混合扩散标准库单元以及相关的系统和方法技术方案

公开了一种混合扩散标准库单元以及相关的系统和方法。混合扩散标准库单元可以以降低的成本制造，因为对应于固定基础层的掩膜跨集成电路(IC)器件地保持恒定。在一个方面，提供了一种混合扩散标准库单元。混合扩散标准库单元采用多个扩散区域，其中中断区域分离多个扩散区域中的至少两个。混合扩散标准库单元包括在固定位置处的一个或多个MEOL互连，其被配置成将晶体管连接到第一金属层。混合扩散标准库单元包括至少一个晶体管。在多个扩散区域之间包括中断区域有助于限制固定MEOL互连的位置，这限制了基础级的晶体管的可能位置并且固定了基础层设计。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】混合扩散标准库单元以及相关的系统和方法优先权本申请要求于2015年09月17日提交且名称作“HYBRIDDIFFUSIONSTANDARDLIBRARYCELLS,ANDRELATEDSYSTEMSANDMETHODS”的美国专利申请号14/857552的优先权，其内容以其整体通过引用并入本文。
本公开的技术一般涉及标准库单元，并且具体涉及使用和再使用标准库单元来设计逻辑电路。
技术介绍
基于处理器的计算机系统可以包括大量的集成电路(IC)。每个IC具有包括多个IC器件的复杂的布局设计。通常采用标准库单元来辅助使这种IC的设计不那么复杂且更易于管理。具体地，标准库单元为设计人员提供了预先设计的单元，预先设计的单元对应于符合所选的技术的特定设计规则的常用IC器件。作为非限制性的示例，标准库单元可以包括门、反相器、多路复用器和加法器。标准库中的对应于这些IC器件的标准库单元可以包括一致的互补金属氧化物半导体(CMOS)基础层和基础互连。例如，对应于反相器和多路复用器的标准库单元均可以包括布置在基础p型扩散区域和基础n型扩散区域上的一致的基础互连，基础p型扩散区域和基础n型扩散区域被配置成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种标准库单元，包括：至少一个晶体管；多个扩散区域，其中所述多个扩散区域中的至少一个扩散区域对应于所述至少一个晶体管；一个或多个中断区域，将所述多个扩散区域中的至少两个扩散区域分离；以及一个或多个固定的中段制程(MEOL)互连，被配置成将所述至少一个晶体管连接到第一金属层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.17 US 14/857,5521.一种标准库单元，包括：至少一个晶体管；多个扩散区域，其中所述多个扩散区域中的至少一个扩散区域对应于所述至少一个晶体管；一个或多个中断区域，将所述多个扩散区域中的至少两个扩散区域分离；以及一个或多个固定的中段制程(MEOL)互连，被配置成将所述至少一个晶体管连接到第一金属层。2.根据权利要求1所述的标准库单元，还包括被布置在所述一个或多个中断区域的第一中断区域中的固定的MEOL互连。3.根据权利要求2所述的标准库单元，其中被布置在所述第一中断区域中的所述固定的MEOL互连包括固定的第二层MEOL互连，所述固定的第二层MEOL互连被配置成连接被布置在所述多个扩散区域中的至少两个扩散区域上方的多个第一金属层段。4.根据权利要求1所述的标准库单元，其中所述一个或多个固定的MEOL互连中的一个或多个包括一个或多个第一层MEOL互连，所述一个或多个第一层MEOL互连中的每一个被配置成将对应的晶体管连接到对应的第二层MEOL互连。5.根据权利要求1所述的标准库单元，还包括一个或多个固定的零级过孔，所述一个或多个固定的零级过孔中的每一个被配置成将所述至少一个晶体管的栅极连接到所述第一金属层。6.根据权利要求1所述的标准库单元，其中所述一个或多个固定的MEOL互连中的一个或多个包括一个或多个打结层互连，所述一个或多个打结层互连中的每一个被配置成将所述至少一个晶体管的栅极打结，以便将所述至少一个晶体管去激活。7.根据权利要求1所述的标准库单元，其中所述一个或多个中断区域包括第一中断区域，所述第一中断区域被配置成：将第一扩散区域和第二扩散区域分离，其中所述第一扩散区域和所述第二扩散区域均包括p型金属氧化物半导体(PMOS)区域；以及将第三扩散区域和第四扩散区域分离，其中所述第三扩散区域和所述第四扩散区域均包括n型金属氧化物半导体(NMOS)区域。8.根据权利要求1所述的标准库单元，其中所述一个或多个中断区域包括：第一中断区域，其中所述第一中断区域：将第一扩散区域和第二扩散区域分离；并且将第三扩散区域和第四扩散区域分离；以及第二中断区域，其中所述第二中断区域：将所述第一扩散区域和第五扩散区域分离；并且将所述第三扩散区域和第六扩散区域分离。9.根据权利要求8所述的标准库单元，还包括在所述第一中断区域中的固定的MEOL互连。10.根据权利要求9所述的标准库单元，其中所述第一中断区域中的所述固定的MEOL互连包括固定的第二层MEOL互连，所述固定的第二层MEOL互连被配置成连接被布置在所述多个扩散区域中的至少两个扩散区域上方的多个第一金属层段。11.根据权利要求9所述的标准库单元，还包括在所述第二中断区域中的固定的MEOL互连。12.根据权利要求11所述的标准库单元，其中：在所述第一中断区域中的所述固定的MEOL互连包括被配置成连接多个第一金属层段的固定的第二层MEOL互连；以及在所述第二中断区域中的所述固定的MEOL互连包括被配置成连接多个第一金属层段的固定的第二层MEOL互连。13.根据权利要求1所述的标准库单元，所述标准库单元被配置成被编程以用作反相器。14.根据权利要求1所述的标准库单元，所述标准库单元被配置成被编程以用作缓冲器。15.权利要求1的标准库单元，所述标准库单元被集成到集成电路(IC)中。16.根据权利要求1所述的标准库单元，所述标准库单元被集成到从由以下构成的组中选择的设备中：机顶盒；娱乐单元；导航设备；通信设备；固定位置数据单元；移动位置数据单...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·萨哈，R·S·希瑞马斯，R·V·古塔尔，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US