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本发明实施例公开了一种半导体存储器件的校准方法，包括如下步骤：提供第一控制码；电阻单元根据第一控制码控制电阻值；获取阻抗端点的第一电压；将第一电压分别与第一参考电压和第二参考电压进行比较，进行一级判断步骤，包括判断第一电压是否在目标一级电压...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。

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