区间，所述目标一级电压区间是以所述电阻单元的阻值为目标值时所述阻抗端点的电压所在的一级电压区间；以及当所述第一电压不在所述目标一级电压区间的范围内，则执行一级一类提供控制码的步骤，包括提供第二控制码以获取所述阻抗端点的第二电压，使所述第二电压在所述目标一级电压区间范围内，其中，所述第二控制码不同于所述第一控制码。2.根据权利要求1所述的校准方法，其特征在于，当所述第一电压在所述目标一级电压区间的范围内，则执行一级二类提供控制码的步骤，包括向所述电阻单元提供等于所述第一控制码的第二控制码以获取所述阻抗端点的第二电压。3.根据权利要求2所述的校准方法，其特征在于，还包括以下步骤：进行二级判断步骤，包括判断所述第二电压是否在目标二级电压区间的范围内；当第二电压不在所述目标二级电压区间内，则执行二级一类提供控制码的步骤，包括向所述电阻单元提供第三控制码以获取所述第三电压，使所述第三电压在所述目标二级电压区间范围内，其中，所述第三控制码不同于所述第一控制码和所述第二控制码；当第二电压在目标二级电压区间内，则执行二级二类提供控制码的步骤，包括向所述电阻单元提供等于所述第二控制码的第三控制码以获取所述阻抗端点的第三电压；进行三级判断步骤，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34