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三维存储器设备包括位于衬底上方的导电层和绝缘层的交替堆叠、存储器堆叠结构的阵列。在衬底和交替堆叠之间提供源极导电线结构。源极导电线结构包括多个平行的导电轨结构，该多个平行的导电轨结构沿着相同的水平方向延伸并邻接于公共导电跨接结构。每个存储器...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

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