多层基板、部件安装基板制造技术

对安装部件在多层基板上倾斜进行抑制。本实用新型专利技术所涉及的多层基板的特征在于，具备：坯体，具有主面；第1外部电极～第n外部电极，被设置于主面，并且被用于安装部件的安装，n是3以上的整数；和第1虚设层，被设置于坯体内，不与其他导体连接，在从主面的法线方向观察时，将从第m外部电极到第1外部电极～第n外部电极内的距第m外部电极最近的外部电极为止的距离定义为距离Dm，将距离D1～距离Dn的平均定义为平均Dave，在从法线方向观察时，将以第m外部电极为中心且以距离Dm为半径的圆形的区域定义为区域(Am)，在从法线方向观察时，第1虚设层被设置于以小于平均Dave的距离Dm为半径的区域(Am)内的至少一部分的区域(Am)内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多层基板、部件安装基板
本技术涉及由热塑性树脂制作的多层基板、部件安装基板。
技术介绍
作为与现有的多层基板有关的专利技术，例如，已知专利文献1所述的半导体安装方法。该半导体安装方法是通过超声波倒装芯片接合技术来将半导体裸芯片的凸块安装于使用了液晶聚合物的薄膜的柔性布线板的布线的方法。通过在液晶聚合物的大致相同方向对半导体芯片施加超声波振动，将布线与凸块接合。但是，本申请专利技术人发现，在专利文献1所述的半导体安装方法中，半导体裸芯片在安装中可能倾斜。并且，本申请专利技术人如以下那样考察了半导体裸芯片倾斜的理由。半导体裸芯片中可能具有凸块密集地存在的密集区域、和该凸块稀疏地存在的稀疏区域。在该情况下，柔性布线板具有半导体裸芯片的凸块所被接合的布线密集地存在的密集区域、和该布线稀疏地存在的稀疏区域。因此，在安装时，在密集区域中，相对多的凸块以及布线接触，在稀疏区域中，相对少的凸块以及布线接触。这里，在对半导体裸芯片施加超声波振动时，通过利用安装机来按压半导体裸芯片的上表面，从而将半导体裸芯片向柔性布线板按压。因此，从半导体裸芯片向柔性布线板施加力。由于在密集区域中，相对多的凸块以及布线接触，在稀疏区域中，相对少的凸块以及布线接触，因此施加于密集区域的力比施加于稀疏区域的力大。由此，密集区域中的布线比稀疏区域中的布线更大地下陷，半导体裸芯片倾斜。若在半导体裸芯片倾斜的状态下利用安装机来按压半导体裸芯片的上表面并施加超声波振动，则力向半导体裸芯片的上表面的一部分集中。其结果，可能产生半导体裸芯片的破损。在先技术文献专利文献专利文献1：JP特开2006-120683号公报
技术实现思路
-技术要解决的课题-本技术的目的在于，提供一种能够抑制安装部件在多层基板上倾斜的多层基板、部件安装基板以及部件安装基板的制造方法。-解决课题的手段-本技术的一方式所涉及的多层基板的特征在于，具备：坯体，具有主面，并且具有柔性；第1外部电极～第n外部电极，被设置于所述主面，并且被用于安装部件的安装，n是3以上的整数；和至少1个以上的第1虚设导体，被设置于所述坯体内，是浮动状态，在从所述主面的法线方向观察时，将从第m外部电极到所述第1外部电极～所述第n外部电极内的距该第m外部电极最近的外部电极为止的距离定义为距离Dm，m是1以上且n以下的整数，将距离D1～距离Dn的平均定义为平均Dave，在从所述法线方向观察时，将以第m外部电极为中心且以距离Dm为半径的圆形的区域定义为区域Am，在从所述法线方向观察时，所述第1虚设导体被设置于以小于平均Dave的距离Dm为半径的1个以上的区域Am内的至少一部分的区域Am内。本技术的一方式所涉及的部件安装基板的特征在于，具备：所述多层基板；和所述安装部件，具备第1凸块～第n凸块，并且被安装在所述主面上，n是3以上的整数，所述第1外部电极～所述第n外部电极分别与所述第1凸块～所述第n凸块超声波接合。-技术效果-根据本技术，能够抑制安装部件在多层基板上倾斜。附图说明图1是本技术的一实施方式所涉及的部件安装基板10的外观立体图。图2是安装部件14的外观立体图。图3是多层基板12的分解立体图。图4是从上侧观察绝缘体片16-1的图。图5是从上侧观察绝缘体片16-2的图。图6是图1的A-A处的剖面构造图。图7是部件安装基板10的制造时的剖面构造图。图8是部件安装基板10的制造时的剖面构造图。图9是部件安装基板10的制造时的剖面构造图。图10是部件安装基板10的制造时的剖面构造图。图11是从上侧观察第1变形例所涉及的多层基板12a的绝缘体片16-2的图。图12是第1变形例所涉及的部件安装基板10a的剖面构造图。图13是从上侧观察第2变形例所涉及的多层基板12b的绝缘体片16-2的图。图14是第2变形例所涉及的部件安装基板10b的剖面构造图。图15是从上侧观察第3变形例所涉及的多层基板12c的绝缘体片16-2的图。图16是第3变形例所涉及的部件安装基板10c的剖面构造图。图17是第4变形例所涉及的部件安装基板10d的剖面构造图。图18是第5变形例所涉及的部件安装基板10e的剖面构造图。图19是第6变形例所涉及的部件安装基板10f的剖面构造图。图20是第7变形例所涉及的部件安装基板10g的剖面构造图。具体实施方式(实施方式)<多层基板以及部件安装基板的构成>以下，参照附图来对本技术的一实施方式所涉及的多层基板以及部件安装基板的构成进行说明。图1是本技术的一实施方式所涉及的部件安装基板10的外观立体图。图2是安装部件14的外观立体图。图3是多层基板12的分解立体图。图4是从上侧观察绝缘体片16-1的图。图5是从上侧观察绝缘体片16-2的图。图6是图1的A-A处的剖面构造图。以下，将多层基板12的层叠方向定义为上下方向(坯体的主面的法线方向的一个例子)。此外，将从上侧观察到多层基板12时的长边方向定义为左右方向，将从上侧观察到多层基板12时的短边方向定义为前后方向。上下方向、左右方向以及前后方向相互正交。部件安装基板10例如是包含被设置于移动电话等电子设备内的半导体集成电路的模块。如图1所示，部件安装基板10具备多层基板12以及安装部件14。安装部件14例如是RFIC或者CCD等的摄像元件这种半导体集成电路，如图2所示，具备主体114以及凸块116-1～116-14。在从上侧观察时，主体114为呈长方形的板状。以下，将主体114的上侧的主面称为表面，将主体114的下侧的主面称为背面。凸块116-1～116-14(第1凸块～第n凸块的一个例子)被设置在主体114的背面上，是被用于与多层基板12的连接的外部端子。凸块116-1～116-14例如由金等金属制作，在安装前的状态下为球状或者半球状。凸块116-1～116-14沿着主体114的背面的外缘排列。具体而言，凸块116-1～116-4沿着主体114的背面的左侧的边从后侧向前侧依次排列。凸块116-4～116-7沿着主体114的背面的前侧的边从左侧向右侧依次排列。凸块116-7～116-11沿着主体114的背面的右侧的边从前侧向后侧依次排列。凸块116-11～116-14沿着主体114的背面的后侧的边从右侧向左侧依次排列。凸块116-1～116-14在左右方向以及前后方向上相邻的凸块彼此的间隔不均一。由此，存在凸块116-1～116-14被密集地配置的区域和凸块116-1～116-14被稀疏地配置的区域。多层基板12是安装部件14所被安装的柔性基板。如图3所示，多层基板12具备：坯体11、保护层17、外部电极20-1～20-14、24-1～24-14、布线导体层22-1～22-3、虚设导体层26-1、28-1以及通孔导体v1～v4。另外，虽然除了布线导体层22-1～22-3以外还设置了布线导体层，但布线导体层22-1～22-3以外的布线导体层在图3中省略。同样地，虽然除了通孔导体v1～v4以外还设置了通孔导体，但通孔导体v1～v4以外的通孔导体在图3中省略。此外，在图3中，仅对代表性的布线导体层以及通孔导体付与参照符号。如图3所示，坯体11在从上侧观察时，是呈长方形的柔性的板状部件。坯体11的长边与左右方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层基板，其特征在于，具备：坯体，具有主面，并且具有柔性；第1外部电极～第n外部电极，被设置于所述主面，并且被用于安装部件的安装，n是3以上的整数；和至少1个以上的第1虚设导体，被设置于所述坯体内，是浮动状态，在从所述主面的法线方向观察时，将从第m外部电极到所述第1外部电极～所述第n外部电极内的距该第m外部电极最近的外部电极为止的距离定义为距离Dm，m是1以上且n以下的整数，将距离D1～距离Dn的平均定义为平均Dave，在从所述法线方向观察时，将以第m外部电极为中心且以距离Dm为半径的圆形的区域定义为区域Am，在从所述法线方向观察时，所述第1虚设导体被设置于以小于平均Dave的距离Dm为半径的1个以上的区域Am内的至少一部分的区域Am内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.10 JP 2015-2202551.一种多层基板，其特征在于，具备：坯体，具有主面，并且具有柔性；第1外部电极～第n外部电极，被设置于所述主面，并且被用于安装部件的安装，n是3以上的整数；和至少1个以上的第1虚设导体，被设置于所述坯体内，是浮动状态，在从所述主面的法线方向观察时，将从第m外部电极到所述第1外部电极～所述第n外部电极内的距该第m外部电极最近的外部电极为止的距离定义为距离Dm，m是1以上且n以下的整数，将距离D1～距离Dn的平均定义为平均Dave，在从所述法线方向观察时，将以第m外部电极为中心且以距离Dm为半径的圆形的区域定义为区域Am，在从所述法线方向观察时，所述第1虚设导体被设置于以小于平均Dave的距离Dm为半径的1个以上的区域Am内的至少一部分的区域Am内。2.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，在从所述法线方向观察时，所述第1虚设导体未被设置于以大于平均Dave的距离Dm为半径的1个以上的区域Am内的至少一部分的区域Am内。3.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，在从所述法线方向观察时，所述第1虚设导体被设置于以最小的距离Dm为半径的区域Am内。4.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，在从所述法线方向观察时，所述第1虚设导体与以小于平均Dave的距离Dm为半径的区域Am所对应的第m外部电极重叠。5.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，所述坯体是多个绝缘体层在所述法线方向层叠而构成的，所述多层基板还具备第2虚设导体，所述第1虚设导体以及所述第2虚设导体是第1平面导体，在从所述法线方向观察时，所述第2虚设导体被设置于以小于平均Dave的距离Dm为半径的区域Am内并且不与所述第1虚设导体重叠，且被设置于与设置有该第1虚设导体的所述绝缘体层不同的所述绝缘体层。6.根据权利要求1或2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：用水邦明，池野圭亮，伊藤优辉，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本,JP