切割片及切割片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种切割片及切割片的制造方法，所述切割片为具有基材薄膜2和层叠于基材薄膜2的单面的粘着剂层3的切割片1，基材薄膜2至少具有位于距粘着剂层3最近部分的树脂层21，构成树脂层21的树脂熔点为60℃以上、170℃以下，上述树脂熔点和流体化温度的差为40℃以上、190℃以下。这种切割片1不需照射放射线即可制造，可抑制丝状切削片的产生并呈现良好的扩张性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割片及切割片的制造方法
本专利技术涉及一种将半导体晶圆等被裁切物裁切分离为元件块时，该被裁切物所黏贴的切割片及该切割片的制造方法。
技术介绍
有机硅、砷化镓等半导体晶圆、玻璃基板、氧化铝基板等基板类，以及各种包装类(本说明叔中将其统称为“被裁切物”)以大直径的状态制造，它们在被裁切分离(切割)成元件块(本专利技术专利说明书中称为“芯片”)、并且被个别剥离(拾取，pickup)后被搬移至作为下一工序的安装工序。此时，半导体晶圆等被裁切物以事先贴合于粘着片的状态，搬移至切割、洗净、干燥、扩张、拾取以及安装等各工序。搬移至上述切割工序的被裁切物为了确保切割工序与之后工序的被裁切物以及芯片之处理性，切割片事先黏贴于与用于裁切的切削工具接触的侧相反的侧的被裁切物表面，通常这种切割片作为基材薄膜，可使用聚烯烃类薄膜或聚氯乙烯类薄膜等，于该基材薄膜上设有粘着剂层。作为切割工序的具体手法，在一般的全切割中，使用旋转的圆刀进行被裁切物的裁切，此时以切割片可确实地裁切所黏贴的被裁切物的方式，不仅被裁切物、连粘着剂层也可被裁切，此外，基材薄膜的一部份有时也被裁切。此时由构成粘着剂层与基材薄膜的材料形成的切削片在切割片上产生，获得的芯片有时因切削片而污染，这种切削片的形态之一有在切割线或因切割而分离的芯片的截面附近附着的丝状切削片。上述那样的丝状切削片大量附着于芯片的状态下直接将芯片密封，附着于芯片的丝状切削片会因密封的热而分解，此热分解物会破坏包装或导致得到的装置发生故障。由于此丝状切削片难以通过洗净清除，丝状切削片的产生会导致切割工序的产率变得低落，因此，利用切割片切割的情况下，要求防止丝状切削片产生。此外，将以固化的树脂密封多个芯片的包装作为被裁切物进行切割时，与切割半导体晶圆的情况相比，使用切削宽度更厚的切割刀，切割的切削深度也更深。因此，由于切割时裁去的基材薄膜量比切割半导体晶圆的情况更为增多，因此有丝状切削片的产生量也增多的倾向。为了抑制这种切削片的产生，作为切割片的基材薄膜，专利文献1中揭示了一种利用电子射线或γ(伽玛)线1～80Mrad照射的聚烯烃类薄膜的专利技术。该专利技术中，专利技术者认为在通过电子射线或γ线的照射构成基材薄膜的树脂中，可通过共价键形成交联，抑制切削片的产生。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利公开平第5-211234号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题然而，专利文献1的专利技术中，由于电子射线或γ线这样的放射线的照射在将上述那样的树脂暂时形成薄膜状态后才进行，因此增加了一个制造工序，有制造费用比一般的基材薄膜高的倾向。此外，照射电子射线的情况下，由于会丧失基材薄膜中的树脂结晶性，因此获得的基材薄膜的耐溶剂性相对较低。此外，进行前述的扩张工序时，切割片被要求具有良好的扩张性，此处，由于通过如专利文献1中所公开的放射线的照射，使形成有基于共价键的交联的基材薄膜呈现较高的弹性模量，因此专利文献1中所记载的切割片无法发挥充分的扩张性。本专利技术鉴于上述技术问题而完成，其目的在于提供一种不需放射线照射即可制造、可抑制丝状切削片的产生，且呈现良好扩张性的切割片。解决技术问题的技术手段为了达成上述目的，第一，本专利技术提供一种具有基材薄膜和层叠于所述基材薄膜的单面的粘着剂层的切割片(专利技术1)，其特征在于，所述基材薄膜至少具有位于距所述粘着剂层最接近的部分的树脂层，构成所述树脂层的树脂熔点为60℃以上、170℃以下，所述树脂熔点和流体化温度的差为40℃以上、190℃以下。上述专利技术(专利技术1)涉及的切割片，通过构成基材薄膜的树脂熔点、以及熔点和流体化温度的温差在上述范围内，即使因切割而产生摩擦热，也不易造成树脂流体化。此处，丝状切削片因切割时所产生的摩擦热而使切削片软化，此外，还会拉长为丝状。因此，该切割片上不易产生树脂流体化，结果可抑制丝状切削片的产生。另外，由于树脂熔点与上述温差在上述范围的基材薄膜的弹性模量变得相对较低，因此呈现良好的扩张性。进而，树脂熔点与上述温差在上述范围的基材薄膜不需经电子射线或γ线这样的放射线的照射便可制作，因此与利用包含照射放射线的工序的方法制造的切割片相比，该切割片可降低制造成本。上述专利技术(专利技术1)中，优选所述树脂具有多个包含烯烃作为构成成分的分子链，所述分子链彼此通过温度依赖性动态共价键而键合(专利技术2)。上述专利技术(专利技术2)中，优选所述分子链为包含乙烯与自由基聚合性酸酐作为构成单元的乙烯类共聚物，所述树脂进一步有具有两个以上的羟基的多元醇化合物，所述温度依赖性动态共价键为在自上述自由基聚合性酸酐中衍生的羧基和所述多元醇化合物的羟基之间产生的酯键(专利技术3)。上述专利技术(专利技术2、3)中，优选所述树脂中进一步含有促进所述温度依赖性动态共价键的键合反应与解离反应的反应促进剂(专利技术4)。上述专利技术(专利技术1～4)中，优选所述树脂层于23℃的拉伸弹性模量为30MPa以上、500MPa以下(专利技术5)。上述专利技术(专利技术1～5)中，优选所述树脂在温度190℃及负载2.16kg时的的熔体流动速率为0.5g/10分钟以上、10g/10分钟以下(专利技术6)。上述专利技术(专利技术1～6)中，优选所述基材薄膜在所述树脂层的与所述粘着剂层的相反的侧进一步具有第二树脂层(专利技术7)。第二，本专利技术提供一种上述切割片(专利技术1～7)的制造方法，其特征在于，包括：将至少含乙烯与自由基聚合性酸酐的构成单元共聚而得到乙烯类共聚物的工序；以及，在促进温度依赖性动态共价键的键合反应与解离反应的反应促进剂的存在下，于所述乙烯类共聚物的自所述自由基聚合性酸酐中衍生的羧基和在分子内具有两个以上羟基的多元醇化合物的羟基之间形成酯键，得到所述树脂的工序(专利技术8)。专利技术效果本专利技术涉及的切割片不需照射放射线即可制造，可抑制丝状切削片的产生并呈现良好的扩张性。附图说明[图1]本专利技术的第一实施方式涉及的切割片的剖面图。[图2]本专利技术之第二实施方式涉及的切割片的剖面图。具体实施方式以下对本专利技术的实施方式进行说明。1.切割片图1为本专利技术的第一实施方式涉及的切割片的剖面图，图2为本专利技术的第二实施方式涉及的切割片的剖面图。该切割片1具有基材薄膜2和层叠于基材薄膜2的单面而成的粘着剂层3，另外，本实施方式涉及的切割片可为单用于切割的切割片，也可为亦可用于管芯键合(Diebonding)的切割管芯键合片。(1)基材薄膜本实施方式涉及的切割片1中，基材薄膜2至少具有位于距粘着剂层3最近部分的树脂层21，尤其图1所示的切割片1中，基材薄膜2仅由树脂层21形成。另外，图2所示的切割片1中，基材薄膜2具有位于距粘着剂层3最近部分的树脂层21和位于树脂层21的与粘着剂层3相反的侧的第二树脂层22。(1-1)树脂层的物理性质本实施方式所涉及的切割片1中，构成树脂层21的树脂熔点为60℃以上、170℃以下。此外，该树脂熔点和流体化温度之差为40℃以上、190℃以下。树脂层21的熔点与上述温差若为上述范围，据此，构成树脂层21的树脂的流体化温度则可达充分高温。因此，即使切割时产生摩擦热，也可抑制因该摩擦热而导致构成树脂层21的树脂流体化，其结果，本实施方式所涉及的切割片1中可抑制丝状切削片的产生。此外，通过树脂层21的熔点与上述温差为上述范围，构成树脂层21的树脂的弹性模量变得相对较低，据此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有基材薄膜和层叠于所述基材薄膜的单面侧的粘着剂层的切割片，其特征在于，所述基材薄膜至少具有位于距所述粘着剂层最近的位置的树脂层，构成所述树脂层的树脂熔点为60℃以上、170℃以下，所述树脂熔点和流体化温度的差为40℃以上、190℃以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.08 JP 2015-2397231.一种具有基材薄膜和层叠于所述基材薄膜的单面侧的粘着剂层的切割片，其特征在于，所述基材薄膜至少具有位于距所述粘着剂层最近的位置的树脂层，构成所述树脂层的树脂熔点为60℃以上、170℃以下，所述树脂熔点和流体化温度的差为40℃以上、190℃以下。2.根据权利要求1所述的切割片，其特征在于，所述树脂具有多个包含烯烃作为构成成分的分子链，所述分子链彼此通过温度依赖性动态共价键而键合。3.根据权利要求2所述的切割片，其特征在于，所述分子链为包含乙烯与自由基聚合性酸酐作为构成单元的乙烯类共聚物，所述树脂进一步有具有两个以上的羟基的多元醇化合物，所述温度依赖性动态共价键为在自所述自由基聚合性酸酐中衍生的羧基和所述多元醇化合物的羟基之间产生的酯键。4.根据权利要求2或3所述的切割片，其特征在于，所述树脂中进一步含有促进所述温度依赖性...

【专利技术属性】
技术研发人员：河原田有纪，田矢直纪，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP