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第1保护膜形成用片、第1保护膜形成方法及半导体芯片的制造方法技术
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文档序号:18175699
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本发明涉及第1保护膜形成用片,其是在第1基材上层叠第1粘合剂层、在上述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的,上述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜的层,上述固化性树脂层的厚度与上述第1...
该专利属于琳得科株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过琳得科株式会社授权不得商用。
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