TFT LCD电极薄膜制备所用的靶材及靶材和电极薄膜制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ＴＦＴＬＣＤ有源矩阵电极薄膜制备所用的靶材，其中靶材为Ａｌ－ＲＥ的合金、Ａｌ－Ｎｉ的合金或者Ａｌ－Ｎｉ－ＲＥ合金，靶材中合金元素的含量在１ａｔ％－１０ａｔ％。本发明专利技术同时公开了ＴＦＴ　　ＬＣＤ有源矩阵电极薄膜制备所用靶材的制备方法和ＴＦＴＬＣＤ有源矩阵电极薄膜的制备方法。本发明专利技术用资源丰富Ｎｉ以及ＲＥ替代资源稀缺高价格的Ｎｄ，制备二元合金靶材，能够降低靶材及电极薄膜的制造成本。本发明专利技术电极薄膜的制备方法中通过磁控溅射方法使合金元素能够固溶其中，能够提高Ａｌ合金薄膜的热稳定性。本发明专利技术电极薄膜的制备方法中，在退火过程将使全部或者部分固溶态的合金元素以金属间化合物的形式沉淀于晶粒之间，能够降低合金薄膜的电阻率和提高其热稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件电极的制备所用的靶材及其制造方法，以及利用 该靶材制造电极的方法，特别涉及薄膜晶体管液晶显示器(以下称TFT LCD) 有源矩阵电极制备所用的靶材及其制造方法，以及利用该把材制造电极的方法。
技术介绍
目前薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)向大尺寸和高清晰度的发展趋势 要求具有很低电阻率的金属电极薄膜作为栅极和源漏电极。例如对于10英寸 以上的TFT LCD,电极的电阻率需要小于20|jQcm。同时大规模集成电路制备 中基板已经不足以提供足够的面积来沉积IC需要的互连线。因此多层金属互 连线成为IC制造中必需要采用的技术。特别是对于具有复杂功能的IC,如 微处理器就要求具有4 - 5层的金属层实现IC器件之间的互连。因此从电阻 率的角度考虑，Au、 Cu和Ai是最合适做IC及TFT中电极或者互连线材料的 金属。但是对于Au而言，它和基板的结合力不良，另外它的刻蚀特性不好， 还有就是价格太高的原因，限制了它的广泛使用；Cu由于它和基板的结合力 微弱和不良的抗腐蚀能力也限制了它的使用。金属Al不仅有好的电阻率，良 好的刻蚀特性和与基板的结合力，而且A1的地球本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＴＦＴＬＣＤ有源矩阵电极薄膜制备所用的靶材，其特征在于：所述靶材为Ａｌ－ＲＥ的合金、Ａｌ－Ｎｉ的合金或者Ａｌ－Ｎｉ－ＲＥ合金。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛建设，梁珂，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]