形成氧化物膜的方法和氧化物沉积设备技术

本发明专利技术涉及一种氧化物膜形成方法和一种氧化物沉积设备，其使得可能通过在旋转气体注射器时将包括ＳｉＨ↓［４］、Ｓｉ↓［２］Ｈ↓［６］、Ｓｉ↓［３］Ｈ↓［８］、ＴＥＯＳ、ＤＣＳ、ＨＣＤ和ＴＳＡ中的至少一者的含硅气体、吹扫气体和包括Ｏ↓［２］、Ｎ↓［２］Ｏ、Ｏ↓［３］、Ｈ↓［２］Ｏ和Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］中的至少一者的反应气体分别连续地且同时地供应到反应空间中来以３５０℃或更低的低温形成氧化物膜，且可能沿着具有微图案的下部结构的阶梯形成具有均匀厚度的氧化物膜，因为阶梯覆盖由于原子层沉积工艺而得以改进。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种形成氧化物膜的方法和一种氧化物沉积设备，且更明确地说，涉及一种通过使用SiH4、Si2H6、Si3H8、正硅酸乙酯(TEOS)、二氯甲硅烷(DCS)、六氯硅烷(HCD)和三甲硅烷基氨(TSA)中的任何一者经由原子层沉积(ALD)工艺来形成氧化硅膜的方法以及一种氧化物沉积设备。
技术介绍
近来，由于半导体装置的线宽被微化(成100nm或更小)，半导体衬底被放大，沉积的薄膜被微化且多层化，因而已要求氧化物膜在较大区域上具有均匀厚度和高阶梯覆盖。然而，常规的氧化物膜制造方法不能满足此类要求。也就是说，常规的化学气相沉积(CVD)方法包括将上面将形成氧化物膜的衬底放置在预定处理腔室中；和将杂质从腔室中排空，所述杂质是在加载衬底的过程中引入的。接着，在将处理腔室维持在500℃到800℃的温度的状态下，将含硅气体和反应气体同时注射到腔室中，从而通过含硅气体与反应气体的反应而在衬底上生长氧化硅膜。因此，可通过常规CVD方法来改进氧化物膜的沉积速率。然而，在图案之间产生例如空隙的空白空间，且由于不能满足氧化物膜的均匀厚度或高阶梯覆盖，因而在图案的侧壁表面上不形成氧化物膜。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在衬底上形成氧化物膜的方法，其包含：　　　　将多个衬底放置在反应空间中的衬底安装单元上；和　　　　通过具有多个注射零件的气体注射器将过程气体供应到所述衬底上，　　　　其中所述供应过程气体的步骤包括：　　　　通过所述气体注射器的第一注射零件供应包含ＳｉＨ↓［４］、Ｓｉ↓［２］Ｈ↓［６］、Ｓｉ↓［３］Ｈ↓［８］、ＴＥＯＳ、ＤＣＳ、ＨＣＤ和ＴＳＡ中的至少一者的含硅气体；　　　　通过所述气体注射器的第二注射零件供应吹扫气体；　　　　通过所述气体注射器的第三注射零件供应包含Ｏ↓［２］、Ｎ↓［２］Ｏ、Ｏ↓［３］、Ｈ↓［２］Ｏ和Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］中的至少一者的反应气体；　　　　通过所述气体注射器的第四...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李振镐，韩泳基，郭在灿，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]