激光加工方法技术

对包含在表面形成有多个功能元件的半导体基板的加工对象物，使激光从半导体基板的背面聚光，并且一边将半导体基板的表面和激光的第一聚光点的距离维持在第一距离，一边沿着切断预定线使第一聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第一改质区域。从半导体基板的背面使激光聚光于加工对象物上，并且一边将半导体基板的表面和激光的第二聚光点的距离维持在第二距离，并且相对于对准第一聚光点的位置，使第二聚光点朝向与半导体基板的厚度方向及切断预定线的延伸方向这两个方向垂直的方向偏移，一边沿着切断预定线使第二聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第二改质区域。除去在半导体基板中包含背面及至少第二改质区域的规定部分。

Laser processing method

The processing object of a semiconductor substrate containing a plurality of functional elements on the surface makes the laser light from the back of the semiconductor substrate, and maintains the distance between the surface of the semiconductor substrate and the first spotlight point of the laser at the first distance, while the first spotlight is moved along the cut off line, thereby along the cutting edge. The first modification area is formed by the broken line. From the back of the semiconductor substrate, the laser is concentrated on the processing object, and the distance between the surface of the semiconductor substrate and the second laser point of the laser is maintained at a distance of second, and relative to the position of the first spotlight point, the second spotting point is directed toward the thickness direction of the semiconductor substrate and the extension of the predetermined line. The direction of the two directions is moved in a vertical direction, and one side moves the second spotting point along the cut off line, thereby forming a second modified area along the cut line. The required portion of the semiconductor substrate includes a backside and at least second modifier regions.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光加工方法
本专利技术的一观点是涉及激光加工方法。
技术介绍
已知一种激光加工方法，其中，对包含在表面以矩阵形状形成有多个功能元件的硅基板的加工对象物，以硅基板的背面作为激光入射面而照射激光，从而沿着以通过相邻的功能元件之间的方式被形成为格子状的切断预定线，在硅基板中的表面附近形成改质区域，之后，通过将硅基板的背面研磨使硅基板成为特定的厚度，将加工对象物切断成各个功能元件(例如，参照专利文献1)。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]国际公开第03/077295号
技术实现思路
[专利技术所要解决的技术问题]在上述激光加工方法中，从提高加工效率的观点来看，减少激光对一条切断预定线的扫描次数(即，针对一条切断预定线所形成的改质区域的列数)是重要的。由此，随着改质区域的形成，有使龟裂从改质区域朝向半导体基板的厚度方向伸展得很大的情形。但是，在此情况下，在使激光聚光于半导体基板时，有在与激光入射面相反的一侧的半导体基板的表面产生损伤，且功能元件的特性发生劣化的情形。另外，在上述激光加工方法中，针对切断加工对象物而能取得的多个晶片，期待提高其产率。因此，要求例如抑制在切断面出现阶差，且提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光加工方法，其中，具备：第一工序，其对包含在表面形成有多个功能元件的半导体基板的加工对象物，将上述半导体基板的背面作为激光入射面而使激光聚光，一边将上述半导体基板的上述表面和上述激光的第一聚光点的距离维持在第一距离，一边沿着被设定成通过相邻的上述功能元件之间的切断预定线而使上述激光的上述第一聚光点移动，由此沿着上述切断预定线形成第一改质区域；第二工序，其在上述第一工序之后，对上述加工对象物，将上述半导体基板的上述背面作为激光射入面而使上述激光聚光，一边将上述半导体基板的上述表面和上述激光的第二聚光点的距离维持在大于上述第一距离的第二距离，并且相对于对准上述激光的上述第一聚光点的位置，使上...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.29 JP 2015-1910951.一种激光加工方法，其中，具备：第一工序，其对包含在表面形成有多个功能元件的半导体基板的加工对象物，将上述半导体基板的背面作为激光入射面而使激光聚光，一边将上述半导体基板的上述表面和上述激光的第一聚光点的距离维持在第一距离，一边沿着被设定成通过相邻的上述功能元件之间的切断预定线而使上述激光的上述第一聚光点移动，由此沿着上述切断预定线形成第一改质区域；第二工序，其在上述第一工序之后，对上述加工对象物，将上述半导体基板的上述背面作为激光射入面而使上述激光聚光，一边将上述半导体基板的上述表面和上述激光的第二聚光点的距离维持在大于上述第一距离的第二距离，并且相对于对准上述激光的上述第一聚光点的位置，使上述激光的上述第二聚光点朝向与上述半导体基板的厚度方向及上述切断预定线的延伸方向这两个方向垂直的方向偏移，一边沿着上述切断预定线而使上述激光的上述第二聚光点移动，由此沿着上述切断预定线形成第二改质区域；以及第三工序，其在上述第二工序之后，除去在上述半导体基板中包含上述背面及至少上述第二改质区域的规定部分。2.如权利要求1所记载的激光加工方法，其中，在上述第三工序中，除去在上述半导体基板中进一...

【专利技术属性】
技术研发人员：荻原孝文，近藤裕太，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP