用于埋入源极线的包含支撑基座结构的三维NAND设备及制造其的方法技术

三维存储器设备包括位于衬底上方的导电层和绝缘层的交替堆叠、存储器堆叠结构的阵列。在衬底和交替堆叠之间提供源极导电线结构。源极导电线结构包括多个平行的导电轨结构，该多个平行的导电轨结构沿着相同的水平方向延伸并邻接于公共导电跨接结构。每个存储器堆叠结构跨接导电轨结构和支撑基质之间的垂直界面。每个存储器堆叠结构中的半导体沟道接触相应的导电轨结构和支撑基质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于埋入源极线的包含支撑基座结构的三维NAND设备及制造其的方法相关申请的交叉引用本申请是2016年8月1日提交的美国专利申请顺序号第15/225,492号的部分继续申请，其是2016年2月8日提交的美国专利申请顺序号第15/017,961号的部分继续申请，其要求2015年11月20日提交的美国临时专利申请顺序号第62/258,250号的优先权的权益，其全部内容通过引用整体并入本文。
本公开一般涉及半导体设备领域，并且具体涉及三维存储器结构，诸如垂直NAND串和其他三维设备及制造其的方法。
技术介绍
每一单元具有一比特的三维垂直NAND串在T.Endoh等人在IEDM过程(2001)33-36发表的标题为“采用堆叠式环绕栅极晶体管(S-SGT)结构化单元的新型超高密度存储器(NovelUltraHighDensityMemoryWithAStacked-SurroundingGateTransistor(S-SGT)StructuredCell)”的文章中公开。
技术实现思路
根据本公开的一方面，提供了一种三维存储器设备，其包括：位于衬底上方的导电层和绝缘层的交替堆叠；存储器堆叠结构的阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维存储器设备，包括：位于衬底上方的导电层和绝缘层的交替堆叠；存储器堆叠结构的阵列，每个存储器堆叠结构延伸穿过交替堆叠并且包括存储器膜和由所述存储器膜横向包围的半导体沟道；以及源极导电层，其接触每个半导体沟道的侧壁的底部部分并且位于所述交替堆叠和所述衬底之间，其中所述源极导电层包括沿着第一水平方向延伸并且彼此横向间隔开的多个导电轨结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.20 US 62/258,250;2016.02.08 US 15/017,961;1.一种三维存储器设备，包括：位于衬底上方的导电层和绝缘层的交替堆叠；存储器堆叠结构的阵列，每个存储器堆叠结构延伸穿过交替堆叠并且包括存储器膜和由所述存储器膜横向包围的半导体沟道；以及源极导电层，其接触每个半导体沟道的侧壁的底部部分并且位于所述交替堆叠和所述衬底之间，其中所述源极导电层包括沿着第一水平方向延伸并且彼此横向间隔开的多个导电轨结构。2.如权利要求1所述的三维存储器设备，其中所述源极导电层还包括沿着不同于第一水平方向的第二水平方向延伸的导电跨接结构，其中所述导电轨结构中的每一个导电轨结构邻接于所述导电跨接结构。3.如权利要求2所述的三维存储器设备，还包括支撑结构，所述支撑结构包括横向包围所述存储器堆叠结构中的每一个存储器堆叠结构的底部部分的基质材料层。4.如权利要求3所述的三维存储器设备，其中：所述多个导电轨结构位于基质材料层中沿着第一水平方向延伸的多个沟道中；以及每个存储器膜的凸侧壁和底表面接触所述基质材料层。5.如权利要求3所述的三维存储器设备，其中每个半导体沟道的凸侧壁接触相应的导电轨结构的凹侧壁，其中如穿过包括所述半导体沟道的存储器堆叠结构的几何中心的垂直轴线的周围所测量的、在所述凸侧壁和相应的导电轨结构之间的接触区域的两个垂直边缘之间的方位角在45度至270度的范围中。6.如权利要求3所述的三维存储器设备，其中：所述基质材料层包括第一掺杂半导体材料并且被电短接到所述源极导电层；并且整个所述源极导电层是整体结构，所述整体结构连续延伸贯穿所述源极导电层的每个部分，并且包括具有与第一掺杂半导体材料相同的导电类型的第二掺杂半导体材料。7.如权利要求3所述的三维存储器设备，其中：所述多个导电轨结构的每个侧壁包括一组平面垂直侧壁部分，所述平面垂直侧壁部分通过一组凹垂直侧壁部分彼此邻接；所述平面垂直侧壁部分中的每一个平面垂直侧壁部分接触所述基质材料层；所述凹垂直侧壁部分中的每一个凹垂直侧壁部分接触相应的半导体沟道；并且所述多个导电轨结构的整个底表面接触位于包括所述基质材料层的底表面的水平面上方的基质材料层的凹陷表面。8.如权利要求2所述的三维存储器设备，其中所述导电跨接结构覆盖所述多个导电轨结构中的每一个导电轨结构，与所述多个导电轨结构中的每一个导电轨结构的顶部部分邻接，并且包括与所述多个导电轨结构相同的导电材料。9.如权利要求8所述的三维存储器设备，还包括沿着位线方向延伸的多个位线，其中所述导电层包括沿着垂直于所述位线方向的字线方向延伸的字线。10.如权利要求9所述的三维存储器设备，其中：第一水平方向不同于字线方向和位线方向两者；以及所述导电跨接结构在所述字线方向上延伸。11.如权利要求9所述的三维存储器设备，其中：第一水平方向平行于所述位线方向；以及所述导电跨接结构在字线方向上延伸。12.如权利要求2所述的三维存储器设备，还包括：源极连接层，其位于所述多个导电轨结构与所述交替堆叠之间、接触所述导电跨接结构的侧壁、并且横向包围所述存储器堆叠结构；以及电介质分隔体结构，其包括电介质材料、垂直地延伸穿过整个所述交替堆叠、并且覆盖所述导电跨接结构的整个区域。13.如权利要求1所述的三维存储器设备，其中：所述三维存储器设备包括位于所述衬底上方的垂直NAND设备；所述导电层包括NAND设备的相应的字线或者被电连接到NAND设备的相应的字线；所述衬底包括硅衬底；所述垂直NAND设备包括所述硅衬底上方的单片三维NAND串的阵列；所述单片三维NAND串的阵列的第一设备层级中的至少一个存储器单元位于所述单片三维NAND串的阵列的第二设备层级中的另一存储器单元上方；所述硅衬底包含集成电路，所述集成电路包括用于位于其上的存储器设备的驱动器电路；所述导电层包括多个控制栅电极，所述多个控制栅电极具有基本上平行于所述衬底的顶表面延伸的条形形状，所述多个控制栅电极包括至少位于第一设备层级中的第一控制栅电极和位于第二设备层级中的第二控制栅电极；并且所述单片三维NAND串...

【专利技术属性】
技术研发人员：张彤，J阿尔斯梅尔，J卡伊，J刘，张艳丽，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US