具有单元结构的半导体器件及其布局方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括有源区和结构。有源区在衬底上形成为预定形状并且相对于具有基本平行于对应正交的第一和第二方向的第一和第二轨迹的格栅来布置；有源区被组织为具有第一导电性的第一行和具有第二导电性的第二行的实例。第一行和第二行的每一个实例都包括对应的第一预定数量和第二预定数量的第一轨迹。结构具有至少两个连续的行，包括第一行的至少一个实例和第二行的至少一个实例。在第一方向上，第一行的实例具有第一宽度，并且第二行的实例具有与第一宽度基本不同的第二宽度。本发明专利技术的实施例还提供了一种生成半导体器件布局的方法。

【技术实现步骤摘要】
具有单元结构的半导体器件及其布局方法
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及具有单元结构的半导体器件及其布局方法。
技术介绍
集成电路(IC)中包括的一个或多个半导体器件包括多个电子器件。一种用于表示半导体器件的方式是利用称为布局图(以下称为布局)的平面图。布局是分层次的，并且被分解为执行如半导体器件的设计规范所指示的更高级功能的各模块。对于给定的SCD项目，定制单元被设计为具有专门用于给定SCD项目的布置，以便提供(在操作中)专门用于SCD项目的更高级的逻辑功能。相比之下，在没有考虑特定项目的情况下设计标准单元库，并且包括提供(在操作中)常见的更低级逻辑功能的标准单元。就在布局内的占用面积而言(从平面图的角度来看)，定制单元比标准单元更大(通常大得多)。此外，对于给定的库，所有标准单元都具有大小相同的至少一个尺寸(通常，大小为专用库固定尺寸的倍数)，以便有助于将标准单元放置到布局中。通常，固定尺寸的方向平行于垂直方向或Y轴，使得固定尺寸被称为标准单元的高度。因此，标准单元被描述为相对于给定的SCD项目而预定义。定制单元可以具有或可以不具有与标准单元的对应尺寸大小相同的至少一个尺寸。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：鳍，形成在衬底上并且布置为基本平行于第一方向；所述鳍被组织为第一行的实例和第二行的实例；所述第一行的每一个实例都包括具有第一导电类型的第一预定数量的鳍；和所述第二行的每一个实例都包括具有第二导电类型的第二预定数量的鳍；栅极结构，形成在所述鳍中对应的鳍上方并且布置为基本平行于第二方向，所述第二方向基本垂直于所述第一方向；以及具有奇数个连续的行的第一结构，包括：所述第一行的偶数个实例；和所述第二行的奇数个实例。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：有源区，在衬底上形成为预定形状并且相对于具有第一轨迹和第二轨迹的栅格来布置，其中，所述第一轨迹和所述第二轨迹基本平行于对应的第一方向和第二方向，所述第一方向和所述第二方向正交；所述有源区被组织为具有第一导电性的第一行的实例和具有第二导电性的第二行的实例；所述第一行的每一个实例和所述第二行的每一个实例都包括对应的第一预定数量和第二预定数量的第一轨迹；以及具有至少两个连续的行的结构，包括：所述第一行的至少一个实例；和所述第二行的至少一个实例；其中：所述结构中的所述第一行的至少一个实例中的每一个都在所述第一方向上具有第一宽度；和所述结构中的所述第二行的至少一个实例中的每一个都在所述第一方向上具有第二宽度，所述第二宽度基本不同于所述第一宽度。根据本专利技术的又一个方面，提供了一种生成布局的方法，所述布局存储在非暂态计算机可读介质上，所述方法包括：生成有源区图案，包括：将所述有源区图案配置为预定形状；相对于具有基本平行于对应的第一方向和第二方向的第一轨迹和第二轨迹的栅格来布置所述有源区图案，其中，所述第一方向和所述第二方向正交；将所述有源区图案配置为第一行的具有第一导电性的实例和第二行的具有第二导电性的实例；并且配置所述第一行的每一个实例和所述第二行的每一个实例以包括预定数量的所述第一轨迹；以及将单元结构限定为具有包含至少两个连续的行的布局布线(PR)边界，所述至少两个连续的行包括：所述第一行的至少一个实例；和所述第二行的至少一个实例；将所述第一行的至少一个实例在所述第一方向上的宽度设定为与所述第二行的至少一个实例基本不同。附图说明在附图中通过示例(而不是限制)的方式示出了一个或多个实施例，其中，在通篇描述中，具有相同参考标号的元件表示类似的元件。除非另有披露，否则不按比例绘制附图。图1A和图1B是根据一些实施例的对应统一宽度1.5x单元结构的框图。图1C和图1D是根据一些实施例的与图1A和图1B的统一宽度1.5x单元结构对应的布局图图2A和图2B是根据一些实施例的使用图1A和图1B的对应统一宽度1.5x单元结构实施的电路图。图3A和图3B是根据一些实施例的对应附加统一宽度1.5x单元结构的框图。图4A和图4B是根据一些实施例的对应统一宽度2.0x单元结构的框图。图5A和图5B是根据一些实施例的对应统一宽度2.5x单元结构的框图。图6A和图6B是根据一些实施例的对应附加非统一宽度1.0x单元结构的框图。图7A和图7B是根据一些实施例的对应非统一宽度1.5x单元结构的框图。图8A和图8B是根据一些实施例的对应非统一宽度1.5x单元结构的框图。图9是根据一些实施例的生成布局的方法的流程图。图10是根据一些实施例的生成布局的另一方法的流程图。图11是根据本专利技术的至少一个实施例的半导体器件的框图。图12是根据一些实施例的电子设计自动化(EDA)系统的框图。图13是根据一些实施例的集成电路(IC)制造系统及其相关联的IC制造流程的框图。图14是根据一些实施例的图13所示的掩模室的更详细的框图。图15示出了根据一些实施例的制造CMOSFinFET器件的方法流程图。图16示出了根据一些实施例的CMOSFinFET器件的示意横截面侧视图。具体实施方式以下公开内容提供了许多不同实施例或示例，用于实现所提供主题的不同特征。下文描述组件、材料、值、步骤、操作、材料、布置等的具体示例以简化本专利技术。当然这些仅是示例并不旨在限定。考虑其他组件、值、操作、材料、布置等。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个示例中可以重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空间关系术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间关系术语旨在包括器件在使用或操作过程中的不同方位。装置可以以其他方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可以同样地作相应地解释。如在本文中使用的短语，诸如“基本平行”、“基本相同”、“基本两倍于”、“基本共线”等，副词“基本”应当理解为扩展“基本”作为一部分的短语，使得短语表示包括在由制造工艺容差引起的变化内的范围，如，短语“基本平行”包括不仅本身平行，还包括由制造工艺容差引起的与平行的差异。类似地，短语“基本不同”应当理解为描述比由制造工艺容差引起的稍微变化至少在规模上更大的不同。在一些实施例中，术语“标准单元结构”是指包括在各种标准单元结构的库中的标准化建立的块。在一些实施例中，从其库中选择各种标准单元结构，并且用作表示电路的布局图中的组件。在一些实施例中，用于指代单元结构的术语“偶数西格玛”(偶数Σ)指示单元结构中的连续的行的总数为偶数。在一些实施例中，用于指代单元结构的术语“奇数西格玛”(奇数Σ)指示单元结构中的连续的行的总数为奇数。在一些实施例中，偶数Σ指示单元结构中的总行数(连续或不连续)为偶数。在一些实施例中，奇数Σ指示单元结构中的总行数(连续的或不连续)为奇数。用于指代单元结构的术语“统一宽度”指示单元结构的宽度沿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：鳍，形成在衬底上并且布置为基本平行于第一方向；所述鳍被组织为第一行的实例和第二行的实例；所述第一行的每一个实例都包括具有第一导电类型的第一预定数量的鳍；和所述第二行的每一个实例都包括具有第二导电类型的第二预定数量的鳍；栅极结构，形成在所述鳍中对应的鳍上方并且布置为基本平行于第二方向，所述第二方向基本垂直于所述第一方向；以及具有奇数个连续的行的第一结构，包括：所述第一行的偶数个实例；和所述第二行的奇数个实例。

【技术特征摘要】
2016.11.29 US 62/427,802;2017.10.12 US 15/782,2321.一种半导体器件，包括：鳍，形成在衬底上并且布置为基本平行于第一方向；所述鳍被组织为第一行的实例和第二行的实例；所述第一行的每一个实例都包括具有第一导电类型的第一预定数量的鳍；和所述第二行的每一个实例都包括具有第二导电类型的第二预定数量的鳍；栅极结构，形成在所述鳍中对应的鳍上方并且布置为基本平行于第二方向，所述第二方向基本垂直于所述第一方向；以及具有奇数个连续的行的第一结构，包括：所述第一行的偶数个实例；和所述第二行的奇数个实例。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述结构中的所述第一行的偶数个实例中的每一个都在所述第一方向上具有第一宽度；以及所述结构中的所述第二行的至少一个实例中的每一个都在所述第一方向上具有第二宽度，所述第二宽度基本不同于所述第一宽度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：每一行在所述第一方向上的尺寸都基本相同。4.一种半导体器件，包括：有源区，在衬底上形成为预定形状并且相对于具有第一轨迹和第二轨迹的栅格来布置，其中，所述第一轨迹和所述第二轨迹基本平行于对应的第一方向和第二方向，所述第一方向和所述第二方向正交；所述有源区被组织为具有第一导电性的第一行的实例和具有第二导电性的第二行的实例；所述第一行的每一个实例和所述第二行的每一个实例都包括对应的第一预定数量和第二预定数量的第一轨迹；以及具有至少两个连续的行的结构，包括：所述第一行的至少一个实例；和所述第二行的至少一个实例；其中：所述结构中的所述第一行的至少一个实例中的每一个都在所述第一方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丰愿，张钧皓，陈胜雄，余和哲，鲁立忠，范妮婉，黄博祥，卢麒友，李卓彦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71