固化性树脂膜及第1保护膜形成用片制造技术

本发明专利技术涉及一种固化性树脂膜，其用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面且通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜，其中，该固化性树脂膜的固化物的杨氏模量为0.02MPa以上、且在80℃下通过探针粘性试验测定的载荷的峰值为500g以下。本发明专利技术的第1保护膜形成用片具备第1支撑片，且在第1支撑片的一侧表面上具备该固化性树脂膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固化性树脂膜及第1保护膜形成用片
本专利技术涉及固化性树脂膜、以及使用了该固化性树脂膜的第1保护膜形成用片。本申请基于2015年11月4日在日本提出申请的日本特愿2015-217108号要求优先权，并将其内容援引于此。
技术介绍
以往，在将用于MPU、门阵列等的多引脚LSI封装体安装于印刷电路板的情况下，采用的是如下所述的倒装芯片安装方法：作为半导体芯片，使用在其连接焊盘部形成有由共晶焊料、高温焊料、金等制成的凸电极(凸块)的半导体芯片，通过所谓倒装方式，使这些凸块与芯片搭载用基板上的相应的端子部面对面地接触，并进行熔融/扩散接合。在该安装方法中使用的半导体芯片例如可通过对在电路面形成有凸块的半导体晶片的与电路面相反一侧的面进行磨削、或对半导体晶片进行切割以制成单片而得到。在这样的得到半导体芯片的过程中，通常，为了保护半导体晶片的电路面及凸块，通过在凸块形成面粘贴固化性树脂膜并使该膜固化，从而在凸块形成面上形成保护膜。这样的固化性树脂膜中，作为具备含有热固性成分的热固性树脂膜的保护膜形成用片，已公开了在上述膜上层叠具有特定的高温弹性模量的热塑性树脂层、并进一步在上述热塑性树脂层上的最上层层叠在25℃下为非塑性的热塑性树脂层而成的片材(参见专利文献1)。另外，根据专利文献1，该保护膜形成用片的保护膜的凸块填充性、晶片加工性、树脂密封后的电连接可靠性等优异。另一方面，上述这样形成有保护膜的半导体晶片连同保护膜一起通过切割而被分割，从而形成半导体芯片。切割可采用例如使用切割刀将半导体晶片连同保护膜一起进行切断的方法等几种方法来进行，但根据保护膜的种类的不同，有时会在保护膜的切断时产生切削屑，从而导致该切削屑附着于切割后的半导体芯片的侧面。这样一来，如果在半导体芯片上存在多余的附着物，则在从半导体芯片的焊接至获得半导体装置期间，会成为工序故障的原因、或导致半导体装置的可靠性降低等，从而产生工序上或品质上的问题。对此，以专利文献1所公开的保护膜为首的现有的保护膜并不确定其是否抑制了这样的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-028734号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于，提供能够形成在对凸块形成面上具备保护膜的半导体晶片进行切割时可抑制来自于保护膜的切削屑附着于半导体芯片的侧面的保护膜的固化性树脂膜、以及使用了该固化性树脂膜的保护膜形成用片。解决问题的方法本专利技术提供一种固化性树脂膜，其用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面且通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜，其中，上述固化性树脂膜的固化物的杨氏模量为0.02MPa以上、且在80℃下通过探针粘性试验(probetacktest)测定的载荷的峰值为500g以下。另外，本专利技术提供一种第1保护膜形成用片，其在第1支撑片的一侧表面上具备上述固化性树脂膜。专利技术的效果通过使用本专利技术的固化性树脂膜及第1保护膜形成用片，在对凸块形成面上具备第1保护膜的半导体晶片进行切割时，可抑制来自于第1保护膜的切削屑附着于半导体芯片的侧面。附图说明[图1]是示意性地示出使用本专利技术的固化性树脂膜在凸块形成面形成了第1保护膜的状态的一例的剖面图。[图2]是示意性地示出本专利技术的第1保护膜形成用片的一个实施方式的剖面图。[图3]是示意性地示出本专利技术的第1保护膜形成用片的其它实施方式的剖面图。[图4]是示意性地示出本专利技术的第1保护膜形成用片的另一实施方式的剖面图。[图5]是示意性地示出使用了本专利技术的第1保护膜形成用片的情况下的切割后的半导体芯片的一例的放大立体图。[图6]是示意性地示出使用了现有的保护膜形成用片的情况下的切割后的半导体芯片的一例的放大立体图。符号说明1、2、3…第1保护膜形成用片11…第1基材11a…第1基材的表面12…固化性树脂层(固化性树脂膜)12’…第1保护膜13…第1粘合剂层13a…第1粘合剂层的表面14…第1中间层101、102、103…第1支撑片101a、102a、103a…第1支撑片的表面90…半导体晶片90a…半导体晶片的电路面90’…半导体芯片90a’…半导体芯片的电路面91…凸块91a…凸块的表面具体实施方式本专利技术的固化性树脂膜是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面且通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜的固化性树脂膜，其中，上述固化性树脂膜的固化物的杨氏模量为0.02MPa以上、且在80℃下通过探针粘性试验测定的载荷的峰值为500g以下。另外，本专利技术的第1保护膜形成用片在第1支撑片的一侧表面上具备上述本专利技术的固化性树脂膜。在上述第1保护膜形成用片中，上述“固化性树脂膜”有时也称为“固化性树脂层”。本专利技术的第1保护膜形成用片可经由其固化性树脂层(固化性树脂膜)而粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面(即电路面)来使用。其中，粘贴后的固化性树脂层经加热而流动性增大，以覆盖凸块的方式向凸块间扩展，在与上述电路面密合的同时覆盖凸块的表面、特别是上述电路面的附近部位的表面，将凸块埋入。该状态的固化性树脂层经进一步加热或能量线的照射发生固化而最终形成第1保护膜，在上述电路面以密合于其表面的状态保护凸块。就粘贴了第1保护膜形成用片后的半导体晶片而言，例如在与上述电路面相反一侧的面经过磨削之后，第1支撑片被去除，接着，通过固化性树脂层的加热而进行凸块的埋入及第1保护膜的形成，最终以具备该第1保护膜的状态被组装于半导体装置。需要说明的是，在本说明书中，也将凸块表面与半导体晶片的电路面统称为“凸块形成面”。通过使用本专利技术的固化性树脂膜，可利用第1保护膜而充分地对半导体晶片的电路面和凸块的电路面附近部位、即基部加以保护。本专利技术的固化性树脂膜通过固化而形成第1保护膜，即杨氏模量为0.02MPa以上、在80℃下通过探针粘性试验测定的载荷的峰值(以下，有时简记为“粘性峰值载荷”)为500g以下的固化物。换言之，由本专利技术的固化性树脂膜得到的第1保护膜能够形成在切割时杨氏模量为0.02MPa以上、且上述粘性峰值载荷为500g以下的膜。通过使第1保护膜的杨氏模量及上述粘性峰值载荷在切割时为这样的范围，在第1保护膜与半导体晶片一起通过切割而被切断时，在切断后的具备第1保护膜的半导体芯片的侧面，可抑制切削屑的附着。因此，通过使用本专利技术的固化性树脂膜来制造半导体装置，可抑制制造工序中的故障的产生、及半导体装置的可靠性的降低。本专利技术中的上述固化物的杨氏模量及粘性峰值载荷例如可以通过固化性树脂膜的后文叙述的含有成分的种类及量来进行调节。图1是示意性地示出使用本专利技术的固化性树脂膜在凸块形成面形成了第1保护膜的状态的一例的剖面图。需要说明的是，在以下的说明中所使用的图中，为了使本专利技术的特征容易理解，有时为求方便而放大示出了成为主要部分的部分，各构成要素的尺寸比率等与实际情况不一定相同。在这里示出的半导体晶片90的电路面90a上，设置有多个的凸块91。凸块91具有球的一部分被平面切下而成的形状，相当于该被切下而露出的部位的平面与半导体晶片90的电路面90a接触。第1保护膜12’是使用本专利技术的固化性树脂膜而形成的，其包覆半导体晶片90的电路面90a，并且包覆着凸块91的表面91a中的除凸块91的顶点及其附近以外的区域。像这样地，第1保护膜12’密合于凸块91的除顶点及其附近以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固化性树脂膜，其用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面且通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜，其中，所述固化性树脂膜的固化物的杨氏模量为0.02MPa以上、且在80℃下通过探针粘性试验测定的载荷的峰值为500g以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.04 JP 2015-2171081.一种固化性树脂膜，其用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面且通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤明德，山岸正宪，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP