发光二极管结构制造技术

本发明专利技术提供一种发光二极管结构。发光二极管结构包括基板、N型半导体层、发光层以及P型半导体层。N型半导体层配置于基板上。发光层适于发出主要发光波长介于365奈米至490奈米之间的光且配置于N型半导体层上。P型半导体层配置于发光层上，且包括P型氮化铝镓层。P型氮化铝镓层的厚度占整体P型半导体层的厚度的85％以上。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管结构本申请是申请人于2014年1月13日提交的、申请号为“201410014540.5”的专利技术名称为“发光二极管结构”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术是有关于一种半导体结构，且特别是有关于一种发光二极管结构。
技术介绍
随着半导体科技的进步，现今的发光二极管已具备了高亮度的输出，加上发光二极管具有省电、体积小、低电压驱动以及不含汞等优点，因此发光二极管已广泛地应用在显示器与照明等领域。一般而言，发光二极管采用宽带隙半导体材料，如氮化镓(GaN)等材料，来进行制造。然而，当发光二极管的发光层放出近UV光或蓝光时，采用氮化镓所形成的P型半导体层会吸收波长约为365～490奈米左右的光，即会吸收近UV光与蓝光，进而影响整体发光二极管的出光效率。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管结构，其具有较佳的出光效率。本专利技术的发光二极管结构，其包括基板、N型半导体层、发光层以及P型半导体层。N型半导体层配置于基板上。发光层适于发出主要发光波长介于365奈米至490奈米之间的光且配置于N型半导体层上。P型半导体层配置于发光层上，且包括P型氮化铝镓层。P型氮化铝镓层的厚度占本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管结构，其特征在于包括：N型半导体层；发光层，配置于所述N型半导体层上；第一P型半导体层，配置于所述发光层上且包含铝；以及第二P型半导体层，配置于所述第一P型半导体层上且包含铝，其中所述第二P型半导体层的厚度大于所述第一P型半导体层的厚度，且所述第一P型半导体层的掺质浓度大于所述第二P型半导体层的掺质浓度。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，其特征在于包括：N型半导体层；发光层，配置于所述N型半导体层上；第一P型半导体层，配置于所述发光层上且包含铝；以及第二P型半导体层，配置于所述第一P型半导体层上且包含铝，其中所述第二P型半导体层的厚度大于所述第一P型半导体层的厚度，且所述第一P型半导体层的掺质浓度大于所述第二P型半导体层的掺质浓度。2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括第三P型半导体层，配置于所述第二P型半导体层上，且所述第三P型半导体层的厚度占整体所述P型半导体层的厚度的15％以下。3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一P型半导体层的材料为AlxGa1-xN，其中x为0.09～0.2。4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉柱，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71