单晶硅直径控制法及其设备制造技术

单晶硅直径的一种控制方法，在单晶硅边相对于坩埚转动边受提拉的单晶硅制造过程中，将光学装置测出的提拉单晶的直径测定值与要求直径值进行比较，以确定偏差，再对提出的偏差进行不完全微分ＰＩＤ处理或史密斯法处理，以计算提拉速度，再将提拉速度加到晶体提拉设备的电动机控制器上，从而通过控制提拉速度控制提拉单晶的参数。为完成上述单晶硅直径的一种控制方法的设备，包括输入装置、不完全微分ＰＩＤ计算装置和输出装置。（*该技术在2011年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶硅直径的一种控制法和控制设备，更具体地说，涉及单晶硅直径的这样一种控制法和控制设备，即在提拉单晶硅时，单晶硅在边相对于坩埚旋转边连续形成的过程中控制经提拉的单晶的直径。参看附图2这一示意图，图中示出了应用周知的制造象硅之类的半导体单晶的切克劳斯基法以制造单晶的设备。应该注意的是，切克劳斯基法广泛称为CZ法，通常也叫做晶体提拉法。图中，在制造单晶硅的过程中，坩埚2中装有由加热器4加热的熔融硅3，借助于图中未示出的旋转机构使单晶硅1以相反于坩埚2的转向转动的同时逐步由提拉设备7提拉上来，于是晶体就在熔融硅3与单晶硅1之间的界面区中生长。单晶硅1是通过晶体生长由籽晶1a生长出来的，籽晶1a则由连接到提拉设备7的籽晶夹具6加以固定。在下面的讨论中，我们把生长过程中的单晶硅叫做提拉单晶。此外提拉设备7包括单晶硅1的垂直运动机构和单晶硅1的旋转机构，由电动机控制器8、提拉电动机9等组成。因此，这种设备是众所周知的，故这里不再详细说明其结构。除上述旋转机构外，坩埚2还由提升机构(图中未示出)支撑着，而且由该提升机构而计得即使在晶体生长时液面也保持恒定而不致下降，而且使液面附本文档来自技高网...

【技术保护点】
单晶硅直径的一种控制方法，用以按晶体提拉速度控制相对于坩埚转动的提拉单晶的直径，其特征在于，它包括下列步骤：将光学装置所测出的所述提拉单晶的直径测定值与要求的直径值进行比较，以确定偏盖；对所述偏盖进行不完全微分ＰＩＤ处理，以计算单晶 的提拉速度；然后将所述单晶提拉速度作为指令加到提拉装置上，将所述提拉单晶的直径控制在所要求的直径上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：川岛章洁，佐藤晨夫，大川登志男，
申请(专利权)人：日本钢管株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]