第1保护膜形成用片、第1保护膜形成方法及半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术涉及第1保护膜形成用片，其是在第1基材上层叠第1粘合剂层、在上述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的，上述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜的层，上述固化性树脂层的厚度与上述第1粘合剂层的厚度之和为110μm以上，且上述固化性树脂层的厚度为20μm～100μm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】第1保护膜形成用片、第1保护膜形成方法及半导体芯片的制造方法
本专利技术涉及第1保护膜形成用片、第1保护膜形成方法及半导体芯片的制造方法。本申请基于2015年11月4日在日本提出申请的日本特愿2015-217114号要求优先权，并将其内容援引于此。
技术介绍
以往，在将用于MPU、门阵列等的多引脚LSI封装体安装于印刷电路板的情况下，采用的是如下所述的倒装芯片安装方法：作为半导体芯片，使用在其连接焊盘部形成有由共晶焊料、高温焊料、金等制成的凸电极(凸块)的半导体芯片，通过所谓倒装方式，使这些凸块与芯片搭载用基板上的相应的端子部面对面地接触，并进行熔融/扩散接合。在该安装方法中使用的半导体芯片例如可通过对在电路面形成有凸块的半导体晶片的与电路面相反一侧的面进行磨削、或进行切割以制成单片而得到。在这样的得到半导体芯片的过程中，通常，为了保护半导体晶片的凸块形成面，通过在凸块形成面粘贴固化性树脂膜并使该膜固化，从而在凸块形成面上形成保护膜。作为这样的固化性树脂膜，已被广泛利用的是含有通过加热而固化的热固性成分的树脂膜。作为具备这样的热固性树脂膜的保护膜形成用片，已公开了在上述膜上层叠具有特定的高温弹性模量的热塑性树脂层、并进一步在上述热塑性树脂层上的最上层层叠在25℃下为非塑性的热塑性树脂层而成的片材(例如，参见专利文献1)。另外，根据专利文献1，该保护膜形成用片的保护膜的凸块填充性、晶片加工性、树脂密封后的电连接可靠性等优异。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-028734号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，使用现有的具备固化性树脂膜的保护膜形成用片来尝试在凸块形成面形成保护膜时，有时会观察到大量凸块顶部的露出不良。另外，由于固化性树脂对电路面或凸块周边的填充不良，有时会在保护膜中产生缝隙(也称为间隙)。如果保护膜中存在间隙，则会因此而导致凸块形成面与保护膜的密合性降低、或者对保护膜的电路面及凸块的保护能力降低等，从而有时不能充分地进行基于上述保护膜对电路面或凸块的保护、特别是对凸块基部的保护。另外，如果保护膜中存在间隙，则通过回流焊等而对该保护膜加热时，在间隙发生膨胀而使凸块形成面与保护膜的密合性降低、或者间隙发生了急剧膨胀的情况下，会导致保护膜破裂而使得保护膜与半导体芯片发生分离、或者以电路面及凸块等为首半导体芯片发生了破损。而且，专利文献1所公开的保护膜是否能够抑制间隙的产生并不确定。本专利技术鉴于上述情况而完成，其目的在于提供半导体晶片的凸块顶部的露出特性及第1保护膜中的间隙抑制性优异的第1保护膜形成用片。解决课题的方法本专利技术具有以下方面。(1)一种第1保护膜形成用片，其是在第1基材上层叠第1粘合剂层、在所述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的，所述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜的层，所述固化性树脂层的厚度与所述第1粘合剂层的厚度之和为110μm以上，并且，所述固化性树脂层的厚度为20μm～100μm。(2)上述(1)所述的第1保护膜形成用片，其中，所述固化性树脂层在温度70℃、载荷400gf及保持时间5秒钟下的润湿扩展性为110％～300％。(3)上述(1)或(2)所述的第1保护膜形成用片，其中，所述第1粘合剂层的剪切弹性模量为1.0×103Pa～1.0×108Pa。(4)一种第1保护膜的形成方法，其是对电路面形成有凸块的半导体晶片的电路面及凸块进行保护的第1保护膜的形成方法，所述方法包括以下工序：将第1保护膜形成用片的固化性树脂层粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面的工序，所述第1保护膜形成用片是在第1基材上层叠第1粘合剂层、在所述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的；对所述固化性树脂层进行加热的工序；对所述半导体晶片的电路面及凸块进行层压的工序；使所述固化性树脂层固化而形成所述第1保护膜的工序；以及将所述第1基材及第1粘合剂层剥离的工序，其中，所述固化性树脂层的厚度与所述第1粘合剂层的厚度之和相对于所述凸块的高度为55％以上，且所述固化性树脂层的厚度相对于所述凸块的高度为10％～50％。(5)上述(4)所述的第1保护膜的形成方法，其中，所述固化性树脂层在温度70℃、载荷400gf及保持时间5秒钟下的润湿扩展性为110％～300％。(6)上述(4)或(5)所述的第1保护膜的形成方法，其中，所述第1粘合剂层的剪切弹性模量为1.0×103Pa～1.0×108Pa。(7)一种半导体芯片的制造方法，所述方法包括以下工序：将第1保护膜形成用片的固化性树脂层粘贴于电路面形成有凸块的半导体晶片的具有凸块的表面的工序，所述第1保护膜形成用片是在第1基材上层叠第1粘合剂层、在所述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的；对所述固化性树脂层进行加热的工序；对所述半导体晶片的电路面及凸块进行层压的工序；使所述固化性树脂层固化而形成保护所述电路面及凸块的第1保护膜的工序；将所述第1基材及第1粘合剂层剥离的工序；以及，将所述半导体晶片与所述第1保护膜一起进行切割而形成单片的工序，其中，所述固化性树脂层的厚度与所述第1粘合剂层的厚度之和相对于所述凸块的高度为55％以上，且所述固化性树脂层的厚度相对于所述凸块的高度为10％～50％。(8)上述(7)所述的半导体芯片的制造方法，其中，所述固化性树脂层在温度70℃、载荷400gf及保持时间5秒钟下的润湿扩展性为110％～300％。或者，(9)上述(7)或(8)所述的半导体芯片的制造方法，其中，所述第1粘合剂层的剪切弹性模量为1.0×103Pa～1.0×108Pa。专利技术的效果本专利技术的第1保护膜形成用片的凸块顶部的露出特性及第1保护膜中的间隙抑制性优异。附图说明[图1]是示意性地示出本专利技术的第1保护膜形成用片的一个实施方式的剖面图。[图2]是使用本专利技术的第1保护膜形成用片形成第1保护膜的方法的工序图，该第1保护膜对电路面上形成有凸块的半导体晶片的电路面及凸块进行保护。[图3]是示意性地示出具备第1保护膜的半导体晶片的一例的剖面图，所述第1保护膜是使用本专利技术的第1保护膜形成用片形成的。[图4]是示意性地示出具备使用现有的保护膜形成用片形成的保护膜的半导体晶片的一例的剖面图。符号说明1…第1保护膜形成用片11…第1基材12…固化性树脂层(固化性树脂膜)12’…第1保护膜13…第1粘合剂层13a…第1粘合剂层的表面101…第1支撑片101a…第1支撑片的表面90…半导体晶片90a…半导体晶片的电路面91…凸块具体实施方式本专利技术的保护膜形成用片(也称为第1保护膜形成用片)通过其固化性树脂层(也称为固化性树脂膜)粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面而使用。另外，粘贴后的固化性树脂层的流动性因加热而增大，以包覆凸块的形式在凸块间扩展，从而与上述电路面密合，同时，包覆凸块的表面、特别是上述电路面附近部位的表面，从而将凸块埋入。对于该状态的上述固化性树脂层而言，固化性树脂层为热固性树脂层的情况下，进一步通过加热而热固化，最终形成第1保护膜，在上述电路面中以与其表面密合的状态对凸块加以保护。粘贴了第1保护膜形成用片之后的半导体晶片的例如与上述电路面相反侧的面被磨削后，去除第1支撑片，并通过热固性树脂层的加热而将电路面及凸块进行层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种第1保护膜形成用片，其是在第1基材上层叠第1粘合剂层、在所述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的，所述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜的层，所述固化性树脂层的厚度与所述第1粘合剂层的厚度之和为110μm以上，并且，所述固化性树脂层的厚度为20μm～100μm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.04 JP 2015-2171141.一种第1保护膜形成用片，其是在第1基材上层叠第1粘合剂层、在所述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的，所述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜的层，所述固化性树脂层的厚度与所述第1粘合剂层的厚度之和为110μm以上，并且，所述固化性树脂层的厚度为20μm～100μm。2.根据权利要求1所述的第1保护膜形成用片，其中，所述固化性树脂层在温度70℃、载荷400gf及保持时间5秒钟下的润湿扩展性为110％～300％。3.根据权利要求1或2所述的第1保护膜形成用片，其中，所述第1粘合剂层的剪切弹性模量为1.0×103Pa～1.0×108Pa。4.一种第1保护膜的形成方法，其是对电路面形成有凸块的半导体晶片的电路面及凸块进行保护的第1保护膜的形成方法，所述方法包括以下工序：将第1保护膜形成用片的固化性树脂层粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面的工序，所述第1保护膜形成用片是在第1基材上层叠第1粘合剂层、在所述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的；对所述固化性树脂层进行加热的工序；对所述半导体晶片的电路面及凸块进行层压的工序；使所述固化性树脂层固化而形成所述第1保护膜的工序；以及将所述第1基材及第1粘合剂层剥离的工序，其中，所述固化性树脂层的厚度与所述第1粘合剂层的厚度之和相对于所述凸块的高度为55％以上...

【专利技术属性】
技术研发人员：山岸正宪，佐藤明德，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP