监控化学气相沉积反应腔室洁净度与洗净工艺时间的方法技术

本发明专利技术提供一种监控化学气相沉积反应腔室洁净度与洗净工艺时间的方法，其利用一种会因为反应腔室杂质污染物存在，而造成材料折射率产生改变的监控层，来对反应腔室洁净度进行监控，以达到避免因反应腔室洗净时间不足，所造成的后续沉积层成品率不佳的缺点，并进而提供所需洗净工艺时间长度的相关讯息。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一 种利用会因反应腔室洁净度而导致折射系数值产生变化的沉积薄膜层来监控化学气相沉积腔 室洁净度与洗净工艺时间的方法。
技术介绍
所谓化学气相沉积(Chemical Vapor D印osition, CVD)的技术，顾名思义，乃是利用化 学气相沉积法，在反应腔室内将反应物生成，并沉积于晶片表面上。因此不管化学气相沉积 是依据操作压力区分为常压(Atmospheric)与低压(Low Pressure)或者依反应腔室结构分 为水平式(Horizontal)、直立式(Vertical)、直桶式(Barrel)、管状式(Tubular)、 烘盘式(Pancake)及连续式(Continuous),还是依反应腔室壁温度也可将化学气相沉积工 艺区分为热壁式(Hot Wall)与冷壁式(Cold Wall)两种，反应腔室可以说是位居整个化学 气相沉积工艺的心脏位置，其是整个工艺成品形成的位置所在，因此反应腔室的洁净与否成 为化学气相沉积法最根本且最直接影响反应生成膜成品优劣的关键。然而，现有技术对反应腔室洁净度与否，是通过经验值判断，也就是采用反应生成膜成 品优劣平均本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种监控化学气相沉积反应腔室洁净度的方法，其特征在于包括下列步骤：提供一已经过洗净工艺的化学气相沉积反应腔室；于该反应腔室内置入一晶片；于该晶片上沉积一监控层；对该监控层进行折射系数值测量，以通过该折射系数值是否偏高，来判断该反应腔室是否已达到高洁净度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，张炳一，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]