形成四方氧化锆层的方法及制造具有该层的电容器的方法技术

一种在腔室中在衬底上形成氧化锆（ＺｒＯ↓［２］）层的方法，包括控制衬底的温度和重复原子层沉积（ＡＬＤ）法的单元循环。单元循环包括：将锆（Ｚｒ）源供应到腔室中，使部分锆源吸附到衬底表面中；清洗残留在腔室内部的未吸附部分的锆源；供应反应气体，用于与吸附部分的锆源反应；清洗残留在腔室内部的未反应部分的反应气体和反应副产物，其中控制衬底的温度和反应气体的浓度，使得形成具有四方结构的ＺｒＯ↓［２］层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造半导体器件的方法，更具体涉及形成氧化锆(ZrO2)层的方法以及制造具有该氧化锆层的电容器的方法。
技术介绍
近年来，人们已经尝试将氧化锆(ZrO2)层用作尺寸小于约60nm的动态随机读取存储(DRAM)器件的电容器介电层。但是，如果通过原子层沉积(ALD)法在低于约250℃的温度下形成ZrO2层并随后经历热处理，则通常获得具有低介电常数的单斜结构或立方结构的ZrO2层。ZrO2层需要形成为四方结构而不是单斜结构或立方结构，以便确保高介电常数。但是，由于四方结构是在高温下比单斜结构或立方结构更加稳定的结构，因此很难获得具有四方结构的ZrO2层。
技术实现思路
根据本专利技术的方法提供形成具有四方结构的氧化锆(ZrO2)层，其具有高介电常数并且在高温下稳定。根据本专利技术的方法还提供制造具有这种ZrO2层的电容器。根据本专利技术，提供一种用于在腔室中在衬底上形成氧化锆(ZrO2)层的方法。该方法包括控制衬底的温度和重复原子层沉积(ALD)法的单元循环。所述单元循环包括将锆(Zr)源供应到腔室中，使部分锆源吸附到衬底表面中；清洗残留在腔室内部的未吸附部分的锆源；供应反应气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在腔室中在衬底上形成ＺｒＯ↓［２］层的方法，包括；　　　　控制衬底的温度；和　　　　重复原子层沉积（ＡＬＤ）法的单元循环，所述单元循环包括：　　　　将锆（Ｚｒ）源供应到腔室中，使部分锆源吸附至衬底表面中，　　　　清洗残留在腔室内部的部分锆源；　　　　供应反应气体，用于与吸附部分的锆源反应；和　　　　清洗残留在腔室内部的未反应部分的反应气体和反应副产物，　　　　其中控制衬底的温度和反应气体的浓度，使得形成具有四方结构的ＺｒＯ↓［２］层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉德信，宋翰相，廉胜振，朴基善，卢载盛，金珍赫，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]