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本发明涉及一种氧化物膜形成方法和一种氧化物沉积设备，其使得可能通过在旋转气体注射器时将包括ＳｉＨ↓［４］、Ｓｉ↓［２］Ｈ↓［６］、Ｓｉ↓［３］Ｈ↓［８］、ＴＥＯＳ、ＤＣＳ、ＨＣＤ和ＴＳＡ中的至少一者的含硅气体、吹扫气体和包括Ｏ↓［２］、Ｎ↓...
该专利属于周星工程股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过周星工程股份有限公司授权不得商用。

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