本发明专利技术提供临时粘合用层叠体膜，所述临时粘合用层叠体膜的耐热性优异，直到基板周边部均能够平坦地形成被膜，能够利用1种粘接剂将半导体电路形成基板、与支承基板或支承膜层粘接，且能够于室温以温和的条件进行剥离。本发明专利技术为临时粘合用层叠体膜，其至少具有(A)保护膜层、(B)粘接剂层、(C)支承膜层这3层，上述(B)粘接剂层至少含有特定的通式表示的硅氧烷聚合物或特定的通式表示的化合物。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】临时粘合用层叠体膜、使用临时粘合用层叠体膜的基板加工体及层叠基板加工体的制造方法、以及使用它们的半导体器件的制造方法
本专利技术涉及临时粘合用层叠体膜、使用了临时粘合用层叠体膜的基板加工体及层叠基板加工体的制造方法、以及使用它们的半导体器件的制造方法。
技术介绍
近年来，半导体器件的轻质化、薄型化不断发展。为了实现半导体元件的高集成化、高密度化，正在开发在利用硅贯通电极(TSV：ThroughSiliconVia)将半导体芯片连接的同时进行层叠的技术。此外，在功率半导体领域中，要求降低传导损耗以节约能源。为了解决这样的课题而需要将封装减薄，正在研究将半导体电路形成基板的厚度减薄至100μm以下并进行加工的工序。在该工序中，通过对半导体电路形成基板的非电路形成面(背面)进行研磨而将其减薄，并在该背面形成背面电极。为了防止半导体电路形成基板在研磨等工序中发生断裂，而将半导体电路形成基板固定于有支承性的硅晶片、玻璃基板等支承基板，进行研磨、背面电路形成加工等，然后将经加工的半导体电路形成基板从支承基板剥离。为了将半导体电路形成基板固定于支承基板，而使用了临时粘合用粘接剂。对于作为该临时粘合用粘接剂而使用的粘接剂而言，要求可耐受半导体电路形成工序中的热负荷的耐热性，而且还要求在加工工序结束后能够容易地剥离。并且，作为这样的临时粘合用粘接剂，例如已提出：使用具有耐热性的聚酰胺或聚酰亚胺系的粘接层，通过进行加热而使粘接力变化从而进行剥离的临时粘合用粘接剂(例如，参见专利文献1)等。此外，提出了下述临时粘合用粘接剂，所述临时粘合用粘接剂的构成为包含具有耐热性的、热塑性有机聚硅氧烷系的粘接剂层和固化性改性硅氧烷系的粘接剂层这两种粘接剂层，其具有可与半导体电路形成基板和支承基板分别剥离的粘接力，且通过于室温施加机械力来进行剥离(例如，专利文献2)。此外，提出了由1种环烯烃系的粘接剂层构成、且通过于室温施加机械力来进行剥离的临时粘合用粘接剂(例如，专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-254808号公报(权利要求书)专利文献2：日本特开2013-48215号公报(权利要求书)专利文献3：日本特开2013-241568号公报(权利要求书)
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，专利文献1那样的不进行加热处理就无法剥离的临时粘合用粘接剂存在如下问题：在用于剥离的加热工序中，焊料凸块溶解；在半导体加工工序中，粘接力降低，在工序的中途发生剥离，或者相反地粘接力上升，变得无法剥离等。就通过于室温施加机械力来进行剥离的专利文献2那样的临时粘合用粘接剂而言，不存在上述那样的问题。但是，其需要形成两种粘接剂层，有在工序方面成为相当大的负担的问题。另外，就专利文献3那样的临时粘合用粘接剂而言，其由1种粘接剂层构成，且通过于室温施加机械力来进行剥离。但是，对于环烯烃系的材料而言，有在高温下的半导体工序中发生分解等问题。此外，涂布形成临时粘合用粘接剂时，有时晶片边缘部隆起，从而在贴合晶片时发生不良情况。鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供临时粘合用的具有粘接剂层的层叠体膜，所述层叠体膜能够利用1种粘接剂将半导体电路形成基板与支承基板粘接，使得在晶片边缘部不存在隆起，耐热性优异，即便经过半导体器件等的制造工序，粘接力也不发生变化，并且之后能够通过于室温以温和的条件施加机械力或者使其溶解在再处理溶剂(reworksolvent)等中从而进行剥离。用于解决课题的手段即，本专利技术为临时粘合用层叠体膜，其特征在于，至少具有(A)保护膜层、(B)粘接剂层、(C)支承膜层这3层，上述(B)粘接剂层至少含有通式(1)表示的硅氧烷聚合物或通式(2)表示的化合物。[化学式1](式中，m为10以上且100以下的整数。R1及R2各自可以相同也可以不同，表示一价有机基团。R3及R4各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的亚烷基或亚苯基。R5～R8各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的烷基、链烯基、烷氧基、苯基或苯氧基。)[化学式2](式中，R9表示具有2～20个碳原子及1～3个氮原子的一价有机基团，R10表示氢、碳原子数1～20的烷基、或芳香族基团。a表示1～4的整数。)专利技术效果根据本专利技术，可以提供下述临时粘合用层叠体膜，所述临时粘合用层叠体膜的耐热性优异，直到晶片边缘部均能够平坦地形成被膜，能够利用1种粘接剂将半导体电路形成基板、与支承基板或支承膜层粘接，且能够于室温以温和的条件进行剥离。具体实施方式本专利技术的临时粘合用层叠体膜至少具有(A)保护膜层、(B)粘接剂层、(C)支承膜层这3层，上述(B)粘接剂层至少含有通式(1)表示的硅氧烷聚合物或通式(2)表示的化合物。本专利技术的临时粘合用层叠体膜的一个实施方式中，(B)粘接剂层含有通式(1)表示的硅氧烷聚合物。[化学式3](式中，m为10以上且100以下的整数。R1及R2各自可以相同也可以不同，表示一价有机基团。R3及R4各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的亚烷基或亚苯基。R5～R8各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的烷基、链烯基、烷氧基、苯基或苯氧基。)R1及R2各自可以相同也可以不同，表示一价有机基团。例如，可以使用具有烷基、链烯基、烷氧基、苯基、苯氧基、氨基、羧基、羟基、环氧基、氧杂环丁基、醚基、芳烷基、酰胺基、酰亚胺基、硝基、酯基的结构等。通式(1)中，m为10以上且100以下的整数。通过含有m为10以上且100以下的硅氧烷聚合物，从而能够降低涂布于晶片并进行干燥而得到的粘接剂层表面的粘接性，因此，能够将半导体电路形成基板与支承基板粘接，并且之后能够通过于室温以温和的条件施加机械力来进行剥离。此外，通过含有m为10以上且100以下的硅氧烷聚合物，从而能够提高粘接剂层表面的耐热性，能够抑制在将半导体电路形成基板与支承基板贴合后的元件加工工序中于粘接剂层中产生空隙。关于聚硅氧烷聚合物的m数，可通过如下方式求出：利用滴定计算分子量；利用结构鉴定进行计算。当聚硅氧烷聚合物如二胺化合物那样具有官能团时，可利用官能团的滴定来算出。关于R1～R8的结构，可通过各种NMR测定(HMBC、HMQC等)、IR测定等进行鉴定。此外，可由化学结构式计算出使用的聚硅氧烷聚合物在m＝1时及m＝10时的分子量，以一次函数的关系式的形式得到m的数值与分子量的关系。将上述平均分子量代入该关系式，可得到上述m的平均值。利用结构鉴定来计算m数时，可通过基于各种NMR测定(HMBC、HMQC等)、IR测定等的结构分析、及质子数的比较来算出m数。从耐热性的观点考虑，R1及R2优选为具有芳香族环或芳香族杂环结构的结构。通过使R1及R2为具有芳香族环或芳香族杂环结构的结构，从而能够进一步抑制在将半导体电路形成基板与支承基板贴合后的元件加工工序中于粘接剂层中产生空隙。作为R1及R2的具体例，可举出下述结构，但并不限定于这些。[化学式4][化学式5]在(B)粘接剂层所含的成分中，上述通式(1)表示的硅氧烷聚合物的含量优选为0.01质量％以上且30质量％以下，更优选为0.1质量％以上，进一步优选为15质量％以下。通过使其为0.01质量％以上，从而剥离性进一步提高，通过使其为30质量％以下，能够进一步保持粘本文档来自技高网...
【技术保护点】
临时粘合用层叠体膜，其至少具有(A)保护膜层、(B)粘接剂层、及(C)支承膜层这3层，所述(B)粘接剂层至少含有通式(1)表示的硅氧烷聚合物或通式(2)表示的化合物，[化学式1]
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.29 JP 2015-2126001.临时粘合用层叠体膜，其至少具有(A)保护膜层、(B)粘接剂层、及(C)支承膜层这3层，所述(B)粘接剂层至少含有通式(1)表示的硅氧烷聚合物或通式(2)表示的化合物，[化学式1]式(1)中，m为10以上且100以下的整数；R1及R2各自可以相同也可以不同，表示一价有机基团；R3及R4各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的亚烷基或亚苯基；R5～R8各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的烷基、链烯基、烷氧基、苯基或苯氧基，[化学式2]式(2)中，R9表示具有2～20个碳原子及1～3个氮原子的一价有机基团，R10表示氢、碳原子数1～20的烷基、或芳香族基团；a表示1～4的整数。2.如权利要求1所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(B)粘接剂层含有聚酰亚胺树脂。3.如权利要求2所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述聚酰亚胺树脂包含通式(3)表示的聚硅氧烷系二胺的残基，在全部的二胺残基中，包含60摩尔％以上且90摩尔％以下的所述聚硅氧烷系二胺的残基，[化学式3]式(3)中，n为自然数，并且由聚硅氧烷系二胺的平均分子量算出的平均值为1以上且100以下；R11及R12各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的亚烷基或亚苯基；R13～R16各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的烷基、苯基、或苯氧基。4.如权利要求1～3中任一项所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(B)粘接剂层还含有无机微粒。5.如权利要求1～4中任一项所述的临时粘合用层叠体膜，其中，在所述(B)粘接剂层所含的成分中，所述通式(1)表示的硅氧烷聚合物为0.01质量％以上且30质量％以下。6.如权利要求1～5中任一项所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(C)支承膜层的表面能为13mJ/m2以上。7.如权利要求1～6中任一项所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(C)支承膜层的热分解温度为200℃以上。8.如权利要求1～7中任一项所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(C)支承膜层的线膨胀系数为10ppm/℃以下。9.如权利要求8所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(C)支承膜层是线膨胀系数为10ppm/℃以下的膜的层叠体。10.如权利要求1～9中任一项所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(C)支承膜层为聚酰亚胺膜或聚苯...
【专利技术属性】
技术研发人员：小田拓郎，有本真治，藤原健典，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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