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一种在腔室中在衬底上形成氧化锆（ＺｒＯ↓［２］）层的方法，包括控制衬底的温度和重复原子层沉积（ＡＬＤ）法的单元循环。单元循环包括：将锆（Ｚｒ）源供应到腔室中，使部分锆源吸附到衬底表面中；清洗残留在腔室内部的未吸附部分的锆源；供应反应气体，用...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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