晶圆器件单元混合扫描方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆器件单元混合扫描方法。在一个器件单元集合中，通过不同裸片之间的比对，计算差值，从而确定缺陷位置。在所述器件单元集合中，在每一个裸片中，通过裸片中重复出现的器件单元之间的相互比对，计算差值，从而确定缺陷位置。根据采用D2D模式的扫描步骤中确定的缺陷位置以及采用C2C模式的扫描步骤中确定的缺陷位置，确定所述器件单元集合中的所有缺陷位置。当采用D2D模式的扫描步骤和采用C2C模式的扫描步骤都确定所述器件单元集合的同一区域存在缺陷时，保留采用C2C模式的扫描步骤中确定的所有缺陷位置；并且对采用D2D模式的扫描步骤中确定的缺陷位置进行分析，滤除小于单个器件单元面积的缺陷，而保留其它缺陷位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，更具体地说，本专利技术涉及一种。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸不断缩小，工厂引入了更加先进、更加昂贵的缺陷检测设备以满足对在线工艺步骤的品质监控的要求。其中亮场缺陷检测机台就是应用最为广泛并且有着很高灵敏度的一类机台。具体地说，由于生产过程中生产机台故障，生产环境污染等诸多因素的影响，晶圆缺陷问题也会随之而来，并且缺陷的大小形态直接影响晶圆产品的质量及可靠性，其中大范围缺陷问题对晶圆产品质量的影响尤为严重，由于目前器件尺寸越来越小，亮场缺陷扫描机台常用C2C扫描方式(C2C指cell to cell即小范围 器件单元比对方式)进行扫描，这种扫描方式对于小尺寸器件单元的缺陷敏感度很高，但对大范围的缺陷类型却无法正常判断，对扫描质量及产品性能造成很大的风险。目前业界对于C2C扫描方式缺失大范围缺陷问题并没有实质性的解决方法，想要保证小尺寸器件扫描精度也要顾及大范围缺陷捕捉率就需要一种新颖的晶圆缺陷扫描中避免大范围缺陷缺失的扫描方法，设计这种全方位的扫描方法也是亮场半导体缺陷扫描机台的迫切需要。由此，希望能够提供一种既可以保证小器件单元的缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆器件单元混合扫描方法，其特征在于包括：采用D2D模式的扫描步骤:在一个器件单元集合中，通过不同裸片之间的比对，计算差值，从而确定缺陷位置；采用C2C模式的扫描步骤:在所述器件单元集合中，在每一个裸片中，通过裸片中重复出现的器件单元之间的相互比对，计算差值，从而确定缺陷位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王洲男，龙吟，陈宏璘，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：